一种基于集成功率高压MOSFET构成BUCK辅助电源电路

本实用新型涉及非隔离低压直流电源输出，具体是指将远远高于需求的直流输入电压通过BUCK电路，将该电压转换为较低的直流电压的应用。该电路特别适合辅助电源的应用。其特点是输入电压范围宽，可达50V～500v范围，具有电路简洁、成本低、效率高的特点。

目前，几乎所有电子设备都需要开关电源供电。开关电源的应用几乎涵盖各行各业。开关电源的设计往往需要体积小，成本低，效率高的特点。由于开关电源的控制部分使用的是低压器件，因此在开关电源的设计过程中需要将电源输入的变化范围较大的高电压，转换成稳压的低电压。这就是所谓的辅助电源设计。如何进行简单、可靠、高效的辅助电源设计是产生本实用新型的技术背景。

为了降低成本，传统的单片控制IC+功率MOSFET+变压器构成反激变换电路。相比较本实用新型，其电路复杂、成本较高。

一种基于集成功率高压MOSFET构成BUCK辅助电源电路，该电路采用通用集成高压MOSFET控制IC，采用本电路即可以实现BUCK辅助电源电路，其特征在于：

本实用新型集成功率高压MOSFET(U1)输出的S信号连接于电感L1 的输入端，电感L1的输出端与地间并联一个电容C2构成一个BUCK电路的输出端，该端即为稳定辅助电源电压输出端VCC；二极管D2并联在电感L1与地之间。

二极管D1的正端与稳定电压输出端VCC连接，二极管D1的负端分两个支路：一个支路连接电容C1，电容C1的另一端与集成功率高压MOSFET(U1)的源极S连接；另一个支路连接一个电阻R2，电阻R2的另一端连接于集成功率高压MOSFET的BP/M端。

电阻R1与稳压二极管ZD1的负极串联再与光电耦合器OP1的发光二极管正极串联，该支路并联到稳定电压输出端VCC与地之间构成反馈电路。

图1是本实用新型的整体结构框图；

图2是本实用新型电路原理图。

下面结合附图以最佳实施例对本实用新型做进一步详细说明；

在图1中，本实用新型包括1：集成功率高压MOSFET，2：BUCK电压抑制电路，3：集成功率高压MOSFET自供电电路，4：光耦反馈电路，5：续流电路。其中集成功率高压MOSFET是控制核心，内部包括PWM电路和功率MOSFET器件。传统应用是将内部MOSFET的源极S接地构成反激变换模式。而本实用新型与传统方式应用不同，本应用是将源极S作为BUCK的输入端连接到一个储能电感。

图2是本实用新型电路原理图。

集成功率高压MOSFET(U1)输出的源极S信号连接于L1的输入端，L1的输出端与地间并联一个电容C2构成一个BUCK电路的输出端，该端即为稳定辅助电源电压输出端。D1并联在L1与地之间构成续流电路。

二极管D1的正端与稳定电压输出端VCC连接，负端与集成功率高压MOSFET(U1)的源极S并联一个电容C1，构成集成功率高压MOSFET自供电电路。二极管D1的负端与集成功率高压MOSFET的BP/M端串联一个电阻R2，使得C1的电压给集成功率高压MOSFET供电。集成功率高压MOSFET的BP/M端与集成功率高压MOSFET的S端并联电容C3，用于对R2的供电滤波和内部恒流源储能。

R1与ZD1的负极串联再与OP1的发光二极管正极串联。该支路并联到稳定电压输出端VCC与地之间构成光耦反馈电路。光耦的次级集电极连接集成功率高压MOSFET(U1)的EN/UV脚，光耦的发射机连接到集成功率高压MOSFET(U1)的S脚。