一种基于浪涌保护电路的大功率低噪音电子镇流器

本发明涉及一种镇流器，具体是指一种基于浪涌保护电路的大功率低噪音 电子镇流器。

随着社会的发展，镇流器已被广泛的应用于日光灯上，镇流器可以使输入 电流稳定在灯管的额定电流范围内，而灯管两端的电压也被稳定在额定的工作 电压范围内，起到降压限流的作用，不仅保护了日光灯，而且使日光灯的照明 效果更好。然而，传统的镇流器容易受到电磁干扰信号的影响，导致其稳定性 低，这严重的影响了日光灯的使用寿命。

本发明的目的在于克服传统的镇流器容易受到电磁干扰信号影响的缺陷， 提供一种基于浪涌保护电路的大功率低噪音电子镇流器。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种基于浪涌保护电路的大功率低 噪音电子镇流器，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器 U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容 C1，与电容C1的正极相连接的浪涌保护电路，与电容C1的负极相连接的电磁 滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相 连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻 R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与处理芯 片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚相连接 的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成；所述处理芯片 U的VCC管脚和HV管脚均与浪涌保护电路相连接、其VB管脚和VS管脚均 与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。

进一步的，所述功率放大电路由三极管VT6，放大器P1，放大器P2，三极 管VT7，一端与三极管VT6的基极相连接、另一端作为该功率放大电路的输入 端的电阻R14，串接在三极管VT6的集电极和放大器P1的正极之间的电阻R15， 串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R16，正极与三极管VT6的发射极 相连接、负极与放大器P2的正极相连接的电容C9，P极与三极管VT6的发射 极相连接、N极与放大器P2的负极相连接的二极管D6，正极与放大器P2的负 极相连接、负极经电阻R18后与放大器P1的输出端相连接的电容C10，串接在 放大器P2的输出端和三极管VT7的发射极之间的电阻R17，P极与放大器P2 的正极相连接、N极与三极管VT7的基极相连接的二极管D7，正极与放大器 P1的输出端相连接、负极与三极管VT7的集电极相连接的电容C11，以及P极 与三极管VT7的集电极相连接、N极作为该功率放大电路的输出端的二极管D8 组成；所述放大器P2的负极和放大器P1的负极均接地；所述功率放大电路的 输入端与电容C1的负极相连接。

所述浪涌保护电路由三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS1，场效应 管MOS2，一端与场效应管MOS1的漏极相连接、另一端作为该浪涌保护电路 的输入端的电阻R9，串接在场效应管MOS1的源极和栅极之间的电阻R10，正 极与场效应管MOS1的源极相连接、负极经电阻R12后与场效应管MOS2的栅 极相连接的电容C8，N极与场效应管MOS2的漏极相连接、P极经电阻R13后 接地的二极管D5，串接在三极管VT4的基极和三极管VT5的基极之间的电阻 R11，以及P极与三极管VT4的发射极相连接、N极则与三极管VT5的基极相 连接的二极管D4组成；所述三极管VT4的基极接地、其集电极则与场效应管 MOS1的栅极相连接；所述三极管VT5的集电极与场效应管MOS1的栅极相连 接、其发射极则与二极管D5的P极相连接；所述场效应管MOS2的源极与场 效应管MOS1的源极相连接、其栅极则与三极管VT5的集电极相连接、其漏极 作为该浪涌保护电路的输出端；所述浪涌保护电路的输入端与电容C1的正极相 连接、其输出端则与处理芯片U1的VCC管脚相连接。

所述电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VT1，串接在场效应管MOS 的漏极和栅极之间的电阻R1，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极则与三 极管VT1的发射极相连接的二极管D1，正极与场效应管MOS的源极相连接、 负极则与三极管VT1的基极相连接的电容C2，负极与三极管VT1的集电极相 连接、正极则与变压输出电路相连接的电容C3，P极与三极管VT1的发射极相 连接、N极则与处理芯片U1的CT管脚相连接的二极管D2，以及正极与三极 管VT1的发射极相连接、负极则与处理芯片U1的SGND管脚相连接的同时接 地的电容C4组成；所述电容C1的负极与场效应管MOS的栅极相连接；所述 场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片U1的RT管脚相连接。

所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，串接在三极管 VT2的集电极和处理芯片U1的VB管脚之间的电阻R5，正极与三极管VT2的 集电极相连接、负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接的电容C5，正极 与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连 接的电容C6，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、负极则与变压器T的 原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地的电容C7，以及串接在电容C3的 正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7组成；所述三极管VT2 的基极与处理芯片U1的VS管脚相连接、其发射极接地；所述三极管VT3的集 电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。

所述处理芯片U1为GR6953集成芯片。

本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明可以把工作中产生的电磁干扰信号进行抑制，降低电磁干扰信 号对本发明的影响，极大的提高了本发明的稳定性，使日光灯可以稳定的工作， 从而延长了日光灯的工作寿命。

(2)本发明可以对电压进行限压，当出现瞬时高电压时其可以把高电压压 制在安全的电压范围值内，从而保护本发明使本发明不被瞬时高电压损坏。

(3)本发明可以放大其输出功率，从而可以满足大功率日光灯的工作需求， 扩大了本发明的适用范围。

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的浪涌保护电路的结构图。

图3为本发明的功率放大电路的结构图。

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限 于此。

实施例

如图1所示，本发明主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管 整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接 的电容C1，与电容C1的正极相连接的浪涌保护电路，与电容C1的负极相连接 的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波 电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的 电阻R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与 处理芯片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚 相连接的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成。

所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与浪涌保护电路相连接、其VB 管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤 波电路相连接。为了更好的实施本发明，所述处理芯片U1优选GR6953集成芯 片来实现。

进一步的，该电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VT1，电阻R1，电 容C2，电容C3，电容C4，二极管D1以及二极管D2组成。

连接时，电阻R1串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间。二极管D1的P 极与场效应管MOS的漏极相连接、其N极则与三极管VT1的发射极相连接。 电容C2的正极与场效应管MOS的源极相连接、其负极则与三极管VT1的基极 相连接。电容C3的负极与三极管VT1的集电极相连接、其正极则与变压输出 电路相连接。二极管D2的P极与三极管VT1的发射极相连接、其N极则与处 理芯片U1的CT管脚相连接。电容C4的正极与三极管VT1的发射极相连接、 其负极则与处理芯片U1的SGND管脚相连接的同时接地。

同时，所述电容C1的负极分别与场效应管MOS的栅极和功率放大电路的 输入端相连接。所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片U1的RT 管脚相连接。

另外，所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，电阻R5， 电阻R6，电阻R7，电阻R8，电容C5，电容C6以及电容C7组成。

连接时，电阻R5串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U1的VB管脚之 间。电容C5的正极与三极管VT2的集电极相连接、其负极经电阻R6后与三极 管VT3的基极相连接。电容C6的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极 经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接。电容C7的正极与变压器T的原边 电感线圈的同名端、其负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的 同时接地。电阻R7串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端 之间。所述三极管VT2的基极与处理芯片U1的VS管脚相连接、其发射极接地。 所述三极管VT3的集电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。

如图2所示，该浪涌保护电路由三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS1， 场效应管MOS2，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电容 C8，二极管D4以及二极管D5组成。

连接时，电阻R9的一端与场效应管MOS1的漏极相连接、其另一端作为该 浪涌保护电路的输入端并与电容C1的正极相连接。电阻R10串接在场效应管 MOS1的源极和栅极之间。电容C8的正极与场效应管MOS1的源极相连接、其 负极经电阻R12后与场效应管MOS2的栅极相连接。二极管D5的N极与场效 应管MOS2的漏极相连接、其P极经电阻R13后接地。电阻R11串接在三极管 VT4的基极和三极管VT5的基极之间。二极管D4的P极与三极管VT4的发射 极相连接、其N极则与三极管VT5的基极相连接。

同时，所述三极管VT4的基极接地、其集电极则与场效应管MOS1的栅极 相连接。所述三极管VT5的集电极与场效应管MOS1的栅极相连接、其发射极 则与二极管D5的P极相连接。所述场效应管MOS2的源极与场效应管MOS1 的源极相连接、其栅极则与三极管VT5的集电极相连接、其漏极作为该浪涌保 护电路的输出端并与处理芯片U1的VCC管脚相连接。

如图3所示，该功率放大电路由三极管VT6，放大器P1，放大器P2，三极 管VT7，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电容C9，电 容C10，电容C11，二极管D6，二极管D7以及二极管D8组成。

连接时，电阻R14的一端与三极管VT6的基极相连接、其另一端作为该功 率放大电路的输入端并与电容C1的负极相连接。电阻R15串接在三极管VT6 的集电极和放大器P1的正极之间。电阻R16串接在放大器P1的正极和输出端 之间。电容C9的正极与三极管VT6的发射极相连接、其负极与放大器P2的正 极相连接。二极管D6的P极与三极管VT6的发射极相连接、其N极与放大器 P2的负极相连接。电容C10的正极与放大器P2的负极相连接、其负极经电阻 R18后与放大器P1的输出端相连接。电阻R17串接在放大器P2的输出端和三 极管VT7的发射极之间。二极管D7的P极与放大器P2的正极相连接、其N极 与三极管VT7的基极相连接。电容C11的正极与放大器P1的输出端相连接、 其负极与三极管VT7的集电极相连接。二极管D8的P极与三极管VT7的集电 极相连接、其N极作为该功率放大电路的输出端。所述放大器P2的负极和放大 器P1的负极均接地。所述功率放大电路的输入端与电容C1的负极相连接。日 光灯则串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和功率放大电路的输出端之间。

工作时，本发明对工频电源全波整流和功率因素校正后，使工频电源变为 直流电源，直流电源经过变换后，输出20K-100KHZ的高频交流电源，从而保 证日光灯获得正常工作所需的电压和电流。本发明可以把工作中产生的电磁干 扰信号进行抑制，降低电磁干扰信号对本发明的影响，极大的提高了本发明的 稳定性，使日光灯可以稳定的工作，从而延长了日光灯的工作寿命。同时，本 发明可以对电压进行限压，当出现瞬时高电压时其可以把高电压压制在安全的 电压范围值内，从而保护本发明使本发明不被瞬时高电压损坏。本发明还可以 满足大功率日光灯的工作需求。

如上所述，便可以很好的实现本发明。