硅片清洗工艺采用RCA方法，这是半导体行业硅片的标准清洗步骤： 1) 配制溶液（1：20，本次100ml 2000ml）
2) 硅片支架清洗、吹干待用
3) 取硅片放于支架上，按照顺序放好
4) 配3＃液（硫酸：H2O2=3:1，本次660ml：220ml），硫酸最后加，同时另一容器煮水
5) 用3＃液煮洗，15min，加热至250℃，拎起支架稍凉片刻
6) 将支架放到热水中，冲水
7) 配制1＃液（氨水：H2O2：H2O＝1：1：5-1:1:7），前两者倒入热水中，加热75～85℃，时间10～20min（时间不可太长，因为氨水对硅有腐蚀作用，利用络合作用去除重金属杂质），取出硅片支架，放入1＃液，15min，取出放到热水中，冲水 8) 配制2＃液（HCl：H2O2：H2O＝1：1：5，本次240ml240ml1200ml）前两者倒入热水中。
9) 取出硅片，放入2＃液，15min，取出放热水中，冲水。
10) 10％的(1:20，本次100ml2000ml)时间5～10s，去除硅表面氧化层 11) 去离子水冲洗时间20min
* RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。
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