一种4K光刻的方法与流程

一种4k光刻的方法
技术领域
1.本发明属于光刻机技术领域，尤其涉及一种4k光刻的方法。

背景技术：

2.光刻技术在微纳加工和当代集成电路领域是一种不可或缺的技术，常见的光刻技术包含接触式、接近式和投影式。接触式会导致掩模板的污染，接近式由于引入间隙，对于工艺水平提高了更高的要求。投影式则能够有效地避免了以上的问题，同时对于光刻图形的设计具有更高的灵活性。常见的有激光直写和dmd投影两种方式，dmd投影光刻采用的是图形拼接技术，所以在效率上有着更加明显的优势。目前dmd的最高分辨率为2560*1600，无法实现单个dmd的4k光刻，硬件的限制使其在工作时的精度无法进一步提高。

技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种4k光刻的方法。
4.为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
5.一种4k光刻的方法，包括以下步骤：
6.步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；
7.步骤2：通过二向镜后进行合束，再通过聚焦透镜组聚焦在匀光透镜组的入射端面；
8.步骤3：通过匀光透镜组出来的光是均匀的发散光，再通过第三准直透镜组，变成均匀的准直光；
9.步骤4：通过第一分光片，将光透射到第一光掩模板上；
10.步骤5：在步骤4基础上，通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成错位重合；
11.步骤6：将重合的第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；
12.步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移，最后，反射到相机中的光可以对样品进行4k的实时成像观测。
13.优选地，所述的一种4k光刻的方法，所述第一光掩模板和第二光掩模板的分辨率为相同的分辨率。
14.优选地，所述的一种4k光刻的方法，所述步骤5中第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成的错位重合为边角的错位重叠。
15.优选地，所述的一种4k光刻的方法，所述第一光掩模板可与4个第二光掩模板的边角进行错位重叠。
16.优选地，所述的一种4k光刻的方法，所述步骤5中的第一光掩模板上面的信息为图
形结构。
17.借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
18.1、本发明相比于传统接触式的掩模板，不会污染光掩模板，同时灵活性更高；
19.2、本发明相比于激光直写，其工作效率更高；
20.3、本发明通过使用两块相同分辨率的光掩模板，并在对角线方向上进行错位放置，可以实现四倍的分辨率的效果，从而达到更高精度光刻。使其能达到4k分辨率的光刻。
21.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
22.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
23.图1是本发明的结构示意图。
24.图2是本发明的第一光掩模板和第二光掩模板结合的结构示意图。
具体实施方式
25.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
26.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
27.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
28.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
29.实施例
30.如图1所示，一种用于4k光刻的设备，其中，第一准直透镜组1、第二准直透镜组2，紫外光穿透第一准直透镜组1至二向镜3，指引光穿透第二准直透镜组2至二向镜3，通过二向镜3合并后的紫外光和指引光穿透聚焦透镜组4、匀光透镜组5、第三准直透镜组6至第一分光片7上，所述第一分光片7输出至第一光掩模板8上，所述第一光掩模板8通过第一分光片7和第二分光片9输出至第二光掩模板10上，所述第二光掩模板10再通过第二分光片9、第三分光片11和第四分光片12照射至产品上，相机13通过第四分光片12拍摄至产品
上。
31.在上述的过程中，第一光掩模板在第一分光镜的作用下，将其得到的信息部分重叠在第二光掩模板上，其中，如图2所示，第一光掩模板显示的信息位于第二光掩模板的上方，第一光掩模板的4个边角和第二光掩模板不同位置单元的边角相错位重叠。
32.依据上述的结构提出
33.一种4k光刻的方法，包括以下步骤：
34.步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；
35.步骤2：通过二向镜后进行合束，再通过聚焦透镜组聚焦在匀光透镜组的入射端面；
36.步骤3：通过匀光透镜组出来的光是均匀的发散光，再通过第三准直透镜组，变成均匀的准直光；
37.步骤4：通过第一分光片，将光透射到第一光掩模板上；
38.步骤5：在步骤4基础上，通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成错位重合；
39.步骤6：将重合的第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；
40.步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移，最后，反射到相机中的光可以对样品进行4k的实时成像观测。
41.本发明中所述第一光掩模板和第二光掩模板的分辨率为相同的分辨率。
42.本发明中所述步骤5中第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成的错位重合为边角的错位重叠。
43.本发明中所述第一光掩模板可与4个第二光掩模板的边角进行错位重叠。
44.本发明中所述步骤5中的第一光掩模板上面的信息为图形结构。
45.以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

技术特征：

1.一种4k光刻的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；步骤2：通过二向镜后进行合束，再通过聚焦透镜组聚焦在匀光透镜组的入射端面；步骤3：通过匀光透镜组出来的光是均匀的发散光，再通过第三准直透镜组，变成均匀的准直光；步骤4：通过第一分光片，将光透射到第一光掩模板上；步骤5：在步骤4基础上，通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成错位重合；步骤6：将重合的第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移，最后，反射到相机中的光可以对样品进行4k的实时成像观测。2.根据权利要求1所述的一种4k光刻的方法，其特征在于：所述第一光掩模板和第二光掩模板的分辨率为相同的分辨率。3.根据权利要求1所述的一种4k光刻的方法，其特征在于：所述步骤5中第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成的错位重合为边角的错位重叠。4.根据权利要求3所述的一种4k光刻的方法，其特征在于：所述第一光掩模板可与4个第二光掩模板的边角进行错位重叠。5.根据权利要求1所述的一种4k光刻的方法，其特征在于：所述步骤5中的第一光掩模板上面的信息为图形结构。

技术总结

本发明涉及一种4K光刻的方法，包括以下步骤：步骤1：将紫外光和指引光进行准直处理；步骤2：通过二向镜后进行合束；步骤3：通过匀光透镜组出来的光是均匀的发散光；步骤4：通过第一分光片；步骤5：在步骤4基础上，通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息与第二光掩模板的信息形成错位重合；步骤6：将重合的第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片、第三分光片与照明光实现合束后通过第四分光片实现了图形的转移，最后，由相机成像观测。本发明能提高光刻的精度。本发明能提高光刻的精度。本发明能提高光刻的精度。