硅片清洗工艺采用RCA方法,这是半导体行业硅片的标准清洗步骤: 1)配制溶液(1:20,本次100ml2000ml)
3)取硅片放于支架上,按照顺序放好
4)配3#液(硫酸:H2O2=3:1,本次660ml:220ml),硫酸最后加,同时另一容器煮水
5)用3#液煮洗,15min,加热至250℃,拎起支架稍凉片刻
7)配制1#液(氨水:H2O2:H2O=1:1:5-1:1:7),前两者倒入热水中,加热75~85℃,时间10~20min(时间不可太长,因为氨水对硅有腐蚀作用,利用络合作用去除重金属杂质),取出硅片支架,放入1#液,15min,取出放到热水中,冲水 8)配制2#液(HCl:H2O2:H2O=1:1:5,本次240ml240ml1200ml)前两者倒入热水中。
9)取出硅片,放入2#液,15min,取出放热水中,冲水。
10)10%的(1:20,本次100ml2000ml)时间5~10s,去除硅表面氧化层
11)去离子水冲洗时间20min