工艺事故分析

工艺事故质量分析
一次清洗:
1.现象描述:
制绒后硅片厚度很薄在160um以下且硅片表面“小雨点”很多,导致硅片报废
原因分析:
此类事故发生时多在新配液时,主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后,由于    吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工,后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料,从 而造成事故。
事故总结:
新配液时,由于更换操作员而导致没有加异丙醇,出现工艺失控。建议新配液时有一位员工独立完成。
2.现象描述:
  配液过程中导致溶液溢流致设备和地面,使地面受损。
原因分析:
配液过程中,忘记关补水开关。
事故总结:
加强员工的责任心。
3.现象描述:
制绒过程中,偶尔出现整篮硅片表面“小雨点”很多,在二中心曾出现一篮硅片大半部分硅片已经制绒,而上部的少部分硅片还没有制绒。
原因分析:
制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长,导致异丙醇挥发过量,溶液中异丙醇含量少造成的。二中心出现的少部分硅片还没有制绒,是由于制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长,造成液位低于液面而造成。
  事故总结:
  制绒过程中要注意观察工艺槽的液面,避免液位低于硅片上沿。如果制绒槽制绒过程等待上料的时间过长,需适量多补加异丙醇,或者排液后重新配液。加强员工的责任心,注意观察制绒过程中的异常情况。
4.其它:
配液过程中,加NaOHHFHCl方法不当,且没有佩带防护用具,使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动,提篮时花篮偏移导致翻篮。二线设备在手动打到自动时,若2号机械臂在11号槽,且11号槽时间已经到时,按复位开关将会导致2号和3号机械臂相撞。槽内的挡板螺丝松动,机械臂放篮时,花篮碰到挡板,导致花篮倾斜。
5.现象描述:
  电池效率出现批量整体性降低。
原因分析:
将清洗工序的重新清洗后,再投产,效率恢复正常,可能存在的原因有:
检查花篮发现,花篮已经破损;喷淋槽槽盖中的活塞被腐蚀,有铁锈溶液调入喷淋槽中污染了硅片。
总结:
重视和加强工艺设备卫生检查,提高员工的洁净度意识;对有铁制品的设备要格外小心,避免因其破损而污染硅片。
6.现象描述:
  检验后的硅片被重新放入原硅片盒内,和正常片一同转入扩散工序。
原因分析:
员工对硅片的洁净度认识不够,工艺卫生的培训和宣传力度不够。
总结:
重视工艺卫生培训,提高员工的洁净度意识。
7.现象描述:
  甩干后的洁净硅片,长时间停留在清洗间内,没有及时转入扩散工序。
原因分析:
员工对空气的洁净度认识不够,认为空气对硅片表面的洁净度没有影响,工艺卫生的培训和宣传力度不够。
总结:
重视工艺卫生培训,提高员工的洁净度意识。
8.其它:
  槽内的挡板螺丝松动,机械臂放篮时,花篮碰到挡板,导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落,导致不能甩干。甩干机内放入的片盒有碎片,甩干后会造成更多的碎片。甩干机氮气管脱落,导致不能甩干。甩干机内的皮带脱落,导致不能甩干。
扩散:
1.事故现象:
方块电阻偏小
事故原因:
更换片源,由于炉管温度漂移,当前工艺已经不适用。设备故障,舟无法退出,舟在炉管的滞留时间过长。环境温度变化,气流变化。
事故总结:
为了避免事故发生,更换片源时,必须先做少量的跟踪试验,调试好后方可批量生产,工艺运行时,工序长必须密切注意设备运行情况,及时工程人员维修,外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风、环境温度的稳定性。
4.事故现象:
  方块电阻偏大
事故原因:
更换片源,由于炉管温度漂移,当前工艺已经不能使用。设备故障,石英门损坏或没有关紧。环境温度变化,外围尾气抽风变化,气流不稳定。设备加热速度太慢,无法达到工艺温度。炉管清洗后,设备没有安装到位。设备或软件故障,工艺工程中出现扩散小氮(三氯氧磷)断气。
事故总结:
为了避免事故发生,应该在更换片源时,必须先做少量的跟踪试验,调试好方可批量生产。工艺运行时,工序长必须密切注意设备云行情况,及时工程人员维修。工序长必须密切关注扩散间抽风与环境温度变化,及时反映给领班,同时外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风,环境温度的稳定性。
二次清洗:
1.现象描述:
    转入PECVD工序的硅片,在镀膜之后表面有白的线痕。
  原因分析:
    硅片表面的线痕是由于水造成的,主要是员工没有按工艺要求在规定的时间内对硅片进行甩干。
  总结:
  提高员工对公艺的认识,提高工艺的执行力度。
2.现象描述:
  转入PECVD工序的硅片,在上篮时出现两片叠放的现象,,造成返工。
  原因分析:
  员工在插片时,两片硅片插放在了同一个片槽中。
  总结;
  加强员工的责任心,提高员工的自检意识。
3.现象描述:
  硅片转入测试分选后出现批量效率低,漏电流大。
    原因分析:
  造成效率低,漏电流大的原因多比较复杂,但对于二次清洗如果扩散面与非扩散面放反后,也会出现效率低,漏电流大的现象。
    总结:
  加强员工的责任心,提高员工的自检意识。在PECVD工序抽检方块电阻。
4.其他:
  配液过程中,加HF方法不当,且没有佩戴防护用具,使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动,提篮时花篮偏移导致翻篮。槽内的挡板螺丝松动,机械臂放篮时,花篮碰到挡板,导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落,导致不能甩干。甩干机内的放入的片盒有碎片,甩干后造成更多的碎片。甩干机氮气管脱落,导致不能甩干。甩干机内的皮带脱落,
导致不能甩干。
5.事故描述:刻蚀不透
  硅片表面不光滑,不平整。表面成蜂窝状,部分成黑白相间。用冷热探针检验显示N型。
    事故原因:
  在刻蚀过程中,由于中途断CF4 O2 气体。在刻蚀过程中,CF4 O2 气体流量不够。辉光颜非乳白或辉光颜不均匀。腔体内有异物、粉尘影响刻蚀效果。
    总结:
  在工艺开始运行前,必须先确认设备及气体流量是否正常,如CF4 O2 流量达到工艺要求,辉光是否异常。每班用酒精擦拭石英罩。
PECVD
1.镀膜颜偏离对比板
    调整带速。镀膜颜越深代表膜的厚度越小,此时应减小带速来增加镀膜厚度;镀膜颜越浅则与之相反。

本文发布于:2024-09-20 12:08:07,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.17tex.com/tex/3/87274.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:硅片   工艺   导致   员工   设备   甩干
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议