一种封装方法及结构与流程

1.本发明涉及半导体领域，更具体的说，涉及一种封装方法及结构。

背景技术：

2.声表面波滤波器的工作原理要求晶圆叉指换能器表面必须形成空腔，不能被异物污染。为了实现该要求，常见的封装方法是在晶圆完成贴装后，在其周围覆上环氧树脂膜，以此和基板形成一个隔绝空间，来避免异物或者模塑料污染叉指换能器。该工艺的缺点是需要额外的环氧树脂膜，且环氧树脂膜有破裂风险。
3.射频模组在设计的过程中要考虑滤波器彼此间的电磁干扰，在基板上设计额外的金属焊盘，通过引线键合结合点胶固定的方式来固定金属线或者添加屏蔽罩等方式实现引出金属线和屏蔽罩相连，工艺复杂。

技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供了一种封装方法及结构，方案如下：一种封装方法，所述封装方法包括：提供晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；形成电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。
5.优选的，在上述封装方法中，所述第四区域包括：包围所述第三区域的第一子区域以及包围所述第一子区域的第二子区域；形成所述电磁屏蔽层的方法包括：在所述第一表面、所述晶圆的侧壁、所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁和所述第四区域上形成第一屏蔽层；刻蚀位于所述第四区域的所述第一屏蔽层，以去除位于所述第二子区域表面的所述第一屏蔽层，以形成所述电磁屏蔽层。
6.优选的，在上述封装方法中，所述封装方法还包括：在形成所述电磁屏蔽层后，在所述电磁屏蔽层背离所述晶圆的一侧和所述第二子区域上形成环氧树脂层。
7.优选的，在上述封装方法中，将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定的方法包括：将所述第一区域中的功能器件与所述第三区域中的互连电路相对电连接固定；所述第三区域包括第三子区域以及包围所述第三子区域的第四子区域，将所述第
二区域与所述第四子区域相对密封固定。
8.优选的，在上述封装方法中，所述第一区域具有与所述功能器件电连接的第一信号焊盘；所述互连电路位于所述第三子区域，且具有第二信号焊盘；将所述第一信号焊盘与所述第二信号焊盘焊接，以将所述第一区域中的功能器件与所述第三区域中的互连电路相对电连接固定。
9.优选的，在上述封装方法中，所述第二区域具有第一封装焊盘；所述第四子区域具有第二封装焊盘；将所述第一封装焊盘与所述第二封装焊盘相对固定焊接，以将所述第二区域与所述第四子区域相对密封固定。
10.优选的，在上述封装方法中，所述第一封装焊盘与所述第二封装焊盘均为环形焊盘；所述第一封装焊盘的垂直投影位于所述第二封装焊盘的区域内。
11.优选的，在上述封装方法中，所述第一封装焊盘的内边缘到外边缘的距离与所述第二封装焊盘的内边缘到外边缘的距离之比为1：1.1，且所述第二封装焊盘的内边缘到外边缘的距离大于0.2mm。
12.本技术还提出了一种封装结构，所述封装结构包括：晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；所述第二表面与所述第三表面相对电连接固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。
13.优选的，在上述封装结构中，所述第四区域包括：包围所述第三区域的第一子区域以及包围所述第一子区域的第二子区域，所述封装结构还包括：位于所述电磁屏蔽层背离所述晶圆的一侧和所述第二子区域上的环氧树脂层。
14.基于上述可知，本技术提出了一种封装方法及结构，所述封装方法包括：提供晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；形成电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。在上述封装方法中，将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定，以使得所述晶圆与所述基板相对电连接并固定，从而在所述晶圆和所述基板之间形成密闭空间，即所述封装方法通过利用所述晶圆和所述基板形成的密闭空间来替代覆膜工艺，且在所述晶圆背离所述基板的一侧形成所述电磁屏蔽层，通过所述电磁屏蔽层和所述晶圆的切割道的金属形成互连，从而实现电磁屏蔽。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
16.本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
17.图1-图5为本技术一实施例提供的一种封装方法的工艺流程图；图6为本技术一实施例提供的一种封装方法的方法流程图；图7为本技术另一实施例提供的一种封装方法的方法流程图；图8为基于本技术另一实施例提供的一种封装方法形成的封装结构的结构剖面图。
具体实施方式
18.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
19.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
20.参考图1-图6，图1-图5为本技术一实施例提供的一种封装方法的工艺流程图，图6为本技术一实施例提供的一种封装方法的方法流程图，所述封装方法包括：步骤s11：如图1所示，提供晶圆1以及基板2；所述晶圆1包括相对的第一表面s1和第二表面s2；所述基板2包括相对的第三表面s3和第四表面s4；所述第二表面s2具有第一区域a1以及包围所述第一区域a1的第二区域a2，所述第一区域a1具有功能器件；所述第三表面s3包括第三区域a3以及包围所述第三区域a3的第四区域a4，所述第三区域a3具有互连电路；步骤s12：如图2所示，将所述第二表面s2与所述第三表面s3相对电连接并固定；所述晶圆1在所述第三表面s3的垂直投影位于所述第三区域a3内；步骤s13：如图3-图5所示，形成电磁屏蔽层3，所述电磁屏蔽层3覆盖所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁以及所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁。
21.本实施例中所述晶圆1为经过晶圆测试（cp测试）的晶圆，且所述晶圆1可以为钽酸锂衬底，也可以为铌酸锂或其他材质。
22.基于上述可知，在本技术一实施例所述封装方法中，是通过将所述晶圆1的所述第二表面s2与所述基板2的所述第三表面s3相对电连接固定，以使得所述晶圆1与所述基板2相对电连接并固定，以在所述晶圆1和所述基板2之间形成密闭空间，无需对所述晶圆1与所述基板2进行覆膜封装，即所述封装方法通过利用所述晶圆1和所述基板2形成的密闭空间
来替代覆膜工艺，且在所述晶圆1背离所述基板2的一侧形成所述电磁屏蔽层3，从而通过所述电磁屏蔽层3和所述晶圆1的切割道的金属形成互连，实现电磁屏蔽。
23.如图7所示，图7为本技术另一实施例提供的一种封装方法的方法流程图，在本技术另一实施例中，所述第四区域a4包括：包围所述第三区域a3的第一子区域a41；包围所述第一子区域a41的第二子区域a42。
24.形成所述电磁屏蔽层3的方法可以包括：步骤s131：如图3所示，在所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁、所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁和所述第四区域a4上形成第一屏蔽层31；步骤s132：如图4和图5所示，刻蚀位于所述第四区域a4的所述第一屏蔽层31，以去除位于所述第二子区域a42表面的所述第一屏蔽层31，以形成所述电磁屏蔽层3。
25.在本技术另一实施例所述的封装方法中，形成所述电磁屏蔽层3的方法具体包括：如图3所示，在所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁、所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁和所述第四区域a4上物理气相沉积形成所述第一屏蔽层31；如图4所示，确定所述电磁屏蔽层3的图形；基于所述电磁屏蔽层3的图形，在所述第一屏蔽层31背离所述晶圆1的一侧涂覆形成图形化的光刻胶膜层9，所述光刻胶膜层9覆盖位于所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁、所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁和所述第一子区域a41的所述第一屏蔽层31；如图5所示，曝光、显影后，对位于所述第二子区域a42的所述第一屏蔽层31刻蚀形成所述电磁屏蔽层3；形成所述电磁屏蔽层3后去除所述光刻胶膜层9。其中，在本实施例中，刻蚀所述第一屏蔽层31是为了图形化所述第一屏蔽层31，以保留所述晶圆1的第一表面s1和侧壁的所述第一屏蔽层31，形成所述电磁屏蔽层3。所述第一屏蔽层31为物理气相金属层，第一层为钛，第二层为铜，其中，所述第一层主要用于隔离，所述第二层用于增强粘附性，且所述第一屏蔽层31的形成方法包括但不限于物理气相沉积。所述第一屏蔽层31沉积的金属包括但不限于钛、铜等金属，通常情况下所述第二层为铜层。所述光刻胶膜层9是通过涂覆得到的光敏树脂膜层，且基于所述电磁屏蔽层3的图形在所述第一屏蔽层31上涂覆所述光刻胶膜层9是为了在刻蚀所述第四区域a4的所述第一屏蔽层31时保护位于所述光刻胶膜层9下方的所述第一屏蔽层31。
26.如图7和图8所示，图8为基于本技术另一实施例提供的一种封装方法形成的封装结构的结构剖面图，本技术另一实施例所述封装方法中，所述封装方法还包括：步骤s14：如图8所示，在形成所述电磁屏蔽层3后，在所述电磁屏蔽层3背离所述晶圆1的一侧和所述第二子区域a42上形成环氧树脂层8。
27.参考图8，在本技术另一实施例所述封装方法中，所述封装方法还包括：形成所述电磁屏蔽层3后，在所述电磁屏蔽层3背离所述晶圆1的一侧和所述第二子区域a42上注塑环氧树脂，切割，形成所述环氧树脂层8，以完成所述晶圆1、所述基板2和所述电磁屏蔽层3整体的封装。
28.在上述实施例所述的封装方法中，将所述第二表面s2与所述第三表面s3相对电连接并固定的方法包括：将所述第一区域a1中的功能器件与所述第三区域a3中的互连电路相对电连接固定；所述第三区域a3包括第三子区域a31以及包围所述第三子区域a31的第四子区域
a32，将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定。
29.在上述实施例所述的封装方法中，在所述第一区域a1具有所述功能器件，在所述第三区域a3具有所述互联电路，且所述第三区域a3包括第三子区域a31以及包围所述第三子区域a31的第四子区域a32。在上述封装方法中的将所述第二表面s2与所述第三表面s3相对电连接并固定的方法包括：将所述第一区域a1中的功能器件与所述第三区域a3中的互连电路相对电连接固定；将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定。其中，将所述功能器件与所述互联电路相对电连接固定是将所述晶圆1与所述基板2连通；将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定，从而使得所述晶圆1和所述基板2之间形成密闭空间，无需后续对所述晶圆1与所述基板2进行覆膜封装，减少了工艺流程的同时避免了后续封装过程中覆膜破裂问题。
30.参考图2，在上述实施例所述封装方法中，所述第一区域a1具有与所述功能器件电连接的第一信号焊盘4；所述互连电路位于所述第三子区域a31，具有第二信号焊盘5；将所述第一信号焊盘4与所述第二信号焊盘5焊接，以将所述第一区域a1中的功能器件与所述第三区域a3中的互连电路相对电连接固定。
31.参考图2，在上述实施例所述封装方法中，在所述第一区域a1具有多个与所述功能器件电连接的所述第一信号焊盘4，在所述第三子区域a31具有多个所述第二信号焊盘5，而将所述第一区域a1的功能器件与所述第三区域a3中的互联通电路相对电连接固定的方法包括：在所述第一信号焊盘4或所述第二信号焊盘5上印刷锡膏10；将所述第一信号焊盘4与所述第二信号焊盘5通过所述锡膏10进行焊接。其中，所述封装方法中的所述第一信号焊盘4的材质为金属铝，所述第二信号焊盘5的材质为镍层表面镀金层，且所述第一信号焊盘4与所述第二信号焊盘5的材质可以相同，但所述第一信号焊盘4和所述第二信号焊盘5的材质包括但不限于上述材料。且在垂直于所述基板2的方向上，所述第一信号焊盘4和所述第二信号焊盘5的位置需要一一对应。
32.参考图2，在上述实施例所述封装方法中，所述第二区域a2具有第一封装焊盘6；所述第四子区域a32具有第二封装焊盘7；将所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7相对固定焊接，以将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定。
33.参考图2，在上述实施例所述的封装方法中，所述第二区域a2具有第一封装焊盘6；所述第四子区域a32具有第二封装焊盘7，而将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定的方法包括：在所述第一封装焊盘6或所述第二封装焊盘7上印刷锡膏10；将所述第一封装焊盘6和所述第二封装焊盘7基于所述锡膏10进行焊接。其中，所述第一封装焊盘6和所述第二封装焊盘7均为金属焊盘，且所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7的大小基于所述晶圆1的大小来确定。
34.在上述实施例所述封装方法中，所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7均为环形焊盘；所述第一封装焊盘6的垂直投影位于所述第二封装焊盘7的区域内。
35.在上述实施例所述封装方法中，通过将所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7相对固定焊接，从而将所述第二区域a2与所述第四子区域a32相对密封固定。其中，所述第一封装焊盘6和所述第二封装焊盘7均为环形焊盘，所述第一封装焊盘6具有第一垂直投影，所述第二封装焊盘7具有第二垂直投影，且所述第一封装焊盘6的内边缘到外边缘的距离小
于所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离，从而使得所述第一垂直投影位于所述第二垂直投影内，且在将所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7焊接时，最优选的所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7的相对位置为：所述第一垂直投影的内边缘到所述第二垂直投影的内边缘的距离等于所述第一垂直投影的外边缘到所述第二垂直投影的外边缘的距离。在所述封装方法中，所述第一封装焊盘6位于所述第二区域a2中，所述第二封装焊盘7位于所述第四子区域a32中，所述第二区域a2为围绕所述第一区域a1的环形区域，所述第四子区域a32为围绕所述第三子区域a31的环形区域，所述第一封装焊盘6为所述第二区域a2的等比例放大或缩小的环形，所述第二封装焊盘7为所述第四子区域a32的等比例放大或缩小的环形，即将所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7焊接后，在所述晶圆1与所述基板2之间形成密闭空间。
36.在上述实施例所述封装方法中，所述第一封装焊盘6的内边缘到外边缘的距离与所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离之比为1：1.1，且所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离大于0.2mm。
37.在上述实施例所述封装方法中，所述第一封装焊盘6与所述第二封装焊盘7均为环形焊盘，且所述第一封装焊盘6的垂直投影位于所述第二封装焊盘7的区域内，即所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离大于所述第一封装焊盘6的内边缘到外边缘的距离。其中，所述第一封装焊盘6的内边缘到外边缘的距离与所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离之比为1：1.1，且所述第二封装焊盘7的内边缘到外边缘的距离大于0.2mm。
38.参考图8，本技术又一实施例还提出了一种封装结构，所述封装结构包括：晶圆1以及基板2；所述晶圆1包括相对的第一表面s1和第二表面s2；所述基板2包括相对的第三表面s3和第四表面s4；所述第二表面s2具有第一区域a1以及包围所述第一区域a1的第二区域a2，所述第一区域a1具有功能器件；所述第三表面s3包括第三区域a3以及包围所述第三区域a3的第四区域a4，所述第三区域a3具有互连电路；所述第二表面s2与所述第三表面s3相对电连接固定；所述晶圆1在所述第三表面s3的垂直投影位于所述第三区域a3内；电磁屏蔽层3，所述电磁屏蔽层3覆盖所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁以及所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁。
39.参考图8，本技术又一实施例所述封装结构中位于所述第一区域a1的所述功能器件具有叉指换能器11。且在所述第二区域a2具有与所述叉指换能器11同材质、同层且同时形成的第一金属块12，且在裸露的所述第二表面s2、所述功能器件区以及所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁形成的钝化层13。
40.参考图8，在上述实施例所述封装结构中，所述第四区域a4包括：包围所述第三区域a3的第一子区域a41；包围所述第一子区域a41的第二子区域a42；所述封装结构还包括：位于所述电磁屏蔽层3背离所述晶圆1的一侧和所述第二子区域a42上的环氧树脂层8。
41.基于上述实施例可知，本技术通过在所述第二区域a2设置所述第一封装焊盘6，所述第四子区域a32设置所述第二封装焊盘7，且所述第一封装焊盘6和所述第二封装焊盘7均为环形焊盘，将所述第一封装焊盘6和所述第二封装焊盘7焊接后，使得所述第二表面s2与所述第三表面s3相对电连接并固定，以使得所述晶圆1和所述基板2之间形成密闭空间。由此可知，所述封装方法通过锡膏印刷、利用焊接的方式将所述晶圆1上的所述第一封装焊盘
6和所述基板2上的第二封装焊盘7形成有效焊接，使得所述晶圆1和所述基板2之间形成密闭空间，以此来替代覆膜工艺。同时通过物理气相沉积的方法，在所述第一表面s1、所述晶圆1的侧壁以及所述晶圆1与所述基板2之间固定连接位置的侧壁沉积所述电磁屏蔽层3来和所述晶圆1的切割道的金属形成互连实现电磁屏蔽。且在垂直于所述基板2的方向上，在所述基板2的第四表面s4具有与所述第三表面s3的所述第二信号焊盘5相对应连通的第二信号焊盘5，所述第四表面s4的所述第二信号焊盘5用于与外部电路连通。
42.本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的结构而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
43.需要说明的是，在本技术的描述中，需要理解的是，幅图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书实施例的同样的幅图标记标识同样的结构。另外，处于理解和易于描述，幅图可能夸大了一些层、膜、面板、区域等厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其他元件上或者可以存在中间元件。另外，“在
…
上”是指将元件定位在另一元件上或者另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。
44.术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
45.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
46.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：

1.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；形成电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第四区域包括：包围所述第三区域的第一子区域以及包围所述第一子区域的第二子区域；形成所述电磁屏蔽层的方法包括：在所述第一表面、所述晶圆的侧壁、所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁和所述第四区域上形成第一屏蔽层；刻蚀位于所述第四区域的所述第一屏蔽层，以去除位于所述第二子区域表面的所述第一屏蔽层，以形成所述电磁屏蔽层。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在形成所述电磁屏蔽层后，在所述电磁屏蔽层背离所述晶圆的一侧和所述第二子区域上形成环氧树脂层。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定的方法包括：将所述第一区域中的功能器件与所述第三区域中的互连电路相对电连接固定；所述第三区域包括第三子区域以及包围所述第三子区域的第四子区域，将所述第二区域与所述第四子区域相对密封固定。5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述第一区域具有与所述功能器件电连接的第一信号焊盘；所述互连电路位于所述第三子区域，且具有第二信号焊盘；将所述第一信号焊盘与所述第二信号焊盘焊接，以将所述第一区域中的功能器件与所述第三区域中的互连电路相对电连接固定。6.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述第二区域具有第一封装焊盘；所述第四子区域具有第二封装焊盘；将所述第一封装焊盘与所述第二封装焊盘相对固定焊接，以将所述第二区域与所述第四子区域相对密封固定。7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第一封装焊盘与所述第二封装焊盘均为环形焊盘；所述第一封装焊盘的垂直投影位于所述第二封装焊盘的区域内。8.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第一封装焊盘的内边缘到外边缘的距离与所述第二封装焊盘的内边缘到外边缘的距离之比为1：1.1，且所述第二封装焊盘的内边缘到外边缘的距离大于0.2mm。9.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三
表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；所述第二表面与所述第三表面相对电连接固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第四区域包括：包围所述第三区域的第一子区域以及包围所述第一子区域的第二子区域，所述封装结构还包括：位于所述电磁屏蔽层背离所述晶圆的一侧和所述第二子区域上的环氧树脂层。

技术总结

本申请公开了一种封装方法及结构，所述封装方法包括：提供晶圆以及基板；所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面；所述基板包括相对的第三表面和第四表面；所述第二表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述第一区域具有功能器件；所述第三表面包括第三区域以及包围所述第三区域的第四区域，所述第三区域具有互连电路；将所述第二表面与所述第三表面相对电连接并固定；所述晶圆在所述第三表面的垂直投影位于所述第三区域内；形成电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述第一表面、所述晶圆的侧壁以及所述晶圆与所述基板之间固定连接位置的侧壁。上述封装方法利用晶圆与基板形成密闭空间，且在所述第一表面形成电磁屏蔽层，实现电磁屏蔽。实现电磁屏蔽。实现电磁屏蔽。