XXX职业技能鉴定中心题库
注 意 事 项
1、考试时间：120分钟。
2、请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、准考证号和所在单位的名称。
3、请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。
4、不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关的内容。
一、填空题 (第1～20题。请将正确答案填入题内空白处。每空0.5分，共30分。)
1. 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为： 恒定表面源扩散 ； 2. 对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容： 逻辑单元符号库 和 功能单元库 、 拓扑单元库 、 版图单元库 。
3. 在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫
划片槽 。
4. 全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含 符号图 、 抽象图 、
线路图 和 版图 。
5. 半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是 电子 ，另一种是 空穴 。
6. 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为 元素 半导体、 化合物 半导体、固溶半导体三大类。
7. 半导体材料的主要晶体结构有 金刚石 型、 闪锌矿型、 纤锌矿 型。
8. 抛光片的质量检测项目包括：几何参数： 直径 、 厚度 、主参考面、副参考面、平整度、
弯曲度等；电学参数 ：电阻率，载流子浓度 ，迁移率等；以及晶体质量，晶向，位错密度。
9. 外延生长方法比较多，其中主要的有 化学气相 外延、 液相 外延、
金属有机化学气相 外延、 分子束 外延、 原子束 外延、 固相 外延等。
10. 离子注入是借其 动能 强行进入靶材料中的一个 非平衡 物理过程。
11. 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂 离子 加速到的需要的 能量 ，直接注入到 半导体晶片 中，并经适当温度的 退火处理 。
12. 空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的 完整 性、 成品 率，并影响其电学性能和 可靠性 ，所以半导体芯片制造工艺需在 超净 厂房内进行。
13. 在白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的 干涉 。
14. 在半导体工艺中，硫酸常用于去除 光刻胶 和配制 洗液 等。
15. 化学清洗中是利用硝酸的强 酸性 和强 氧化性 将吸附在硅片表面的杂质除去。
16. 用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜 是否均匀 、结构 是否致密 ；表面无 斑点 、无 白雾 、不发花；表面无裂纹、 无针孔 。
17. 腐蚀V形槽一般采用 各向异性 的湿法化学腐蚀方法。
18. 光刻工艺一般都要经过 涂胶 、 前烘 、 曝光 、 显影 、 坚膜 、 腐蚀 、 去胶 等步骤。
19. 在砷化镓晶片的修整研磨中，研磨液使用 次氯酸 、 亚溴酸
的水溶液即可生成与晶片面上的水合膜相当的化合物膜，达到所希望的镜面效果。
20. 净化洁净度级别定义：每立方英尺中大于或等于 0.5 微米的尘埃数。10万级表示每立方英尺中大于或等于 0.5 微米的 尘埃粒子 不超过 10万 。
注：一英尺为30.48厘米。一立方米大约等于35立方英尺 。
2、选择题(第21～40题。请选择正确答案，将相应字母填入括号内。每题1分，共20分)
21. 下列材料属于N型半导体是 AC 。
A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B．硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)
C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
22. 属于绝缘体的正确答案是 B 。
A 金属、石墨、人体、大地 B 橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C 硅、锗、砷化镓、磷化铟 D 各种酸、碱、盐的水溶液
23. 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的 B 。
A 能量 B 剂量
24. 位错的形成原因是 C 。
A 位错就是由弹性形变造成的 B 位错就是由重力造成的
C 位错就是由范性形变造成的 D 以上答案都不对
25. 硅外延片的应用包括 ABCD 。
A 二极管和三极管 B 电力电子器件；
C 大规模集成电路 D 超大规模集成电路
26. 离子注入层的深度主要取决于离子注入的 A 。
A 能量 B 剂量
27. 下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（ D ）。
A、单基极条图形 B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构 D、梳状结构
28. 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行 C 扩散。
A 预 B 再 C .选择
29. 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是 C 层。
A 多晶硅 B 氮化硅 C 二氧化硅
30. 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上 A 的工艺
A 刻制图形 B. 绘制图形 C 制作图形
31. 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝
光的方法，称为 A 曝光。
A 接触 B 接近式 C 投影
32. 按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为： A 蒸发、 B 蒸发、离子束蒸发等。
A 电阻加热 B 电子束 C 蒸气原子
33. 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫：（ A ）
A、逻辑设计 B、物理设计 C、电路设计 D、系统设计
34. 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（ D ）
A、盐酸 B、硫酸 C、硝酸 D、
35. 在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（ A ）
A、干氧 B、湿氧 C、水汽氧化 D、不能确定哪个使用的时间长
36. 硅外延生长工艺包括 ABCD 。
A 衬底制备 B 原位HCl腐蚀
C 生长温度，生长压力，生长速度 D 尾气的处理
37. 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子( A )外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
A．越不容易受 B．越容易受 C．基本不受
38. 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（ B ）
A、高斯函数 B、余误差函数 C、指数函数 D、线性函数
39. 从离子源引出的是：（ D ）
A、原子束 B、分子束 C、中子束 D、离子束
40. 当今最先进的洁净室是：于每立方英尺空气中，大小超过 A 的微粒数量，在 A 颗以下。
A、0.1um 1颗 B、0.2um 1颗
C、0.1um 10颗 D、0.5um 1颗
3、判断题(第41～60题。请将判断结果填入括号中，正确的填“√”错误的填“×”。每题1分，共20分。)
（ ）41．单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。 ( √ )
（ ）42．迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。 ( √ )
（ ）43．点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。 ( √ )
（ ）44．位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。( √ )
（ ）45．抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。( × )
（ ）46．液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。 ( √ )
（ ）47．离子源是产生离子的装置。 ( √ )
（ ）48．半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （ × ）
（ ）49．光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性 光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。 ( √ )
（ ）50．设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。 （ × ）
（ ）51．干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。 ( √ )
（ ）52．光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。 （ × ）
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