电池片返工处理流程


海润光伏科技股份有限公司
江阴海润太阳能电力有限公司
电池片返工处理流程
  号:Q/HRHT-005
  本:A/0
编制人/日期:             
审核人/日期:             
批准人/日期:             
2010-05-14发布                                            2010-05-XX实施
海润光伏科技股份有限公司
  江阴海润太阳能电力有限公司 发布

  修订日期
修订后版本号
修订内容
修订人
  审核人
14/05/2010
             
A/0
初次制定
史小江
XXX
需要培训部门:
会签部门
                    /

目的
明确各段返工片和跨段处理返工片的作业流程,确保返工片及时快速的处理,把对效率和碎片的影响降到最低;
范围
本标准适用于工艺、生产及质量各部门涉及人员;
职责
为了确保返工片清洗顺利进行,明确返工片处理过程中的职责划分和处理规范。
3.1  返工片处理规定:处理返工片采取当段返工当班处理,星期五集中下传;跨段返工每周五集中返前段; 返前段处理硅片时需要质量确认是否达到返前端标准,对于质量偏轻无
法返前段硅片,有质量确认后方可下传,返工片命名必须按命名规则命名,不得与其他硅片混片。
3.2  返工片处理流程
3.3  工艺职责:提供当段和前段返工片处理工艺,对无法返工硅片进行确认报废(报废流程详见质量部硅片报废流程);接到返工片异常后,工艺进行异常分析和提供异常处理的
办法;
3.4  生产职责:对当段返工片进行监控,如有异常及时反馈给工艺和相关部门(异常反馈标以各段工艺提供数据为准);接到前段返工处理片,按照返工流程进行返工并及时通知当段工程师;
3.5  质量职责 :对无法返工的硅片进行确认,确认返是否符合返前端标准,是否达到报废标准和报废数量;
各段返工流程
4.1 制绒返工片流程
4.1.1 制绒返工片处理流程及职责划分
    责任部门:生产部/工艺部/质量部
  责任部门:生产部
        责任部门:生产部
        责任部门:生产部
4.1.2 制绒返工片处理规范
4. 1. 2. 1制绒返工片标准:针对不同的异常片进行分类,质量大于等于5.2g的花斑片均可以返工,质量小于5.2g大于等于4.48g,直接下传,质量小于4.48g,申请报废。
4. 1. 2. 2类型及处理措施:
第一大类:库存时间小于24h,按照以下流程进行返工:
1.发白和发亮返工:酸洗水洗酒精润洗制绒槽返工工艺减重比较小且返工效果最好;
2.白斑返工: H2O2润洗制绒槽返工工艺以氧化和蚀刻来底切和去除表面颗粒、有机污染物及部分金属化污染物.
第二大类:库存时间大于24h的制绒库存后的花斑异常片:
1.为预防制绒槽的污染,在处理这些异常片时使用单槽制绒机。
2.实行H2O2润洗—水洗 —酒精润洗流程进行返工。
4.1.2.2制绒返工片处理规定:
1.返工片按照分类处理;
2.产生后及时处理处理;
3.在做返工之前,按照正常生产的流程,每组测试6片前重,对应的6片后重,将相应的减重填写在返工片的流程单上,并附上返工单;
4.第二大类返工完后溶液不允许做正常生产的硅片。
4.1.2.3制绒处理片确认:由质量和工艺共同确认返工片返工前是否达到返工标准和返工数量及类型;返工后的硅片,质量无异常正常下传,质量偏轻,质检盖偏轻章下传。
4.1.2.4 制绒各类返工处理流程图
4.2 扩散返工片流程
4.2.1  制绒后清洗不干净硅片
4.2.1.1异常表现:接制绒传过来的硅片清洗不干净,即清洗后的硅片有大片液滴黏附,见下图(图一)。
图1
4.2.1.2评审报告流程:出现制绒后清洗不干净硅片时,操作人员应及时通知班组长和当班工艺工程师。
4.2.1.3制绒后清洗不干净硅片流程图:
          6.2  4.2.2.2  扩散工艺完成后硅片的方块电阻异常
4.2.2.1  方阻异常表现:OOS:一点或多于一点阻值超出SPEC范围;OOC:单组、单片或单点超出CL范围,但单点在SPEC范围内;
方阻规格定义:
硅片类型
SPEC
CL
单晶R2工艺
37Ω单点Rs≤57Ω
39Ω≤单点Rs≤55Ω
42Ω单片Rs≤52Ω
44Ω≤单片Rs≤50Ω
44Ω单组Rs≤50Ω
45Ω≤单组Rs≤49Ω
4.2.2.2方阻异常评审报告流程:出现方块电阻OOS时,质检人员应及时通知班组长或当班工艺工程师进行处理和调节,将电阻异常超出下限3Ω/□或超出上限1Ω/□的超标时附实验单下传,追踪效率,将超出该范围的超标片转为处理片,集中处理; 出现方块电阻OOC时,质检人员应及时通知当班组长和工艺工程师,及时进行调整,无需转处理片。
方阻异常片处理流程(非偏轻片):
方阻异常片处理流程(偏轻片):
4.2.2.3补扩散规则:当清洗干净后,再每50片抽测3片测试电阻, 单晶V01工艺:当电阻在58-70欧姆之间时,第四步为10分钟,第五步为10分钟,在71-80欧姆之间第四步为20分钟,第五步同上,在81-100欧姆之间时,第四步为30分钟,第五步同上。当电阻大于100欧姆时,重新扩散,扩散完后,进行电阻测试,电阻异常时通知工艺工程师,方阻异常片经过一次处理后,结果无论正常与否,不再转处理片,进行二次处理。
4.2.3 扩散后的硅片上出现残余磷源或烧焦
        4.2.3.1异常表现:见下图(图2)首先判断烧焦片的严重程度,如果烧焦程度严重,无论是正面还是背面一律不得下传,主要分为一下几类:
1.面积较小的烧焦片,观察烧焦部位的颜,如果颜为浅黑,则可以颜为深黑则不得下传。
2.当烧焦片颜较深的部分距硅片边缘不到1mm时,则可以直接下传,若大于1mm时则不得直接下传。
3.轻微烧焦片:当烧焦片烧焦片颜较深的部分距边缘大于1mm小于3mm,或烧焦片麻点数量不超过10个的烧焦片可暂存车间,集中整组附实验单下传。
4.2.3.2评审报告流程: 如果出现烧焦10片以下/组时,操作人员应详细记录异常记录单,如果出现烧焦10片以上/组或滴源片时,操作人员应详细记录异常记录单,并及时通知当班工艺工程师; 出现烧焦片,由卸舟员工分为严重烧焦和轻微烧焦片,暂存车间;严重烧焦片需转处理片,集中处理;轻微烧焦片可暂存车间,集中附实验单下传, 滴源或烧焦片制绒后返回超净车间,若扩散后再次出现严重烧焦,需做报废处理.

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