H03K3/02
1.本发明属于电器领域。本发明与现有技术相比;它们共同的技术特征是:同是以可控硅、蓄能电容器、变压器为产生高压的基本条件,但现有技术在市电时只能产生每秒50个高压脉冲,而本发明则可产生每秒200个高压脉冲;现有技术直流供电不能工作,而本发明则可产生频率更高的高压脉冲。因此可以利用频率高这一特性去再生更高的高压。
2.使用本发明的技术特征是:由两只可控硅分别对蓄能电容器进行快速,充电与放电,且二可控硅依次循环工作。
本发明属于电器领域。
目前高压技术广泛用于工业生产及其他领域,但就现实技术所提供的电压有限,已不能满足需要。本发明可提供理想的高压电源。
本发明与现有技术相比,在同等条件下具有能量大、电压高之特点。可产生千瓦级、高频率、数十万伏的高压。
本发明技术要点:
本发明是利用触发电路与蓄能电容器串、并联结构控制可控硅导通角或导通时间,进行充、放电原理而设计。电路设计无极性、交、直流供电均可。
1、充电电路。
由SCR1、L对C充电。触发电路由R1、C1、ST1与C串联构成。
2、放电电路。
由SCR2、C对L放电。触发电路由R2、ST2与C并联构成。
本电路在电源为50HZ市电时,每秒可产生200个高压脉冲:电源为直流时,调整其适应触发时间则可产生频率更高的高压脉冲。
附图为《高压电源》电原理图。
本文发布于:2024-09-24 12:23:15,感谢您对本站的认可!
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