浅析半导体硅片的超声和兆声清洗技术作者：宋玮来源：《环球市场》2017年第05期 摘要：实际工作中，半导体硅片的清洁程度对太阳能电池的继续发展有着很大的影响，所以人们对半导体硅片清洗的方法提出了更苛刻的要求。半导体硅片在经过切片、倒角、研磨、抛光等加工过程中，表面会受到不同程度的污染，比如颗粒、金属离子以及有机物。基于此，本文将着重分析探讨半导体硅片的超声和兆声清洗技术，以期能为以后的实际工作起到一定的借鉴作用。 关键词：半导体硅片；超声清洗；兆声清洗
1、半导体硅片加工表面污染类型
硅片污染发生的概率比较大，因为在硅片加工过程中，不可能做到无污染的程度。污染途径可能来源于大气、水、使用的化学试剂、人以及加工过程中。污染物可以分为以下几种类型：l）颗粒污染；颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。2）有机物杂质它可以有很多种存在方式，如润滑油、松香、防锈油、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。3）金属污染物。它在硅片上的存在形式有共价键、范德华引力和电子转移三种形式。这会破坏掉氧化层，导致雾状缺陷或微结构缺陷。 2、半导体硅片的超声清洗技术
超声清洗技术的基本原理主要是通过在剧烈的超声作用之下令液体本身产生疏密，疏部环境下会产生空腔泡，也就是能够令分子当中的化学键发生断裂的而一种振动情况。这时候的机械力达到最大的情况下则泡内部就聚集了较大的热量，会令温度继续升高，并促进化学反应进一步发展。
超声清洗主要基于物理清洗工艺角度进行分析，将清洗剂倒入清洗槽当中，并对槽内
进行超声波技术处理。因为超声波属于振动波类型，在进行传播的过程中其截至会在压力的影响发生变化。当物质在负压区域当中时，液体发生撕裂的情况下，则会在真空环境当中产生气泡。而当声压超过一定赋值情况下，这些气泡又会不断增长，正压区域当中的气泡之间发生相互挤压与闭合，液体之间发生碰撞之下也会造成非常强烈的冲击波。尽管在速度以及位移环境上产生的变化相对较小，但是加速度则会较大。这种现象就是我们通常情况下所说的空化效果。超声清洗需要借助于空化效果，其中空化效应是超声清洗技术当中的核心影响因素。通过超声技术处理气泡在爆裂之后能够产生高温以及高压，这种情况下冲击波能够让污染物的粘附性有所减轻，进而引起污染物结构的破坏。与此同时，气泡发生振动也能够直接对污染表面起到清洗效果。气泡进入到裂缝当中发生振动，能够令污染表层发生脱落。超声空化技术在使用的过程中可能会造成污染物表面发生速度低度以及声流，这就可能造成污染物件的边界层进一步受到污染，此时，因为介质支点产生了较为严重的振动，会使得清洗表面也产生振动，从而将污染物去除掉。
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