拼接显示设备的制作方法

拼接显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年8月18日提交的第10-2021-0109077号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开的各种实施方式涉及拼接显示设备。

背景技术：

4.近来，随着对信息显示的兴趣的增加，不断地进行显示设备的研究和开发。

技术实现要素：

5.本公开的各种实施方式涉及拼接显示设备，在拼接显示设备中，改善了外部可视性，并且改善了工艺生产率。
6.本公开不限于上述目的，并且本领域技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其它目的。
7.本公开的实施方式可以提供拼接显示设备，包括：第一面板，包括第一显示元件层；第二面板，包括第二显示元件层；以及共享层，包括颜转换部。共享层可以包括第一部分和第二部分。第一部分在平面图中可以与第一面板重叠。第二部分在平面图中可以与第二面板重叠。颜转换部可以改变从第一面板和第二面板提供的光的波长。
8.在实施方式中，第一面板和第二面板可以形成拼接显示设备的下面板，以及共享层可以形成拼接显示设备的上面板。
9.在实施方式中，第一面板和第二面板可以设置在相同的层上，并且第一面板和第二面板可以彼此间隔开，且结合区域设置在第一面板和第二面板之间。
10.在实施方式中，结合区域在平面图中可以与共享层重叠。
11.在实施方式中，颜转换部可以包括：第一颜部，提供第一颜的光；第二颜部，提供第二颜的光；以及第三颜部，提供第三颜的光。第一颜部、第二颜部和第三颜部在平面图中可以与第一面板和第二面板重叠。
12.在实施方式中，拼接显示设备还可以包括：第一子像素区域，发射第一颜的光，并且在平面图中与第一颜部重叠；第二子像素区域，发射第二颜的光，并且在平面图中与第二颜部重叠；以及第三子像素区域，发射第三颜的光，并且在平面图中与第三颜部重叠。
13.在实施方式中，共享层还可以包括：第一滤器，在平面图中与第一子像素区域重叠；第二滤器，在平面图中与第二子像素区域重叠；以及第三滤器，在平面图中与第三子像素区域重叠。
14.在实施方式中，第一显示元件层包括第一发光元件，并且第二显示元件层包括第二发光元件。拼接显示设备还可以包括发射区域，第一发光元件和第二发光元件设置在发
射区域中，并且发射区域可以由包括在第一显示元件层和第二显示元件层中的组件限定。
15.在实施方式中，第一显示元件层和第二显示元件层中的每一个可以包括在拼接显示设备的显示方向上突出的堤，并且堤可以具有围绕发射区域的形状。
16.在实施方式中，发射区域可以包括：第一发射区域，在平面图中与第一子像素区域重叠；第二发射区域，在平面图中与第二子像素区域重叠；以及第三发射区域，在平面图中与第三子像素区域重叠。
17.在实施方式中，第一颜部可以设置成在平面图中与第一发射区域不对准，第二颜部可以设置成在平面图中与第二发射区域不对准，以及第三颜部可以设置成在平面图中与第三发射区域不对准。
18.在实施方式中，第一颜部的至少一部分在平面图中可以与第一发射区域重叠，以及第一颜部的其它部分在平面图中可以不与第一发射区域重叠。
19.在实施方式中，第一面板和共享层的第一部分可以形成第一显示设备，第二面板和共享层的第二部分可以形成第二显示设备，在第一显示设备和第二显示设备中，第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域可以彼此相邻并且可以彼此间隔开第一分隔距离，第一显示设备的第一相邻子像素区域和第二显示设备的第二相邻子像素区域可以彼此间隔开第二分隔距离，第一相邻子像素区域可以是设置在第一显示设备中的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中的最靠近第二显示设备的区域，第二相邻子像素区域可以是设置在第二显示设备中的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中的最靠近第一显示设备的区域，以及第一分隔距离可以等于第二分隔距离。
20.在实施方式中，在第一显示设备和第二显示设备中，第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域可以彼此相邻并且可以彼此间隔开第一发射分隔距离，第一显示设备的第一相邻发射区域和第二显示设备的第二相邻发射区域可以彼此间隔开第二发射分隔距离，第一相邻发射区域可以是设置在第一显示设备中的第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的最靠近第二显示设备的区域，第二相邻发射区域可以是设置在第二显示设备中的第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的最靠近第一显示设备的区域，以及第一发射分隔距离可以不同于第二发射分隔距离。
21.在实施方式中，第二发射分隔距离可以大于第二分隔距离。
22.在实施方式中，当从外部观察时，可以在第一子像素区域中观察到第一颜的光，可以在第二子像素区域中观察到第二颜的光，以及可以在第三子像素区域中观察到第三颜的光。
23.在实施方式中，第一面板和第二面板可以设置在相同的层上，第一面板和第二面板可以彼此间隔开，结合区域可以设置在第一面板和第二面板之间，以及结合区域的厚度可以小于第二分隔距离。
24.在实施方式中，第一颜部可以包括将第三颜的光转换为第一颜的光的第一量子点，以及第二颜部可以包括将第三颜的光转换为第二颜的光的第二量子点。
25.在实施方式中，第一发光元件和第二发光元件中的每一个可以发射第三颜的光。
26.在实施方式中，由第一相邻子像素区域提供的光的颜和由第二相邻子像素区域提供的光的颜可以彼此不同。
27.在实施方式中，第一发光元件和第二发光元件可以是具有在纳米级至微米级的范围内的尺寸的有机发光二极管或发光二极管。
28.本公开的实施方式可以提供拼接显示设备，包括：第一显示设备，包括第一衬底、设置在第一衬底上的第一显示元件层以及设置在第一显示元件层上的第一上层；以及第二显示设备，包括第二衬底、设置在第二衬底上的第二显示元件层以及设置在第二显示元件层上的第二上层。第一上层和第二上层可以是彼此一体的，以及第一上层和第二上层中的每一个可以包括：第一颜部，包括第一量子点；以及第二颜部，包括第二量子点。
29.本公开的实施方式可以提供拼接显示设备，包括：第一子像素区域，发射第一颜的光；第二子像素区域，发射第二颜的光；以及第三子像素区域，发射第三颜的光，拼接显示设备包括：第一面板，包括第一衬底和第一显示元件层，第一显示元件层设置在第一衬底上并且包括发射第三颜的光的第一发光元件；第二面板，包括第二衬底和第二显示元件层，第二显示元件层设置在第二衬底上并且包括配置为发射第三颜的光的第二发光元件；以及共享层，包括在平面图中与第一面板重叠的第一区域以及在平面图中与第二面板重叠的第二区域。第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域可以由共享层限定。
30.本公开不限于上述实施方式，并且本领域技术人员将从说明书和附图清楚地理解未提及的其它实施方式。
附图说明
31.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，根据本公开的实施方式的另外的理解将变得更加明显。
32.图1是示出根据本公开的实施方式的拼接显示设备的示意性平面图。
33.图2是示出根据本公开的实施方式的拼接显示设备的示意性立体图。
34.图3是示出根据本公开的实施方式的拼接显示设备的示意性框图。
35.图4是示出根据本公开的实施方式的包括在像素中的像素电路的等效电路的示意图。
36.图5是示出根据本公开的第一实施方式的像素的示意性平面图。
37.图6是沿着图5的线ii-ii'截取的示意性剖视图。
38.图7是示出根据本公开的第二实施方式的像素的示意性剖视图。
39.图8是示出包括共享层的像素的示意性剖视图，并且是沿着图1的线i-i'截取的剖视图。
40.图9至图11是示出图1的区域ea1的示意性放大图。
具体实施方式
41.本文中描述的实施方式旨在将本公开的精神清楚地传达给本领域技术人员，但是本公开不限于这些实施方式。应当理解，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以在本公开中进行各种改变和修改。
42.如本文中所使用的，术语“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或在所
述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
43.应当理解，术语“接触”、“连接到”和“联接到”可以包括物理接触、物理连接或物理联接和/或电接触、电连接或电联接。
44.出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“从
…
的组中选择的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或者a和b”。
45.除非本文中另外定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想的或过于正式的含义，除非在本文中清楚地如此定义。
46.附图是为了容易地描述特定实施方式的目的，并且可以根据需要被夸大以帮助理解本公开。本公开不限于附图中所示的实施方式。
47.当确定与本公开相关的已知技术的详细描述可使本公开的要点模糊时，将省略该详细描述。
48.本公开的各种实施方式涉及拼接显示设备。在下文中，将参考附图描述根据实施方式的拼接显示设备。
49.图1是示出根据实施方式的拼接显示设备的示意性平面图。
50.拼接显示设备tdd可以配置为向用户提供视觉信息。拼接显示设备tdd可以在拼接显示设备tdd的显示方向(例如，第三方向dr3)上提供(或发射)光。
51.拼接显示设备tdd可以通过组合显示设备dd来设置。根据实施方式，拼接显示设备tdd可以通过组合显示设备dd来显示大屏幕，并且因此可以应用于需要宽显示表面的领域，诸如户外广告牌的表面。
52.包括在拼接显示设备tdd中的显示设备dd可以包括第一显示设备dd1至第四显示设备dd4。根据实施方式，拼接显示设备tdd可以包括四个显示设备dd。然而，形成(或配置)拼接显示设备tdd的显示设备dd的数量不限于特定示例。在下文中，为了便于描述，将描述包括四个显示设备dd1、dd2、dd3和dd4的实施方式。
53.拼接显示设备tdd可以包括像素pxl、显示区域da、非显示区域nda和结合区域ba。
54.光可以在显示区域da中输出。像素pxl可以设置在显示区域da中。显示区域da可以形成在拼接显示设备tdd的前表面上。然而，本公开不限于此。显示区域da可以形成在拼接显示设备tdd的侧表面和/或后表面上。在本文中，将描述其中显示区域da形成在拼接显示设备tdd的前表面上的实施方式。
55.像素pxl可以设置在显示区域da中。像素pxl可以包括第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以分别输出不同颜的光。例如，第一颜的光可以从第一子像素spxl1输出，第二颜的光可以从第二子像素spxl2输出，并且第三颜的光可以从第三子像素spxl3输出。
56.第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每一个可以包括发光元件ld(参见图4)。发光元件ld配置为发光。
57.光可以不在非显示区域nda中输出。非显示区域nda是除了显示区域da和结合区域ba之外的区域，并且像素pxl可以不设置在非显示区域nda中。
58.根据实施方式，非显示区域nda可以具有围绕显示区域da的一部分的形状。然而，本公开不限于以上示例。例如，非显示区域nda可以选择性地设置在显示区域da内侧。
59.结合区域ba可以表示第一面板pnl1至第四面板pnl4(参见图2)之间的区域，第一面板pnl1至第四面板pnl4分别包括在拼接显示设备tdd中所包括的显示设备dd1、dd2、dd3和dd4中。根据实施方式，结合区域ba的至少一部分可以设置在第一面板pnl1和第二面板pnl2之间。例如，结合区域ba可以包括设置在第一面板pnl1和第二面板pnl2之间的第一结合区域、设置在第一面板pnl1和第三面板pnl3之间的第二结合区域、设置在第二面板pnl2和第四面板pnl4之间的第三结合区域以及设置在第三面板pnl3和第四面板pnl4之间的第四结合区域。
60.根据实施方式，结合区域ba在平面图中可以与共享层100(参见图2)重叠。例如，共享层100的至少一部分可以设置在结合区域ba中。
61.根据实施方式，拼接显示设备tdd可以包括设置成跨过第一显示设备dd1至第四显示设备dd4的共享层100。共享层100在平面图中可以与第一面板pnl1至第四面板pnl4重叠。共享层100在平面图中可以与结合区域ba重叠。
62.在下文中，根据实施方式的拼接显示设备tdd的描述将集中于参考图2和图3的共享层100。
63.图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的拼接显示设备的示意性立体图。图3是示出根据本公开的实施方式的拼接显示设备的框图。
64.参考图2和图3，拼接显示设备tdd可以包括第一面板pnl1、第二面板pnl2、第三面板pnl3、第四面板pnl4和共享层100。这里，第一面板pnl1至第四面板pnl4可以设置为拼接显示设备tdd的下结构，而共享层100可以设置为上结构。
65.第一显示设备dd1可以包括第一面板pnl1以及共享层100的至少一部分。例如，第一显示设备dd1可以包括第一面板pnl1和第一共享层(或第一上层)。第一共享层是共享层100的一部分，并且可以与第一面板pnl1重叠。第一面板pnl1在平面图中可以与共享层100的第一区域(例如，第一部分)重叠。
66.第二显示设备dd2可以包括第二面板pnl2以及共享层100的至少一部分。例如，第二显示设备dd2可以包括第二面板pnl2和第二共享层(或第二上层)。第二共享层是共享层100的一部分，并且可以与第二面板pnl2重叠。第二面板pnl2在平面图中可以与共享层100的第二区域(例如，第二部分)重叠。
67.第三显示设备dd3可以包括第三面板pnl3以及共享层100的至少一部分。例如，第三显示设备dd3可以包括第三面板pnl3和第三共享层(或第三上层)。第三共享层是共享层100的一部分，并且可以与第三面板pnl3重叠。第三面板pnl3在平面图中可以与共享层100的第三区域(例如，第三部分)重叠。
68.第四显示设备dd4可以包括第四面板pnl4以及共享层100的至少一部分。例如，第四显示设备dd4可以包括第四面板pnl4和第四共享层(或第四上层)。第四共享层是共享层100的一部分，并且可以与第四面板pnl4重叠。第四面板pnl4在平面图中可以与共享层100的第四区域(例如，第四部分)重叠。
69.根据实施方式，第一共享层至第四共享层可以彼此一体。
70.第一面板pnl1可以连接到共享层100的至少一部分。例如，第一面板pnl1的上表面
和共享层100的下表面可以通过粘合构件连接。粘合构件可以包括粘合材料，但是本公开不限于具体示例。同样，第二面板pnl2至第四面板pnl4中的每一个可以连接到共享层100的一部分。
71.第一面板pnl1是第一显示设备dd1的一部分，并且可以指第一显示设备dd1的下面板。类似地，第二面板pnl2至第四面板pnl4分别是第二显示设备dd2至第四显示设备dd4的一部分，并且可以指第二显示设备dd2至第四显示设备dd4的下面板。
72.根据实施方式，第一面板pnl1至第四面板pnl4可以彼此间隔开。例如，如上所描述的，第一面板pnl1可以与第二面板pnl2、第三面板pnl3和第四面板pnl4间隔开，且结合区域ba插置在其之间。根据实施方式，相邻的面板(例如，第一面板pnl1和第二面板pnl2)可以在结合区域ba中连接。
73.根据实施方式，第一面板pnl1、第二面板pnl2、第三面板pnl3和第四面板pnl4可以放置在相同的层上。
74.第一面板pnl1可以包括第一衬底sub1、第一像素电路部pcl1和第一显示元件部dpl1。第一衬底sub1、第一像素电路部pcl1和第一显示元件部dpl1可以在第一衬底sub1的厚度方向(例如，第三方向dr3)上依次堆叠。类似地，第二面板pnl2至第四面板pnl4可以包括分别在第三方向dr3上依次堆叠的第二衬底sub2、第三衬底sub3和第四衬底sub4、第二像素电路部pcl2、第三像素电路部pcl3和第四像素电路部pcl4以及第二显示元件部dpl2、第三显示元件部dpl3和第四显示元件部dpl4。
75.第一面板pnl1至第四面板pnl4可以发光。例如，分别包括在第一面板pnl1至第四面板pnl4中的第一显示元件部dpl1至第四显示元件部dpl4可以包括配置为发光的发光元件ld。
76.例如，第一显示元件部dpl1可以包括第一发光元件，第二显示元件部dpl2可以包括第二发光元件，第三显示元件部dpl3可以包括第三发光元件，并且第四显示元件部dpl4可以包括第四发光元件。
77.根据实施方式，“显示元件部”可以被称为“显示元件层”。例如，第一显示元件部dpl1可以是第一显示元件层，第二显示元件部dpl2可以是第二显示元件层，第三显示元件部dpl3可以是第三显示元件层，并且第四显示元件部dpl4可以是第四显示元件层。
78.第一面板pnl1在平面图中可以与共享层100重叠。根据实施方式，当在平面图中观察时，第一面板pnl1可以与包括在共享层100中的颜转换部ccl(参见图8)和/或滤器部cfl(参见图8)重叠。类似地，第二面板pnl2至第四面板pnl4中的每一个在平面图中可以与共享层100重叠。这将参考图8在下面详细描述。
79.第一面板pnl1与第二面板pnl2至第四面板pnl4可以通过不同的工艺形成。例如，第一面板pnl1可以通过单独的工艺制造，并且与第二面板pnl2至第四面板pnl4联接(或连接)。
80.第一显示设备dd1可以包括第一面板pnl1以及共享层100的至少一部分。例如，第一显示设备dd1可以包括第一面板pnl1和第一共享层。第一共享层是共享层100的一部分，并且可以指与第一面板pnl1重叠的部分。
81.在下文中，将详细描述根据实施方式的包括在拼接显示设备tdd中的显示设备dd。然而，为了便于描述，将描述显示设备dd中的第一显示设备dd1。根据实施方式，参考第一显
示设备dd1描述的技术特征可以应用于第二显示设备dd2至第四显示设备dd4。
82.根据实施方式，图4至图7中所示的结构可以表示第一显示设备dd1的第一面板pnl1。
83.首先，将参考图4描述根据实施方式的包括在第一显示设备dd1中的像素pxl的像素电路pxc。图4是示出根据实施方式的包括在像素中的等效像素电路的示意图。
84.参考图4，像素pxl可以包括发光元件ld和像素电路pxc。
85.发光元件ld可以电连接在第一电力线vdd和第二电力线vss之间。发光元件ld的第一端(例如，p型半导体)可以经由第一电极elt1和像素电路pxc电连接到第一电力线vdd，而发光元件ld的第二端(例如，n型半导体)可以经由第二电极elt2电连接到第二电力线vss。
86.在实施方式中，发光元件ld可以发射具有与通过像素电路pxc提供给其的驱动电流对应的亮度的光。
87.在实施方式中，发光元件ld中的两个或更多个可以设置在像素pxl中并且可以在第一电力线vdd和第二电力线vss之间通过各种连接结构电连接到彼此。例如，发光元件ld可以仅并联或仅串联电连接到彼此。作为另一个示例，发光元件ld可以以串联-并联混合结构电连接。
88.第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有不同的电势以允许发光元件ld发光。第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有电势差，以允许在像素pxl的光发射周期期间发射光。例如，第一电力线vdd可以设置到比第二电力线vss的电势高的电势。
89.像素电路pxc可以将第一电力线vdd电连接到发光元件ld。像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3和存储电容器cst。
90.根据实施方式，第一晶体管t1的第一电极可以电连接到第一电力线vdd，而其第二电极可以电连接到发光元件ld的第一电极elt1(例如，阳极电极)。第一晶体管t1的栅电极可以电连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于通过第一节点n1施加到其的电压来控制流经发光元件ld的电流。
91.根据实施方式，第二晶体管t2的第一电极可以电连接到数据线dl，而其第二电极可以电连接到第一节点n1。第二晶体管t2的栅电极可以电连接到扫描线sl。在从扫描线sl提供扫描信号的情况下，第二晶体管t2可以导通。在该情况下，从数据线dl提供的数据信号可以传输到第一节点n1。
92.根据实施方式，第三晶体管t3的第一电极可以电连接到感测线senl，而其第二电极可以电连接到第二节点n2。第三晶体管t3的栅电极可以电连接到感测信号线sel。在第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通的情况下，参考电压可以通过感测线senl提供至第二节点n2。
93.根据实施方式，参考电压可以用于将第一晶体管t1的电连接到发光元件ld的电极(例如，第一晶体管t1的源电极)的电压设置或初始化为恒定值。例如，参考电压可以设置为小于或等于第二电力线vss的电压。
94.根据实施方式，在第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通的情况下，感测电流可以传输到感测线senl。
95.在实施方式中，感测电流可以用于计算第一晶体管t1的迁移率和阈值电压的变化。
96.存储电容器cst可以电连接在第一节点n1(或第一晶体管t1的栅电极)和第二节点n2(或第一晶体管t1的第二电极)之间。存储电容器cst可以存储关于第一节点n1和第二节点n2之间的电压差的信息。
97.像素电路pxc的结构不限于图4中所示出的结构，并且可以实施各种类型的结构。图4示出了作为n型晶体管的第一晶体管t1至第三晶体管t3。然而，本公开不限于此。根据实施方式，第一晶体管t1至第三晶体管t3可以由p型晶体管形成。
98.在下文中，将参考图5至图7描述根据实施方式的像素pxl的结构。将简要描述或省略可与以上所描述的内容重复的内容。
99.在实施方式中，像素pxl可以包括发光元件ld。例如，发光元件ld可以是具有在纳米级至微米级的范围内的尺寸的发光二极管或有机发光二极管(oled)。
100.首先，将参考图5和图6描述作为根据第一实施方式的像素pxl的实施方式，其中发光元件ld是具有在纳米级至微米级的范围内的尺寸的发光二极管。
101.图5是示出根据本公开的第一实施方式的像素的示意性平面图。图5中所示的像素pxl可以是第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的至少一个。
102.参考图5，像素pxl可以包括第一电极elt1、第二电极elt2、第一连接电极cnl1、第二连接电极cnl2、第一接触部cnt1、第二接触部cnt2、发光元件ld、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。
103.可以提供和布置发光元件ld。例如，发光元件ld可以在第二方向dr2上布置成平行结构。然而，发光元件ld的布置结构不限于此。
104.在实施方式中，发光元件ld可以设置成在一个方向上延伸的杆的形状。发光元件ld可以具有第一端ep1和第二端ep2。第一半导体层11可以邻近于发光元件ld的第一端ep1。第二半导体层13可以邻近于发光元件ld的第二端ep2。
105.在实施方式中，发光元件ld可以是通过蚀刻方法等制造成柱状形状的发光元件。在该说明书中，术语“柱状形状”包括杆状形状和棒状形状，诸如在纵向方向上延伸(例如，具有大于1的纵横比)的圆柱形形状和棱柱形状，并且其剖面形状不限于特定形状。例如，发光元件ld的长度可以大于其直径(或其剖面的宽度)。然而，发光元件ld的形状不限于上述示例。
106.在实施方式中，发光元件ld可以具有对应于纳米级到微米级的范围的尺寸。
107.在实施方式中，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。
108.第一半导体层11可以是第一导电半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层，其包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料并且掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂。然而，形成第一半导体层11的材料不限于此。
109.有源层12可以设置在第一半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。例如，在有源层12具有多量子阱结构的情况下，有源层12可以通过周期性地和重复地堆叠势垒层、应变增强层和阱层作为一个单元而形成。应变增强层可以具有比势垒层的晶格常数小的晶格常数，并且因此可以进一步增强施加到阱层的应变，例如压缩应变。然而，有源层12的结构不限于以上所描述的实施方式。
110.在实施方式中，有源层12可以发射具有约400nm至约900nm的波长的光。例如，有源层12可以包括诸如algan或inalgan的材料。然而，材料不限于以上所描述的示例。
111.第二半导体层13可以设置在有源层12上并且包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层，其包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料并且掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂。然而，形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料形成。
112.如果等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件ld的相对端，则发光元件ld通过有源层12中的电子-空穴对的复合来发光。由于可以基于前述原理来控制发光元件ld的发光，所以发光元件ld可以用作各种发光设备的光源。
113.在实施方式中，发光元件ld还可以包括元件绝缘层。元件绝缘层可以设置在发光元件ld的外表面上，以稳定电连接。
114.例如，元件绝缘层可以包括无机材料。例如，元件绝缘层可以形成为包括至少一种绝缘材料的单层结构或多层结构，至少一种绝缘材料选自氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)中的至少一种。
115.发光元件ld的结构不限于以上所描述的示例，并且还可以包括附加组件。例如，发光元件ld还可以包括磷光体层、有源层、电极层等。
116.发光元件ld可以设置在配置为用作对准电极的电极之间。例如，发光元件ld在平面图中可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2之间。发光元件ld可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2上。发光元件ld的至少一部分在平面图中可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2之间。
117.发光元件ld可以通过第一接触电极cne1电连接到第一电极elt1。
118.根据实施方式，发光元件ld的第二端ep2可以电连接到第一接触电极cne1。因此，发光元件ld的第二半导体层13可以电连接到第一电极elt1和第一接触电极cne1。
119.发光元件ld可以通过第二接触电极cne2电连接到第二电极elt2。
120.根据实施方式，发光元件ld的第一端ep1可以电连接到第二接触电极cne2。因此，发光元件ld的第一半导体层11可以电连接到第二电极elt2和第二接触电极cne2。
121.第一电极elt1可以在第二方向dr2上延伸。第一电极elt1可以在第一方向dr1上与第二电极elt2间隔开。第一电极elt1可以电连接到第一连接电极cnl1。第一方向dr1可以与第二方向dr2相交(或者可以不平行于第二方向dr2)。
122.第一连接电极cnl1可以通过第一接触部cnt1电连接到包括在第一像素电路部pcl1中的桥接图案brp(参见图6)。第一连接电极cnl1和第一电极elt1可以设置在相同的层上并且形成为彼此一体(或者是彼此一体的)。
123.第二电极elt2可以在第二方向dr2上延伸。第二电极elt2可以在第一方向dr1上与第一电极elt1间隔开。第二电极elt2可以电连接到第二连接电极cnl2。
124.第二连接电极cnl2可以通过第二接触部cnt2电连接到包括在第一像素电路部pcl1中的电力线pl(参见图6)。第二连接电极cnl2和第二电极elt2可以设置在相同的层上并且是彼此一体的。
125.第一接触电极cne1可以设置在第一电极elt1上以电连接到第一电极elt1。第一接
触电极cne1可以将第一电极elt1电连接到发光元件ld。
126.第二接触电极cne2可以设置在第二电极elt2上以电连接到第二电极elt2。第二接触电极cne2可以将第二电极elt2电连接到发光元件ld。
127.图6是示出根据实施方式的像素pxl的示意性剖视图。图6是沿着图5的线ii-ii'截取的示意性剖视图。在下文中，为了便于描述，将主要描述上述第一晶体管t1至第三晶体管t3中的第一晶体管t1。
128.参考图6，像素pxl可以包括第一衬底sub1、第一像素电路部pcl1和第一显示元件部dpl1。
129.第一衬底sub1可以提供其中设置有第一像素电路部pcl1和第一显示元件部dpl1的区域。第一衬底sub1可以形成像素pxl的基础构件。第一衬底sub1可以是刚性衬底或刚性膜或者柔性衬底或柔性膜，但是本公开不限于具体示例。
130.第一像素电路部pcl1可以设置在第一衬底sub1上。第一像素电路部pcl1可以包括缓冲层bfl、第一晶体管t1、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、桥接图案brp、电力线pl、钝化层psv、第一接触部cnt1和第二接触部cnt2。
131.缓冲层bfl可以设置在第一衬底sub1上。缓冲层bfl可以防止杂质从外部扩散。缓冲层bfl可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至少一种。
132.第一晶体管t1可以是薄膜晶体管。根据实施方式，第一晶体管t1可以是驱动晶体管。
133.第一晶体管t1可以电连接到发光元件ld。第一晶体管t1可以电连接到桥接图案brp。
134.第一晶体管t1包括有源层act、第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和栅电极ge。
135.有源层act可以指半导体层。半导体层act可以设置在缓冲层bfl上。有源层act可以包括多晶硅、低温多晶硅(ltps)、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
136.有源层act可以包括接触第一晶体管电极te1的第一接触区域和接触第二晶体管电极te2的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域中的每一个可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域和第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
137.栅电极ge可以设置在栅极绝缘层gi上。栅电极ge的位置可以对应于有源层act的沟道区域的位置。例如，栅电极ge可以设置在有源层act的沟道区域上，且栅极绝缘层gi插置在其之间。
138.栅极绝缘层gi可以设置在有源层act上。栅极绝缘层gi可以包括无机材料。例如，栅极绝缘层gi可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
139.第一层间绝缘层ild1可以位于栅电极ge上。类似于栅极绝缘层gi，第一层间绝缘层ild1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
140.第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以定位在第一层间绝缘层ild1上。第
一晶体管电极te1可以穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1以接触有源层act的第一接触区域，而第二晶体管电极te2可以穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1以接触有源层act的第二接触区域。例如，第一晶体管电极te1可以是漏电极，并且第二晶体管电极te2可以是源电极。然而，本公开不限于此。
141.第二层间绝缘层ild2可以定位在第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2上。类似于第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi，第二层间绝缘层ild2可以包括无机材料。无机材料可以包括形成第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi的材料，例如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
142.桥接图案brp可以设置在第二层间绝缘层ild2上。桥接图案brp可以通过穿过第二层间绝缘层ild2的接触孔电连接到第一晶体管电极te1。桥接图案brp可以通过形成在钝化层psv中的第一接触部cnt1电连接到第一电极elt1。
143.电力线pl可以设置在第二层间绝缘层ild2上。电力线pl可以通过形成在钝化层psv中的第二接触部cnt2电连接到第二电极elt2。
144.钝化层psv可以位于第二层间绝缘层ild2上。钝化层psv可以覆盖桥接图案brp和电力线pl。钝化层psv可以设置成有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式，但是本公开不限于此。根据实施方式，钝化层psv可以包括电连接到桥接图案brp的一区域的第一接触部cnt1以及电连接到电力线pl的一区域的第二接触部cnt2。
145.第一显示元件部dpl1可以设置在第一像素电路部pcl1上。第一显示元件部dpl1可以包括第一绝缘图案inp1、第二绝缘图案inp2、第一电极elt1、第二电极elt2、第一绝缘层ins1、发光元件ld、第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2和第三绝缘层ins3。
146.第一绝缘图案inp1和第二绝缘图案inp2可以设置在钝化层psv上。第一绝缘图案inp1和第二绝缘图案inp2中的每一个可以具有在第一衬底sub1的厚度方向上突出的形状。
147.第一电极elt1和第二电极elt2可以设置在钝化层psv上。根据实施方式，第一电极elt1的至少一部分可以设置在第一绝缘图案inp1上，并且第二电极elt2的至少一部分可以设置在第二绝缘图案inp2上，以用作反射分隔壁。
148.第一电极elt1可以通过第一接触部cnt1电连接到桥接图案brp。第二电极elt2可以通过第二接触部cnt2电连接到电力线pl。
149.第一电极elt1可以电连接到发光元件ld。第一电极elt1可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔电连接到第一接触电极cne1。第一电极elt1可以向发光元件ld施加阳极信号。
150.第二电极elt2可以电连接到发光元件ld。第二电极elt2可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔电连接到第二接触电极cne2。第二电极elt2可以向发光元件ld施加阴极信号(例如，接地信号)。
151.第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包括导电材料。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金的金属。然而，本公开不限于以上示例。
152.第一绝缘层ins1可以设置在钝化层psv上。第一绝缘层ins1可以覆盖第一电极
elt1和第二电极elt2。第一绝缘层ins1可以稳定电极组件之间的连接并且减少外部影响。第一绝缘层ins1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
153.发光元件ld可以设置在第一绝缘层ins1上。发光元件ld可以响应于从第一接触电极cne1和第二接触电极cne2提供的电信号而发光。
154.第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld上。第二绝缘层ins2可以覆盖发光元件ld的有源层12。例如，第二绝缘层ins2可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。
155.根据实施方式，第二绝缘层ins2的至少一部分可以位于发光元件ld的下表面上。在该情况下，第二绝缘层ins2可以填充形成在发光元件ld的下表面上的凹槽的至少一部分。
156.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一绝缘层ins1上。第一接触电极cne1可以将第一电极elt1电连接到发光元件ld，而第二接触电极cne2可以将第二电极elt2电连接到发光元件ld。
157.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由导电材料形成。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括透明导电材料，透明导电材料包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)。然而，本公开不限于此。
158.发光元件ld、电极等的布置关系不限于上面参考图6描述的示例，并且可以实施根据各种修改的布置关系。
159.在实施方式中，尽管未在附图中示出，但是第一显示元件部dpl1还可以包括设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上的附加绝缘层和/或平坦化层。
160.将参考图7描述作为根据第二实施方式的像素pxl的实施方式，其中，发光元件ld是有机发光二极管。图7是示出根据本公开的第二实施方式的像素的示意性剖视图。
161.参考图7，根据第二实施方式的像素pxl与根据第一实施方式的像素pxl(参见图5和图6)的不同之处至少在于，发光元件ld是有机发光二极管。
162.参考图7，发光元件ld可以实现为有机发光二极管。根据实施方式，发光元件ld可以是有机发光二极管。
163.根据实施方式，发光元件ld可以设置在由像素限定层pdl限定的区域中。发光元件ld的第一表面可以电连接到第一电极elt1，并且发光元件ld的第二表面可以电连接到第二电极elt2。
164.第一电极elt1可以是用于发光元件ld的阳极电极，而第二电极elt2可以是用于发光元件ld的公共电极(或阴极电极)。
165.在实施方式中，发光元件ld可以具有包括光产生层的多层薄膜结构。发光元件ld可以包括空穴注入层、空穴传输层、光产生层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，空穴注入到空穴注入层中，空穴传输层具有期望的空穴传输性能并且抑制在光产生层中未与空穴复合的电子的移动，并且因此增加空穴和电子之间的复合的机会，光产生层通过注入的电子和空穴之间的复合发光，空穴阻挡层抑制在光产生层中未与电子复合的空穴的移动，电子传输层设置成将电子顺利地传输到光产生层，电子注入到电子注入层中。发光元件ld可以响应于从第一电极elt1和第二电极elt2提供的电信号而发光。
166.在实施方式中，第一显示元件部dpl1可以包括像素限定层pdl和薄膜封装层tfe。
167.像素限定层pdl可以限定布置有实现为有机发光二极管的发光元件ld的位置。像素限定层pdl可以包括有机材料。例如，像素限定层pdl可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种，但是本公开不限于此。
168.薄膜封装层tfe可以设置在第二电极elt2上。薄膜封装层tfe可以消除由发光元件ld和像素限定层pdl导致的台阶。薄膜封装层tfe可以包括配置为覆盖发光元件ld的绝缘层。例如，薄膜封装层tfe可以具有通过交替堆叠无机层和有机层而形成的结构。
169.在下文中，将参考图8结合共享层100来描述根据实施方式的像素pxl。如图8中所示，为了便于描述，简要示出了第一像素电路部pcl1和第一显示元件部dpl1。在图8中，与第一面板pnl1重叠的区域表示为共享层100的一部分。
170.图8是示出包括共享层的像素的示意性剖视图，并且是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图。
171.参考图8，第一显示元件部dpl1可以包括堤bnk。堤bnk可以在第一衬底sub1的厚度方向(拼接显示设备tdd的显示方向或第一显示设备dd1的显示方向，例如，第三方向dr3)上突出。
172.根据实施方式，发射区域ema和非发射区域nea可以由包括在第一显示元件部dpl1中的组件来限定。
173.在实施方式中，发射区域ema可以表示其中设置发光元件ld以发光的区域。发射区域ema可以表示其中光从第一面板pnl1发射的区域。非发射区域nea可以是除发射区域ema之外的区域，并且可以表示其中光不从第一面板pnl1发射的区域。
174.在实施方式中，堤bnk可以限定像素pxl的发射区域ema。堤bnk可以具有围绕发射区域ema的形状。发光元件ld可以设置在由堤bnk围绕的区域中。根据实施方式，堤bnk可以包括有机材料或无机材料，但是本公开不限于此。根据实施方式，非发射区域nea在平面图中可以与堤bnk重叠。
175.根据实施方式，发射区域ema可以包括第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3。第一发射区域ema1可以表示第一子像素spxl1的发射区域ema。第二发射区域ema2可以表示第二子像素spxl2的发射区域ema。第三发射区域ema3可以表示第三子像素spxl3的发射区域ema。
176.例如，在平面图中，第一发射区域ema1可以与第一子像素区域spxa1重叠，第二发射区域ema2可以与第二子像素区域spxa2重叠，并且第三发射区域ema3可以与第三子像素区域spxa3重叠。
177.共享层100可以设置在第一面板pnl1上。如以上所描述的，第一面板pnl1和共享层100可以通过一方法电连接到彼此。
178.根据实施方式，共享层100可以设置在第一面板pnl1上。如以上所描述的，共享层100可以设置成跨过第一面板pnl1至第四面板pnl4。参考图8，将描述共享层100的详细结构。
179.共享层100可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
180.共享层100可以包括颜转换部ccl、光学层opl、滤器部cfl和上膜层ufl。
181.根据实施方式，分别设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素
spxl3中的发光元件ld可以发射相同颜的光。例如，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以包括发射第三颜的光(例如，蓝光)的发光元件ld。第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每一个可以设置有颜转换部ccl以显示全图像。
182.颜转换部ccl可以是包括在共享层100中的层，并且可以配置为改变从第一显示元件部dpl1提供的光的至少一部分的波长。
183.颜转换部ccl可以设置在第一显示元件部dpl1上。颜转换部ccl可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
184.尽管未在图8中示出，但是颜转换部ccl可以设置成跨过第二面板pnl2、第三面板pnl3和第四面板pnl4。例如，颜转换部ccl的另一区域在平面图中可以与第二显示元件部dpl2、第三显示元件部dpl3和第四显示元件部dpl4中的至少一个重叠。
185.颜转换部ccl可以包括第一封盖层cap1、光阻挡层lbl、第一颜部1200、第二颜部1400、第三颜部1600和第二封盖层cap2。根据实施方式，第一颜部1200可以被称为第一发射层，第二颜部1400可以被称为第二发射层，并且第三颜部1600可以被称为第三发射层。
186.第一封盖层cap1可以设置在第一显示元件部dpl1上，以密封(或覆盖)设置在堤bnk之间的组件。第一封盖层cap1可以设置在第一显示元件部dpl1和光学层opl之间。第一封盖层cap1可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。第一封盖层cap1可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部穿过其渗入，并且从而损坏或污染第一显示元件部dpl1。
187.在实施方式中，第一封盖层cap1可以形成为包括至少一种绝缘材料的单层结构或多层结构，至少一种绝缘材料为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)。然而，本公开不限于此。
188.第一颜部1200可以提供第一颜的光。第一颜部1200可以是包括在第一子像素spxl1中的组件，并且允许在第一子像素区域spxa1中提供第一颜的光。当从外部观察时，可以在第一子像素区域spxa1中观察到第一颜的光。
189.根据实施方式，第一子像素区域spxa1至第三子像素区域spxa3可以由共享层100(或包括在共享层100中的组件)限定。
190.根据实施方式，第一子像素区域spxa1可以表示其中发射第一颜的光的区域。第一子像素区域spxa1可以表示其中从第一子像素spxl1发射的第一颜的光提供到外部的区域。在平面图中，第一子像素区域spxa1可以与第一颜部1200重叠。
191.第二颜部1400可以提供第二颜的光。第二颜部1400可以是包括在第二子像素spxl2中的组件，并且允许在第二子像素区域spxa2中提供第二颜的光。当从外部观察时，可以在第二子像素区域spxa2中观察到第二颜的光。
192.根据实施方式，第二子像素区域spxa2可以表示其中发射第二颜的光的区域。第二子像素区域spxa2可以表示其中从第二子像素spxl2发射的第二颜的光提供到外部的区域。在平面图中，第二子像素区域spxa2可以与第二颜部1400重叠。
193.第三颜部1600可以提供第三颜的光。第三颜部1600可以是包括在第三子像素spxl3中的组件，并且允许在第三子像素区域spxa3中提供第三颜的光。当从外部观察
时，可以在第三子像素区域spxa3中观察到第三颜的光。
194.根据实施方式，第三子像素区域spxa3可以表示其中发射第三颜的光的区域。第三子像素区域spxa3可以表示其中从第三子像素spxl3发射的第三颜的光提供到外部的区域。在平面图中，第三子像素区域spxa3可以与第三颜部1600重叠。
195.当在平面图中观察时，第一颜部1200的位置可以设置成与第一发射区域ema1不对准。当在平面图中观察时，第一颜部1200可以与第一发射区域ema1重叠。根据实施方式，第一颜部1200的一部分可以与第一发射区域ema1重叠，而第一颜部1200的另一部分可以不与第一发射区域ema1重叠。
196.当在平面图中观察时，第二颜部1400的位置可以设置成与第二发射区域ema2不对准。当在平面图中观察时，第二颜部1400可以与第二发射区域ema2重叠。根据实施方式，第二颜部1400的一部分可以与第二发射区域ema2重叠，而第二颜部1400的另一部分可以不与第二发射区域ema2重叠。
197.当在平面图中观察时，第三颜部1600的位置可以设置成与第三发射区域ema3不对准。当在平面图中观察时，第三颜部1600可以与第三发射区域ema3重叠。根据实施方式，第三颜部1600的一部分可以与第三发射区域ema3重叠，而第三颜部1600的另一部分可以不与第三发射区域ema3重叠。
198.根据实施方式，第一颜部1200可以包括第一颜转换颗粒，第一颜转换颗粒配置为将从第一显示元件部dpl1的发光元件ld(或包括在第一子像素spxl1中的发光元件ld)提供的第三颜的光转换为第一颜的光。例如，在发光元件ld是配置为发射蓝光的蓝发光元件并且第一子像素spxl1是红像素的情况下，第一颜部1200可以包括将从蓝发光元件发射的蓝光转换为红光的第一量子点。
199.例如，第一颜部1200可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第一量子点。第一量子点可以吸收蓝光并且根据能量转换转变光的波长以发射红光。
200.根据实施方式，第二颜部1400可以包括第二颜转换颗粒，第二颜转换颗粒配置为将从第一显示元件部dpl1的发光元件ld(或包括在第二子像素spxl2中的发光元件ld)提供的第三颜的光转换为第二颜的光。例如，在发光元件ld是配置为发射蓝光的蓝发光元件并且第二子像素spxl2是绿像素的情况下，第二颜部1400可以包括将从蓝发光元件发射的蓝光转换为绿光的第二量子点。
201.例如，第二颜部1400可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第二量子点。第二量子点可以吸收蓝光并且根据能量转换转变光的波长以发射绿光。
202.第一量子点和第二量子点中的每一个可以是具有球形形状、金字塔形状、多臂形状或立方体形状的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、平面纳米颗粒的形式，但是本公开不限于此。第一量子点和第二量子点中的每一个的形状可以以各种方式改变。
203.根据实施方式，第三颜部1600可以设置成有效地使用从第一显示元件部dpl1的发光元件ld(或包括在第三子像素spxl3中的发光元件ld)发射的第三颜的光。例如，在发光元件ld是配置为发射蓝光的蓝发光元件并且第三子像素spxl3是蓝像素的情况下，第三颜部1600可以包括至少一种类型的光散射颗粒以有效地使用从发光元件ld发射的光。
204.例如，第三颜部1600可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的光散射颗
粒。例如，第三颜部1600可以包括诸如二氧化硅的光散射颗粒，但是形成光散射颗粒的材料不限于此。
205.光散射颗粒不必仅设置在与第三子像素spxl3对应的区域中。例如，光散射颗粒可以选择性地设置在第一颜部1200和第二颜部1400中。
206.根据实施方式，像素pxl还可以包括设置在颜转换部ccl之下的光散射层。光散射层可以包括配置为散射光的光散射颗粒。光散射层可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。光散射层可以将光集中在特定位置上，以防止无法均匀地提供颜的现象。当设置颜转换部ccl时，可以改善实现颜的可靠性。
207.光阻挡层lbl可以设置在第一显示元件部dpl1上。光阻挡层lbl可以设置在第一封盖层cap1和第二封盖层cap2之间。光阻挡层lbl可以设置成在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3之间的边界处围绕第一颜部1200、第二颜部1400和第三颜部1600。
208.根据实施方式，光阻挡层lbl可以限定第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3。
209.例如，其中未设置光阻挡层lbl的区域可以是第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的至少一个。光可以基本上不从其中设置光阻挡层lbl的区域发射。
210.根据实施方式，光阻挡层lbl可以设置成与发射区域ema不对准。例如，光阻挡层lbl的一部分在平面图中可以与发射区域ema重叠，而光阻挡层lbl的另一部分在平面图中可以不与发射区域ema重叠。例如，光阻挡层lbl的一部分可以与堤bnk重叠，而光阻挡层lbl的另一部分可以不与堤bnk重叠。
211.根据实施方式，光阻挡层lbl可以由包括石墨、炭黑、黑颜料和黑染料中的至少一种的有机材料形成，或者由包括铬(cr)的金属材料形成。然而，任何材料都是可能的，只要它可以阻挡光的透射并且吸收光即可。
212.第二封盖层cap2可以密封(或覆盖)第一颜部1200、第二颜部1400和第三颜部1600。第二封盖层cap2可以设置在光学层opl和第一封盖层cap1之间。第二封盖层cap2可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。第二封盖层cap2可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部穿过其渗入，并且从而损坏或污染第一颜部1200、第二颜部1400和第三颜部1600。
213.在实施方式中，第二封盖层cap2可以形成为包括至少一种绝缘材料的单层结构或多层结构，至少一种绝缘材料为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)。然而，本公开不限于此。
214.光学层opl可以是用于改善光学效率的层。光学层opl可以设置在颜转换部ccl上。光学层opl可以包括低折射层lrl和第三封盖层cap3。
215.低折射层lrl可以设置在第二封盖层cap2和第三封盖层cap3之间。低折射层lrl可以设置在颜转换部ccl和滤器部cfl之间。低折射层lrl可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
216.低折射层lrl可以通过全反射来再循环从颜转换部ccl提供的光，从而改善光学效率。为此，低折射层lrl可以具有比颜转换部ccl的折射率相对较低的折射率。
217.根据实施方式，低折射层lrl可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的中空颗粒。中空颗粒可以包括中空二氧化硅颗粒。作为另一个示例，中空颗粒可以是由致孔剂形成的孔，但是本公开不限于此。此外，低折射层lrl可以包括氧化锌(zno)颗粒、二氧化钛(tio2)颗粒和纳米硅酸盐颗粒中的至少一种，但是本公开不限于此。
218.第三封盖层cap3可以设置在低折射层lrl上。第三封盖层cap3可以设置在滤器部cfl和低折射层lrl之间。第三封盖层cap3可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。第三封盖层cap3可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部穿过其渗入，并且从而损坏或污染低折射层lrl。
219.在实施方式中，第三封盖层cap3可以形成包括至少一种绝缘材料的单层结构或多层结构，至少一种绝缘材料为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)。然而，本公开不限于此。
220.滤器部cfl可以设置在第三封盖层cap3上。滤器部cfl可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。滤器部cfl可以包括滤器cf1、cf2和cf3、平坦化层pla以及外涂层oc。
221.根据实施方式，滤器cf1、cf2和cf3可以设置在第三封盖层cap3上。在平面图中，滤器cf1、cf2和cf3可以分别与第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3重叠。例如，第一滤器cf1可以与第一子像素区域spxa1重叠，第二滤器cf2可以与第二子像素区域spxa2重叠，并且第三滤器cf3可以与第三子像素区域spxa3重叠。
222.根据实施方式，第一滤器cf1可以透射第一颜的光，但是可以不透射第二颜的光和第三颜的光。例如，第一滤器cf1可以包括用于第一颜的着剂。
223.根据实施方式，第二滤器cf2可以透射第二颜的光，但是可以不透射第一颜的光和第三颜的光。例如，第二滤器cf2可以包括用于第二颜的着剂。
224.根据实施方式，第三滤器cf3可以透射第三颜的光，但是可以不透射第一颜的光和第二颜的光。例如，第三滤器cf3可以包括用于第三颜的着剂。
225.根据实施方式，平坦化层pla可以设置在滤器cf1、cf2和cf3上。平坦化层pla可以覆盖滤器cf1、cf2和cf3。平坦化层pla可以消除由滤器cf1、cf2和cf3导致的台阶。平坦化层pla可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
226.例如，平坦化层pla可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(bcb)的有机材料。然而，本公开不限于此。平坦化层pla可以包括各种类型的无机材料，包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)、氧化铝(alo
x
)、氧化锆(zro
x
)、氧化铪(hfo
x
)或氧化钛(tio
x
)。
227.外涂层oc可以设置在平坦化层pla上。外涂层oc可以设置在上膜层ufl和滤器部cfl之间。外涂层oc可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。外涂层oc可以覆盖包括滤器部cfl的下构件。外涂层oc可以防止湿气或空气渗入到以上所描述的下构件中。外涂层oc可以保护以上所描述的下构件不受诸如灰尘的异物的影响。
228.在实施方式中，外涂层oc可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(bcb)的有机材料。然而，本
公开不限于此。外涂层oc可以包括各种类型的无机材料，包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)、氧化铝(alo
x
)、氧化锆(zro
x
)、氧化铪(hfo
x
)或氧化钛(tio
x
)。
229.上膜层ufl可以设置在滤器部cfl上。上膜层ufl可以设置在第一显示设备dd1的外侧，以减少对第一显示设备dd1的外部影响。上膜层ufl可以设置成跨过第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
230.在一些实施方式中，上膜层ufl可以包括透明膜。例如，透明膜可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜、低反射膜、偏振膜和透射率可控膜中的至少一种，但是本公开不限于此。
231.根据实施方式，上膜层ufl可以包括用于降低从外部入射的光的反射率的抗反射(ar)涂层。ar涂层可以指其中具有抗反射功能的材料施加到特定配置的表面的配置。所施加的材料可以具有低反射率。例如，用于ar涂层的材料可以包括氧化硅(sio
x
)、氧化锆(zio
x
)、氧化铝(al
x
oy)和氧化钛(tio
x
)中的至少一种。然而，本公开不限于此，并且可以使用各种材料。
232.在下文中，将参考图9至图11描述根据实施方式的拼接显示设备tdd的可视性改善的原因。
233.图9至图11是示出图1的区域ea1的示意性放大图。为了便于描述，在图9至图11中，将主要描述包括在拼接显示设备tdd中的显示设备dd中的彼此相邻的第一显示设备dd1和第二显示设备dd2。第一显示设备dd1和第二显示设备dd2中的每一个的技术特征以及它们之间的连接关系可以应用于第三显示设备dd3和第四显示设备dd4。
234.图9至图11示出了第一显示设备dd1和第二显示设备dd2中的每一个的一部分的区域。
235.图9在平面图中示出了指定的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3。
236.图10在平面图中示出了指定的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3。
237.图11示出了其中图9和图10重叠的状态，以表示第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3与第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3之间的位置关系。
238.首先，参考图9，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以布置成图案。例如，图9示出了其中第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3布置在第一方向dr1上的实施方式，但是本公开不限于此。
239.根据实施方式，第一显示设备dd1中的彼此相邻的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以彼此间隔开第一分隔距离220。第二显示设备dd2中的彼此相邻的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以彼此间隔开第一分隔距离220。
240.例如，在显示设备dd中，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以在第二方向dr2上彼此间隔开第一分隔距离220。在第一显示设备dd1中，第一子像素区域spxa1和第二子像素区域spxa2可以彼此间隔开第一分隔距离220。在第一
显示设备dd1中，第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以彼此间隔开第一分隔距离220。在第二显示设备dd2中，第一子像素区域spxa1和第二子像素区域spxa2可以彼此间隔开第一分隔距离220。在第二显示设备dd2中，第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以彼此间隔开第一分隔距离220。
241.在实施方式中，第一相邻子像素区域2200可以与第二相邻子像素区域2400间隔开第二分隔距离240。例如，第一相邻子像素区域2200可以在第二方向dr2上与第二相邻子像素区域2400间隔开第二分隔距离240。
242.第一相邻子像素区域2200可以表示设置在第一显示设备dd1中的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的最靠近相邻的第二显示设备dd2的子像素区域。第二相邻子像素区域2400可以表示设置在第二显示设备dd2中的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的最靠近相邻的第一显示设备dd1的子像素区域。
243.在实施方式中，由第一相邻子像素区域2200代表的颜和由第二相邻子像素区域2400代表的颜可以彼此不同。
244.在实施方式中，第一相邻子像素区域2200和第二相邻子像素区域2400可以彼此间隔开，且结合区域ba插置在其之间。结合区域ba的厚度(例如，第一显示设备dd1的第一面板pnl1和第二显示设备dd2的第二面板pnl2之间的分隔距离)可以小于第二分隔距离240。然而，本公开不限于此。
245.在实施方式中，结合区域ba可以设置成与限定第二分隔距离240的第一相邻子像素区域2200和第二相邻子像素区域2400之间的区域不对准。
246.参考图10，第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以布置成图案。例如，图10示出了其中第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3布置在第一方向dr1上的实施方式，但是本公开不限于此。
247.根据实施方式，第一显示设备dd1中的彼此相邻的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。第二显示设备dd2中的彼此相邻的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。
248.例如，在显示设备dd中，第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以在第二方向dr2上彼此间隔开第一发射分隔距离320。
249.在第一显示设备dd1中，第一发射区域ema1和第二发射区域ema2可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。在第一显示设备dd1中，第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。在第二显示设备dd2中，第一发射区域ema1和第二发射区域ema2可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。在第二显示设备dd2中，第二发射区域ema2和第三发射区域ema3可以彼此间隔开第一发射分隔距离320。
250.在实施方式中，第一相邻发射区域3200可以与第二相邻发射区域3400间隔开第二发射分隔距离340。例如，第一相邻发射区域3200可以在第二方向dr2上与第二相邻发射区域3400间隔开第二发射分隔距离340。
251.第一相邻发射区域3200可以表示设置在第一显示设备dd1中的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3中的最靠近相邻的第二显示设备dd2的发射
区域。第二相邻发射区域3400可以表示设置在第二显示设备dd2中的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3中的最靠近相邻的第一显示设备dd1的发射区域。
252.根据实施方式，结合区域ba的厚度可以小于第二发射分隔距离340。例如，在平面图中，结合区域ba可以与限定第二发射分隔距离340的第一相邻发射区域3200和第二相邻发射区域3400之间的区域重叠。
253.根据实施方式，第一发射分隔距离320和第二发射分隔距离340可以彼此不同。例如，第一发射分隔距离320可以小于第二发射分隔距离340。
254.根据实施方式，第二发射分隔距离340可以大于第二分隔距离240。
255.为了制造拼接显示设备tdd，可以分别制造第一显示设备dd1和第二显示设备dd2并且将它们连接到彼此。在第一显示设备dd1中，发射区域ema可以制造成彼此间隔开第一发射分隔距离320。在第二显示设备dd2中，发射区域ema可以制造成彼此间隔开第一发射分隔距离320。在第一显示设备dd1和第二显示设备dd2连接到彼此的情况下，第一相邻发射区域3200和第二相邻发射区域3400可以彼此间隔开不同于第一发射分隔距离320的第二发射分隔距离340。
256.实验上，由于第一发射分隔距离320和第二发射分隔距离340彼此不同，所以结合区域ba可以被外部视觉识别。在该情况下，拼接显示设备tdd的可视性可以被削弱。
257.然而，根据实施方式，可以设置形成(或配置)拼接显示设备tdd的上面板的共享层100，从而可以改善外部可视性。
258.更具体地，参考图11，由包括在共享层100中的组件限定的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以布置成图案，而与第一面板pnl1和第二面板pnl2的各个组件的结构无关。
259.此外，由包括在共享层100中的组件限定的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以与由形成下面板的组件限定的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3的布置结构分开地布置成图案。参考图11，根据实施方式，可以看出，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3以及第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3设置成彼此不对准。
260.例如，第一显示设备dd1中的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3之间的分隔距离、第二显示设备dd2中的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3之间的分隔距离以及第一显示设备dd1和第二显示设备dd2彼此相邻的区域中的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3之间的分隔距离可以彼此基本上相等。
261.在该情况下，即使当由形成拼接显示设备tdd的下面板的组件(例如，第一面板pnl1和第二面板pnl2的组件)限定的第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3之间的分隔距离局部不均匀时，外部可视性也可以不被削弱。
262.根据实施方式，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以分别大于第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3。
263.例如，在平面图中，第一子像素区域spxa1的至少一部分可以突出而不与第一发射区域ema1重叠。在平面图中，第一发射区域ema1可以设置为包括在第一子像素区域spxa1中。在平面图中，第二子像素区域spxa2的至少一部分可以突出而不与第二发射区域ema2重
叠。在平面图中，第二发射区域ema2可以设置为包括在第二子像素区域spxa2中。在平面图中，第三子像素区域spxa3的至少一部分可以突出而不与第三发射区域ema3重叠。在平面图中，第三发射区域ema3可以设置为包括在第三子像素区域spxa3中。
264.然而，本公开不限于以上描述的示例。例如，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以等于或小于第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3。
265.根据实施方式，由于颜转换部ccl和滤器部cfl设置在共享层100中，所以可以改善外部可视性。如以上参考图8所描述的，设置成跨过显示设备dd的颜转换部ccl和滤器部cfl可以设置在共享层100中。具体地，颜转换部ccl可以包括配置为发射第一颜的光的第一颜部1200、配置为发射第二颜的光的第二颜部1400以及配置为发射第三颜的光的第三颜部1600。在该情况下，当从外部观察时，发射第一颜的光的第一子像素spxl1、发射第二颜的光的第二子像素spxl2以及发射第三颜的光的第三子像素spxl3可以由包括在共享层100中的颜转换部ccl的结构来限定。换句话说，即使当第一发射区域ema1、第二发射区域ema2和第三发射区域ema3局部不均匀地(具体地，在结合区域ba附近)设置在下面板中时，它们也可以不从外部被视觉识别。
266.此外，由于颜转换部ccl和滤器部cfl可以通过光工艺或光刻工艺或者印刷工艺形成，因此它们可以在大面积上执行，并且从而可以改善工艺生产率。
267.此外，根据实施方式，结合区域ba可以识别为相邻的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3之间的间隔区域或间隙，并且因此可以解决现有技术中可能出现的结合区域ba中的外部可视性问题。
268.以上描述仅仅是对本公开的技术思想的说明，并且对于本领域的普通技术人员显而易见的是，在不背离本公开的范围的情况下，可以以各种方式改变和修改本公开。因此，以上所描述的实施方式可以单独地或组合地实现。
269.因此，由于实施方式是说明性的并且不是限制性的，所以应当理解，本公开的技术精神不限于具体实施方式。等同范围内的所有技术思想应被解释为包括在本公开的范围内。
270.根据实施方式，可以提供一种拼接显示设备，其中改善了外部可视性并且改善了工艺生产率。
271.本公开不限于以上所描述的效果，并且本领域技术人员将从说明书和附图清楚地理解未提及的其它效果。

技术特征：

1.拼接显示设备，包括：第一面板，包括第一显示元件层；第二面板，包括第二显示元件层；以及共享层，包括颜转换部；其中，所述共享层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分在平面图中与所述第一面板重叠，其中，所述第二部分在平面图中与所述第二面板重叠，以及其中，所述颜转换部改变从所述第一面板和所述第二面板提供的光的波长。2.根据权利要求1所述的拼接显示设备，其中，所述第一面板和所述第二面板形成所述拼接显示设备的下面板，以及所述共享层形成所述拼接显示设备的上面板。3.根据权利要求1所述的拼接显示设备，其中，所述第一面板和所述第二面板设置在相同的层上，所述第一面板和所述第二面板彼此间隔开，以及在所述第一面板和所述第二面板之间设置有结合区域。4.根据权利要求3所述的拼接显示设备，其中，所述结合区域在平面图中与所述共享层重叠。5.根据权利要求1所述的拼接显示设备，其中，所述颜转换部包括：第一颜部，提供第一颜的光；第二颜部，提供第二颜的光；以及第三颜部，提供第三颜的光，以及所述第一颜部、所述第二颜部和所述第三颜部在平面图中与所述第一面板和所述第二面板重叠。6.根据权利要求5所述的拼接显示设备，还包括：第一子像素区域，发射所述第一颜的所述光，并且在平面图中与所述第一颜部重叠；第二子像素区域，发射所述第二颜的所述光，并且在平面图中与所述第二颜部重叠；以及第三子像素区域，发射所述第三颜的所述光，并且在平面图中与所述第三颜部重叠。7.根据权利要求6所述的拼接显示设备，其中，所述共享层还包括：第一滤器，在平面图中与所述第一子像素区域重叠；第二滤器，在平面图中与所述第二子像素区域重叠；以及第三滤器，在平面图中与所述第三子像素区域重叠。8.根据权利要求6所述的拼接显示设备，其中，所述第一显示元件层包括第一发光元件，并且所述第二显示元件层包括第二发光元件，其中，所述拼接显示设备还包括：发射区域，所述第一发光元件和所述第二发光元件设置在所述发射区域中，
其中，所述发射区域由包括在所述第一显示元件层和所述第二显示元件层中的组件限定。9.根据权利要求8所述的拼接显示设备，其中，所述第一显示元件层和所述第二显示元件层中的每一个包括在所述拼接显示设备的显示方向上突出的堤，以及所述堤具有围绕所述发射区域的形状。10.根据权利要求8所述的拼接显示设备，其中，所述发射区域包括：第一发射区域，在平面图中与所述第一子像素区域重叠；第二发射区域，在平面图中与所述第二子像素区域重叠；以及第三发射区域，在平面图中与所述第三子像素区域重叠。11.根据权利要求10所述的拼接显示设备，其中，所述第一颜部设置成在平面图中与所述第一发射区域不对准，所述第二颜部设置成在平面图中与所述第二发射区域不对准，以及所述第三颜部设置成在平面图中与所述第三发射区域不对准。12.根据权利要求10所述的拼接显示设备，其中，所述第一颜部的至少一部分在平面图中与所述第一发射区域重叠，以及所述第一颜部的其它部分在平面图中不与所述第一发射区域重叠。13.根据权利要求10所述的拼接显示设备，其中，所述第一面板和所述共享层的所述第一部分形成第一显示设备，所述第二面板和所述共享层的所述第二部分形成第二显示设备，在所述第一显示设备和所述第二显示设备中，所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域彼此相邻并且彼此间隔开第一分隔距离，所述第一显示设备的第一相邻子像素区域和所述第二显示设备的第二相邻子像素区域彼此间隔开第二分隔距离，所述第一相邻子像素区域是设置在所述第一显示设备中的所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域中的最靠近所述第二显示设备的区域，所述第二相邻子像素区域是设置在所述第二显示设备中的所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域中的最靠近所述第一显示设备的区域，以及所述第一分隔距离等于所述第二分隔距离。14.根据权利要求13所述的拼接显示设备，其中，在所述第一显示设备和所述第二显示设备中，所述第一发射区域、所述第二发射区域和所述第三发射区域彼此相邻并且彼此间隔开第一发射分隔距离，所述第一显示设备的第一相邻发射区域和所述第二显示设备的第二相邻发射区域彼此间隔开第二发射分隔距离，所述第一相邻发射区域是设置在所述第一显示设备中的所述第一发射区域、所述第二发射区域和所述第三发射区域中的最靠近所述第二显示设备的区域，所述第二相邻发射区域是设置在所述第二显示设备中的所述第一发射区域、所述第二发射区域和所述第三发射区域中的最靠近所述第一显示设备的区域，以及所述第一发射分隔距离不同于所述第二发射分隔距离。
15.根据权利要求14所述的拼接显示设备，其中，所述第二发射分隔距离大于所述第二分隔距离。16.根据权利要求14所述的拼接显示设备，其中，当从外部观察时，在所述第一子像素区域中观察到所述第一颜的所述光，在所述第二子像素区域中观察到所述第二颜的所述光，以及在所述第三子像素区域中观察到所述第三颜的所述光。17.根据权利要求14所述的拼接显示设备，其中，所述第一面板和所述第二面板设置在相同的层上，所述第一面板和所述第二面板彼此间隔开，在所述第一面板和所述第二面板之间设置有结合区域，以及所述结合区域的厚度小于所述第二分隔距离。18.根据权利要求5所述的拼接显示设备，其中，所述第一颜部包括将所述第三颜的所述光转换为所述第一颜的所述光的第一量子点，以及所述第二颜部包括将所述第三颜的所述光转换为所述第二颜的所述光的第二量子点。19.根据权利要求18所述的拼接显示设备，其中，所述第一显示元件层包括第一发光元件，并且所述第二显示元件层包括第二发光元件，以及其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个发射所述第三颜的所述光。20.根据权利要求13所述的拼接显示设备，其中，由所述第一相邻子像素区域提供的光的颜和由所述第二相邻子像素区域提供的光的颜彼此不同。21.根据权利要求1所述的拼接显示设备，其中，所述第一显示元件层包括第一发光元件，并且所述第二显示元件层包括第二发光元件，以及其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件是具有在纳米级至微米级的范围内的尺寸的有机发光二极管或发光二极管。22.拼接显示设备，包括：第一显示设备，包括：第一衬底；第一显示元件层，设置在所述第一衬底上；以及第一上层，设置在所述第一显示元件层上；以及第二显示设备，包括：第二衬底；第二显示元件层，设置在所述第二衬底上；以及第二上层，设置在所述第二显示元件层上，其中，所述第一上层和所述第二上层彼此是一体的，以及所述第一上层和所述第二上层中的每一个包括：第一颜部，包括第一量子点；以及第二颜部，包括第二量子点。
23.拼接显示设备，包括：第一子像素区域，发射第一颜的光；第二子像素区域，发射第二颜的光；第三子像素区域，发射第三颜的光；第一面板，包括：第一衬底；以及第一显示元件层，设置在所述第一衬底上并且包括发射所述第三颜的所述光的第一发光元件；第二面板，包括：第二衬底；以及第二显示元件层，设置在所述第二衬底上并且包括发射所述第三颜的所述光的第二发光元件；以及共享层，包括：第一区域，在平面图中与所述第一面板重叠；以及第二区域，在平面图中与所述第二面板重叠，其中，所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域由所述共享层限定。

技术总结

本申请涉及拼接显示设备。拼接显示设备可以包括：第一面板，包括第一显示元件层；第二面板，包括第二显示元件层；以及共享层，包括颜转换部。共享层可以包括第一部分和第二部分。第一部分在平面图中可以与第一面板重叠。第二部分在平面图中可以与第二面板重叠。颜转换部可以改变从第一面板和第二面板提供的光的波长。波长。波长。

技术研发人员：

许宗茂 郑镇旭 朴鲜 严基昶 李炚瑾

受保护的技术使用者：

三星显示有限公司

技术研发日：

2022.08.12

技术公布日：

2023/2/23