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用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的制作方法

用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术
1.交叉引用
2.本专利申请要求帕尔默(palmer)于2021年8月11日提交的题为“用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术(techniques for adjusting a granularity associated with read disturb tracking)”美国专利申请第17/399,771号的优先权，该美国专利申请被转让给其受让人，并且通过引用明确地并入本文。
技术领域
3.技术领域涉及用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术。

背景技术：

4.存储器装置广泛地用于将信息存储在如计算机、用户装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持的状态之一，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可以支持多于两种可能的状态，其中任何一种都可以由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可以将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、闪速存储器、相变存储器(pcm)、三维交叉点存储器(3d交叉点)、非或(nor)和非与(nand)存储器装置，及其它。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性更新，否则易失性存储器单元(例如，dram单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

技术实现要素：

6.描述了一种设备。设备可包含存储器装置和与存储器装置耦合的控制器。所述控制器可以被配置成接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的一组读取命令，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪基于执行所述一组读取命令的数量，确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值，并且基于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
7.描述了一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可以包含指令，所述指令当由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的一组读取命令，根据第一粒度跟踪对应于所述存储器阵
列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪基于执行所述一组读取命令的数量，确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值，并且基于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
8.描述了一种方法。所述方法可以包含接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的一组读取命令，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪基于执行所述一组读取命令的数量，确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值，以及基于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
附图说明
9.图1示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的系统的实例。
10.图2示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的系统的实例。
11.图3示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的计数器存储方案的实例。
12.图4示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的工艺流程的实例。
13.图5示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的存储器系统的框图。
14.图6示出了说明根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
15.与主机系统耦合的存储器系统可以随着时间的推移从主机系统接收多个读取命令。读取命令可以指示存储器系统读取存储器系统的一或多个存储器单元的一或多个逻辑状态。在一些实例中，重复地执行读取操作可能对存储器单元造成负面影响。例如，在读取操作期间，存储器系统可以将选定的存储器单元的字线偏置到阈值电压，并且在一些实例中，同时将选定的字线附近的未选定的字线偏置到相对高的电压(例如，高于阈值的电压)。但是在读取操作期间将未选定的字线重复地偏置到相对高的电压可能导致与未选定的字线相关联的存储器单元的编程逻辑状态发生改变，从而潜在地导致存储器单元的数据可靠性问题。为了减轻这种负面影响，存储器系统可以对存储器阵列的一或多个相应部分执行读取干扰补救操作。为了执行读取干扰补救操作，存储器系统可以实现计数器来跟踪在存储器阵列的每个部分处执行的读取命令的数量。如果在一部分处执行的读取命令的数量满足可靠性阈值，则存储在所述部分处的数据可以被移动到另一个位置以避免数据丢失(例
如，避免来自经执行的读取命令的偏置足以改变编程的逻辑状态，导致逻辑状态被误读或不可读)。然而，存储器阵列的一或多个部分可能无法达到可靠性阈值。这样，为跟踪与对应于这一或多个部分的读取干扰补救操作相关的计数器而分配的存储器和处理资源可能被浪费，因为存储器系统可能跟踪存储器阵列中不(或可能很少)触发读取干扰补救操作的部分的读取干扰补救信息。
16.如本文所述，存储器系统可以预测存储器阵列的哪些部分可以受益于读取干扰补救操作，并且将读取干扰补救操作应用于一或多个预测的部分。为此，存储器系统可以根据第一粒度将存储器阵列组织成多个部分，并且为每个部分采用计数器来跟踪在每个部分处执行的读取命令的数量。在一些实例中，第一粒度可以相对较粗。例如，存储器阵列可以被分成用于跟踪经执行的读取命令的存储器的块。存储器系统可以例如周期性地(或非周期性地)检查计数器，并且确定与一部分相关联的经执行的读取命令的数量是否满足基线阈值。基线阈值可以是可靠性阈值除以某个周期。如果与所述部分相关联的经执行的读取命令的数量超过基线阈值，则存储器系统可以调整粒度以用于跟踪所述部分的经执行的读取命令的数量。也就是说，存储器系统可以根据第二粒度将所述部分组织成一组第二部分，并且可以添加计数器，使得存储器系统可以跟踪在每个第二部分处执行的读取命令的数量。在一些实例中，第二粒度可以比第一粒度更细。例如，一或多个存储器部分可以进一步被分成页(例如，代替块)。
17.在一些实例中，超过基线阈值可能表明存储器阵列的一部分可以受益于读取干扰补救操作。这样，存储器系统可以对所述部分采用读取干扰补救操作。也就是说，存储器系统可以将与所述一组第二部分的第二部分相关联的经执行的读取命令的数量与可靠性阈值进行比较。如果经执行的读取命令的数量超过可靠性阈值，则存储器系统可以测试数据并将第二部分的数据重写到不同的位置(例如，如果测试指示数据的质量可以受益于重定位)。在一些实例中，随着跟踪粒度的改变(例如，增加或减少)，可以添加计数器、移除计数器，或者添加和移除计数器。例如，可以移除与一或多个部分相关联的计数器，并且可以添加与第二部分相关联的计数器。如果在存储器阵列中的一位置处执行读取命令，则存储器系统可以定位与所述位置相关联的计数器，并且递增计数器。在一些实例中，计数器可以根据特定的数据组织结构(例如，二叉树)被存储在存储器系统中。使用如本文所述的技术，存储器系统可以动态地调整读取干扰补救跟踪的粒度，以支持在存储器阵列的相对高使用率部分处的相对粒度的跟踪(例如，其中经执行的读取命令的数量超过第一阈值)，并且通过在存储器阵列的相对低使用率部分处执行相对低粒度的跟踪(例如，其中经执行的读取命令的数量未能满足第二阈值)来提供存储器和处理的节省。因此，存储器系统可以有效地识别存储器阵列的哪些区域正经历最多的读取流量，并且可以准确地将读取干扰补救操作应用于这些区域，同时减少参与跟踪其中读取流量低于阈值的其它区域的读取命令的资源。
18.参考图1和2，首先在系统和装置的上下文中描述了本公开的特征。参考图3和4，在计数器存储方案和处理流程的上下文中描述了本公开的特征。参考图5和6，在涉及用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的设备图和流程图的上下文中，进一步示出和描述了本公开的这些和其它特征。
19.图1示出了根据如本文所公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
20.存储器系统110可为或包含任何装置或装置的集合，其中所述装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪速存储器储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能的选项。
21.系统100可包含在计算装置中，所述计算装置如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。
22.系统100可以包含主机系统105，所述主机系统可以与存储器系统110耦合。在一些实例中，这种耦合可以包含与主机系统控制器106的接口，所述机系统控制器可以是被配置成使得主机系统105根据如本文所述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组和通过处理器芯片组执行的软件堆栈。例如，主机系统105可包含被配置成用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在所述主机系统中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，和存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可以使用存储器系统110，例如，向存储器系统110写入数据和从存储器系统110读取数据。尽管在图1中示出了一个存储器系统110，但是主机系统105可以与任何数量的存储器系统110耦合。
23.主机系统105可以经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105及存储器系统110可被配置成使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)，和低功率双数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，一或多个这类接口可以被包含在主机系统105的主机系统控制器106和存储器系统110的存储器系统控制器115中或者以其它方式被支持在它们之间。在一些实例中，主机系统105可以经由包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口，或者经由包含在存储器系统110中的每种类型的存储器装置130的相应物理主机接口，与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可以与存储器系统控制器115耦合)。
24.存储器系统110可以包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可以包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管在图1的实例中示出了两个存储器装置130-a和130-b，但是存储器系统110可以包含任何数量的存储器装置130。进一步地，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，则存储器系统110内的不同存储器装置130可以包含相同或不同类型的存储器单元。
25.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合和通信(例如，经由物理主机接口)，
并且可以是被配置成使得存储器系统110根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可以与存储器装置130耦合和通信，以在存储器装置130处执行如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据的操作，以及其它这样的操作，这些操作通常可以被称为存取操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行此类命令(例如，在所述一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。例如，存储器系统控制器115可以从主机系统105接收命令或操作，并且可以将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130的期望存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可以与主机系统105以及与一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或者以其它方式与来自所述主机系统的命令相关联)。例如，存储器系统控制器115可以将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的相应信号。
26.存储器系统控制器115可被配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。例如，存储器系统控制器115可执行或管理操作，如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测操作或错误校正操作等错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、背景刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。
27.存储器系统控制器115可包含硬件，如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可以包含具有专用(例如，硬编码)逻辑的电路系统，以执行本文中属于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可以是或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))或任何其它合适的处理器或处理电路系统。
28.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或其它可存储操作代码(例如，可执行指令)的存储器，所述操作代码可由存储器系统控制器115执行以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它可供存储器系统控制器115用于内部存储或计算的存储器，例如，与本文中属于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或计算。另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的高速缓存。例如，如果从存储器装置130读取或向其写入，那么数据可以存储在本地存储器120中，并且数据可在本地存储器120内供主机系统105(例如，相对于存储器装置130具有减小的时延)用于后续根据高速缓存策略进行检索或操控(例如，更新)。
29.尽管图1中的存储器系统110的实例已经被图示为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可能不包含存储器系统控制器115。例如，存储器系统110可以另外地或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或一或多个本地控制器135，其可以分别在存储器装置130内部，以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。一般而言，在一些情况下，本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能可以替代地由主机系统105、本地控制器135或其任何组合来执行。在一些情况下，至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
30.存储器装置130可以包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器
装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻式随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可以包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
31.在一些实例中，存储器装置130可以包含(例如，在同一裸片上或同一封装内)本地控制器135，所述本地控制器可以在相应存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。本地控制器135可以结合存储器系统控制器115操作，或者可以执行本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能。例如，如图1所示，存储器装置130-a可以包含本地控制器135-a，并且存储器装置130-b可以包含本地控制器135-b。
32.在一些情况下，存储器装置130可以是或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可以是或者包含存储器裸片160。例如，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可以是从晶片上切割下来的一块电子装置级半导体(例如，从硅晶片上切割下来的硅裸片)。每个裸片160可以包含一或多个平面165，并且每个平面165可以包含相应的一组块170，其中每个块170可以包含相应的一组页175，并且每个页175可以包含一组存储器单元。
33.在一些情况下，nand存储器装置130可包含被配置成各自存储一个信息位的存储器单元，其可被称为单层级单元(slc)。另外或替代地，nand存储器装置130可以包含被配置成各自存储多个信息位的存储器单元，如果被配置成各自存储两个信息位，则其可以被称为多层级单元(mlc)，如果被配置成各自存储三个信息位，则其可以被称为三层级单元(tlc)，如果被配置成各自存储四个信息位，则其可以被称为四层级单元(qlc)，或更一般地被称为多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于slc存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及用于支持电路系统的更窄读取或写入裕度或更大复杂度。
34.在一些情况下，平面165可以指块170的组，并且在一些情况下，并行操作可以发生在不同的平面165内。例如，只要不同的块170在不同的平面165中，就可以在不同的块170内的存储器单元上执行并行操作。在一些情况下，单独的块170可以被称为物理块，并且虚拟块180可以指其中可以发生并行操作的一组块170。例如，可以对分别在平面165-a、165-b、165-c和165-d内的块170-a、170-b、170-c和170-d执行并行操作，并且块170-a、170-b、170-c和170-d可以被统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可以包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可以在它们相应的平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可以是平面165-a的“块0”，块170-b可以是平面165-b的“块0”，等等)。在一些情况下，在不同平面165中进行并行操作可能受制于一或多个限制，如对不同页175内的存储器单元进行并行操作，所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如，与命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统相关)。
35.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如，串，未展示)的存储器单元。例如，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，并且同一串中的存
储器单元可共享共同数字线(其可替代地被称为位线)(例如，与其耦合)。
36.对于一些nand架构，存储器单元可在第一粒度级(例如，在页粒度级)读取和编程(例如，写入)，但可在第二粒度级(例如，在块粒度级)擦除。也就是说，页175可为可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的一部分同时编程或读取)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元，且块170可为可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的一部分同时擦除)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元。进一步地，在一些情况下，nand存储器单元可在其可用新数据重写之前进行擦除。因此，举例来说，在一些情况下，所使用的页175直到包含页175的整个块170已被擦除才可被更新。
37.在一些情况下，为了更新块170内的一些数据，同时保留块170内的其它数据，存储器装置130可以将待保留的数据复制到新块170，并将更新的数据写入新块170的一或多个剩余页。存储器装置130(例如，本地控制器135)或存储器系统控制器115可以将保留在旧块170中的数据标记或以其它方式指定为无效或过时，并且可以更新逻辑到物理(l2p)映射表，以将数据的逻辑地址(例如，lba)与新的有效块170而不是旧的无效块170相关联。在一些情况下，例如，考虑到等待时间或损耗，可以执行这种复制和重新映射，而不是擦除和重写整个旧块170。在一些情况下，l2p映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如，或一或多个块170或平面165内)，以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如，参考和更新)。
38.在一些情况下，可以维持l2p映射表且可以页级的粒度将数据标记为有效或无效的，并且页175可以含有效数据、无效数据或不含数据。无效数据可以是由于数据的较新版本或更新版本存储在存储器装置130的不同页175中而过时的数据。无效数据先前可能已被编程到无效页175，但可能不再与有效逻辑地址(如由主机系统105参考的逻辑地址)相关联。有效数据可以是存储在存储器装置130上的此类数据的最新版本。不包含数据的页175可以是从未被写入或已被擦除的页175。
39.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可以执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的一部分)，如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。例如，在存储器装置130内，块170可以具有含有效数据的一些页175和含无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170，可调用被称作“垃圾收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指媒体管理操作集，其包含例如选择含有效和无效数据的块170、选择块中含有效数据的页175、将来自选定页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选定的页175中的数据标记为无效，以及擦除选定块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收到的数据)。
40.系统100可以包含任何数量的非暂时性计算机可读媒体，其支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可以包含或以其它方式可以存取存储指令(例如，固件)的一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述指令用于执行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。例如，这类指令如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，则这类指令可以使得主机
系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文所述的一或多个相关联的功能。
41.在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例是mnand系统。
42.在一些实例中，存储器系统110可以执行读取操作，以确定存储在存储器装置130中包含的存储器阵列的一或多个存储器单元处的一或多个逻辑状态。在一些实例中，在同一位置处执行多个读取操作可能会无意地改变存储在所述位置处的数据。为了减轻数据劣化，存储器系统110可以在存储器阵列上采用读取干扰补救操作。为了执行读取干扰补救操作，存储器系统110可以跟踪存储器阵列的一部分被存取了多少次。也就是说，存储器系统110可以将存储器装置130的存储器阵列组织成不同的部分，并且可以为每个部分存储指示在所述部分上执行的读取命令的数量的计数器。如果对应于一部分的经执行的读取命令的数量超过可靠性阈值，则存储器装置130可以将存储在所述部分处的数据重写到不同的位置(例如，从写入的数据中移除由经执行的读取命令引起的非预期的电压修改)。
43.一些存储器系统可以将读取干扰补救操作应用于与存储器装置的存储器阵列的阈值数据大小(例如，用于读取数据的最小阈值大小)对应的部分。也就是说，存储器系统可以为存储器阵列的每个物理位置(例如，用于读取数据的最小阈值大小的每个单位)维持读取计数器。因此，用于读取干扰补救跟踪的每个部分可以对应于存储器阵列处的4千字节(kb)的存储，并且存储器系统可以使用4字节的存储来维持用于每4千字节的存储的计数器。因此，与这些部分相关联的这类计数器可能占用存储器中的宝贵空间(例如，高达存储装置的容量的1/1024)。此外，存储器阵列的一些部分可能很少或从不达到可靠性阈值，使得一或多个计数器可以通过触发读取干扰补救操作来使用存储器资源而不增加价值。
44.相反，如本文所述，存储器系统110可以调整存储器阵列的读取跟踪的粒度。通过动态地调整粒度，存储器系统110可以支持读取干扰补救，同时减少与跟踪经执行的读取命令相关联的存储器和处理开销。在一些实例中，存储器系统110可以根据第一粒度将存储器阵列组织成多个部分。例如，存储器系统110可以将存储器阵列分成不同的块170。对于每个部分，存储器系统110可以使用计数器来跟踪经执行的读取命令的数量，其中每个计数器对应于不同的部分。在一些实例中，计数器可以存储在存储器系统控制器115或存储器装置130处。存储器系统110可以周期性地(或非周期性地，如响应于触发)将这些部分的经执行的读取命令的数量与基线阈值进行比较。如果与一部分相关联的经执行的读取命令的数量满足基线阈值，则存储器系统110可以调整所述部分的读取跟踪的粒度。例如，如果所述部分超过基线阈值，则存储器系统110可以根据第二粒度将所述部分细分成多个第二部分。作为实例，如果一或多个部分是块170，则存储器系统110可以使用计数器来跟踪对块170的页175的执行的读取命令，将对块的读取命令跟踪从块级粒度调整到页级粒度。也就是说，存储器系统110可以存储附加计数器，其中每个附加计数器对应于第二粒度的不同的第二部分。
45.在一些实例中，存储器系统110可以重复此过程，并且动态地调整存储器阵列的不同部分的跟踪粒度(例如，增加粒度、降低粒度或保持粒度)。存储器系统110可以周期性地
将与跟踪的部分(例如，对应于任何数量的不同粒度的部分)相关联的经执行的读取命令的数量与基线阈值进行比较，并相应地调整粒度。作为另一实例，存储器系统110可以对跟踪的部分执行读取干扰补救操作。也就是说，存储器系统110可以将用于一部分的经执行的命令读取的数量与可靠性阈值进行比较。如果用于一或多个部分的经执行的命令读取的数量超过可靠性阈值(例如，相同的可靠性阈值或粒度相关的可靠性阈值)，则存储器系统110可以将存储在一或多个部分的数据重写到一或多个其它位置，以支持读取干扰补救。
46.图2示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的系统200的实例。系统200可以是如参照图1或其方面描述的系统100的实例。系统200可包含存储器系统210，其配置成存储从主机系统205接收到的数据，且如果由主机系统205使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)来请求，那么将数据发送到主机系统205。系统200可以实现如参照图1描述的系统100的方面。例如，存储器系统210和主机系统205可分别是存储器系统110和主机系统105的实例。
47.存储器系统210可包含存储器装置240，以例如响应于从主机系统205接收到存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传送的数据，如本文中所描述。存储器装置240可以包含如参考图1描述的一或多个存储器装置。例如，存储器装置240可以包含nand存储器、pcm、自选择存储器、3d交叉点、其它基于硫族化物的存储器、feram、mram、nor(例如，nor闪存)存储器、stt-mram、cbram、rram或oxram。
48.存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递，例如用于存储数据、检索数据，以及确定待将数据存储在其中和待从其检索数据的存储器位置。存储控制器230可以使用特定于每种类型的存储器装置240的协议直接或经由总线(未示出)与存储器装置240通信。在一些情况下，单个存储控制器230可以用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下，存储器系统210可以包含多个存储控制器230，例如，用于每种类型的存储器装置240的不同的存储控制器230。在一些情况下，存储控制器230可以实现如参考图1描述的本地控制器135的方面。
49.存储器系统210可以另外地包含用于与主机系统205通信的接口220和用于暂时存储在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据的缓冲器225。接口220、缓冲器225和存储控制器230可以用于在主机系统205与存储器装置240之间传送数据，例如，如由数据路径250所示，并且可以被统称为数据路径组件。
50.在传送期间使用缓冲器225暂时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据，由此减少命令之间的时延且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处理命令爆发，且一旦爆发停止，就可存储或传输(或两者)经缓冲数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如，一些类型的易失性存储器，如sram或dram)或硬件加速器或这两者，以允许快速存储和检索进出缓冲器225的数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传送的数据路径切换组件。
51.数据在缓冲器225内的暂时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说，在完成存取命令后，相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如，可用附加存取命令的数据覆写)。此外，缓冲器225可以是非高速缓存缓冲器。也就是说，通过主机系统205不能直接从缓冲器225中读取数据。例如，可以将读取命令添加到队列中，而无需将地址与已经在缓冲器225中的地址相匹配的操作(例如，无需高速缓存地址匹配或查操
作)。
52.存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收到的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可以是如参考图1描述的存储器系统控制器115的实例。总线235可用于在系统组件之间通信。
53.在一些情况下，一或多个队列(例如，命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270)可用于控制存取命令的处理和对应数据的移动。例如，如果通过存储器系统210并行处理来自主机系统205的多于一个存取命令，这可能是有益的。命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270分别在接口220、存储器系统控制器215和存储控制器230处被描绘，作为可能的实现方式的实例。然而，队列(如果使用的话)可位于存储器系统210内的任何位置。
54.在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如，命令、状态信息)不同的路径。例如，存储器系统210中的系统组件可以使用总线235彼此通信，而数据可以通过数据路径组件而不是总线235使用数据路径250。存储器系统控制器215可以通过经由总线235(例如，使用特定于存储器系统210的协议)与数据路径组件通信来控制如何以及是否在主机系统205与存储器装置240之间传输数据。
55.如果主机系统205将存取命令传输到存储器系统210，那么命令可由接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)接收。因此，接口220可以被认为是存储器系统210的前端。在接收到每个存取命令时，接口220可以例如经由总线235将命令传送到存储器系统控制器215。在一些情况下，通过接口220可以将每个命令添加到命令队列260中，以将命令传送到存储器系统控制器215。
56.存储器系统控制器215可以根据来自接口220的通信确定是否已经接收到存取命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可以通过从命令队列260中检索命令来确定已经接收到存取命令。在例如由存储器系统控制器215从命令队列260中检索到命令之后，可以从所述命令队列中移除命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可以例如经由总线235使接口220从命令队列260中移除命令。
57.在确定已接收到存取命令后，存储器系统控制器215就可执行存取命令。对于读取命令，这可能意味着从存储器装置240获得数据并将数据传输到主机系统205。对于写入命令，这可能意味着从主机系统205接收数据并将数据移动到存储器装置240。
58.在任一情况下，存储器系统控制器215可使用缓冲器225暂时存储从主机系统205接收或发送到所述主机系统的数据，以及其它用处。缓冲器225可被视为存储器系统210的中端。在一些情况下，缓冲器地址管理(例如，寻址缓冲器225中的位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如，专用电路)执行。
59.为了处理从主机系统205接收到的写入命令，存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定缓冲器225内可用于存储与写入命令相关联的数据的空间量。
60.在一些情况下，缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流，包含写入命令。缓冲器队列265可以包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下，命令队列260中的命令可以由存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265，并且可以保留在缓冲器队列265中，同时将相关联的数据存储在缓冲器225
中。在一些情况下，缓冲器队列265中的每个命令可以与缓冲器225中的地址相关联。也就是说，可以维护指示与每个命令相关联的数据存储在缓冲器225中何处的指针。使用缓冲器队列265，可从主机系统205循序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少若干部分。
61.如果缓冲器225具有足够的空间来存储写入数据，则存储器系统控制器215可以使接口220向主机系统205传输可用性的指示(例如，“准备传送”指示)，例如，根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)。当接口220随后从主机系统205接收与写入命令相关联的数据时，接口220可以使用数据路径250将数据传送到缓冲器225用于暂时存储。在一些情况下，接口220可以从缓冲器225或缓冲器队列265获得在缓冲器225内存储数据的位置。接口220可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成到缓冲器225的数据传送。
62.一旦写入数据已经通过接口220存储在缓冲器225中，数据可以传送到缓冲器225之外并存储于存储器装置240中。这可以使用存储控制器230完成。例如，存储器系统控制器215可使存储控制器230使用数据路径250检索缓冲器225之外的数据，并将数据传送到存储器装置240。存储控制器230可被视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示到存储器装置240的存储器装置的数据传送已经完成。
63.在一些情况下，存储队列270可用于辅助写入数据的传送。例如，存储器系统控制器215可将写入命令从缓冲器队列265推送(例如，经由总线235)到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每一存取命令的条目。在一些实例中，存储队列270可另外包含：缓冲器指针(例如，地址)，其可指示在缓冲器225中何处存储与命令相关联的数据；和存储指针(例如，地址)，其可指示存储器装置240中与数据相关联的位置。在一些情况下，存储控制器230可以从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得缓冲器225内的位置，从所述位置获得数据。存储控制器230可管理存储器装置240内的存储数据(例如，进行耗损均衡、垃圾收集和其类似物)的位置。这些条目可以例如通过存储器系统控制器215被添加到存储队列270中。在完成数据的传送时，例如由存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270中移除条目。
64.为了处理从主机系统205接收到的读取命令，存储器系统控制器215可再次首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间以存储与命令相关联的数据。例如，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与读取命令相关联的数据的空间量。
65.在一些情况下，缓冲器队列265可用于以与上文关于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。例如，如果缓冲器225具有足够的空间来存储读取数据，则存储器系统控制器215可以使存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据，并且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以用于暂时存储。存储控制器230可以例如经由总线235向存储器系统控制器215指示到缓冲器225的数据传送已经完成。
66.在一些情况下，存储队列270可用于辅助读取数据的传送。例如，存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内的从其检索数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内用以存储数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内的存储数据的位置。在一些情况下，存储器系统
控制器215可将存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。
67.一旦数据已经通过存储控制器230存储在缓冲器225中，可以将数据从缓冲器225中传送出来，并发送至主机系统205。例如，存储器系统控制器215可以使接口220使用数据路径250从缓冲器225中检索数据，并且例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将数据传输到主机系统205。举例来说，接口220可处理来自命令队列260的命令，且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示到主机系统205的数据传输已完成。
68.存储器系统控制器215可根据次序(例如，根据命令队列260的次序的先入先出次序)执行接收到的命令。对于每一命令，存储器系统控制器215可使得对应于命令的数据移动进出缓冲器225，如上文所论述。随着数据被移动到并存储在缓冲器225中，命令可以保留在缓冲器队列265中。如果命令的处理已经完成(例如，如果对应于存取命令的数据已经被传送出缓冲器225)，则可以例如由存储器系统控制器215从缓冲器队列265中移除命令。如果从缓冲器队列265移除命令，则先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。
69.存储器系统控制器215可以另外地被配置成用于与存储器装置240相关联的操作。例如，存储器系统控制器215可以执行或管理操作，如损耗平衡操作、垃圾收集操作、如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监视，以及与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如，lba)和与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。也就是说，主机系统205可以发出指示一或多个lba的命令，并且存储器系统控制器215可以识别由lba指示的一或多个物理块地址。在一些情况下，一或多个连续lba可对应于不连续的物理块地址。在一些情况下，存储控制器230可以被配置成结合存储器系统控制器215或代替所述存储器系统控制器执行一或多个上述操作。在一些情况下，存储器系统控制器215可以执行存储控制器230的功能，并且可以省略存储控制器230。
70.在一些实例中，存储器系统210可以从主机系统205接收读取命令。读取命令可以指示存储器系统210读取存储在存储器装置240的存储器阵列的位置处的数据。在一些实例中，存储器系统210可以跟踪在存储器阵列的不同部分处经执行的读取命令的数量。例如，存储器系统210可以根据第一粒度将存储器阵列分成不同的部分。根据第一粒度划分存储器阵列可以涉及跟踪在存储器阵列的不同页处执行的读取命令。每个部分可以对应于用于跟踪经执行的读取命令的不同计数器275，并且存储器系统210可以将计数器275存储在存储器系统210处。例如，存储器系统210可以将计数器275存储在存储器系统控制器215处(例如，在sram中)或存储器装置240处。如果执行了与一部分相关联的读取命令，则存储器系统210可以定位与所述部分相关联的计数器275，并且递增计数器275。
71.在一些实例中，存储器系统210可以周期性地(例如，每天)将计数器275与一或多个阈值进行比较。在一些实例中，一或多个阈值可以包含第一阈值和第二阈值中的一或两个。第一阈值可以与可靠性阈值相关联，其中可靠性阈值可以对应于在数据可能经历读取干扰效应之前可以被存取的次数的阈值量。例如，第一阈值可以是可靠性阈值除以特定周期。在一些实例中，存储器系统210可以预先配置有可靠性阈值。也就是说，可靠性阈值可以是装置特定的(例如，存储器装置特定的)。第二阈值可小于第一阈值。作为一个实例，可靠性阈值可以是100,000个经执行的读取命令，并且存储器阵列可以每30天刷新一次。如果存
储器系统210每天周期性地检查计数器275，则第一阈值可以是每天3,333个经执行的读取命令，并且第二阈值可以是小于每天3,333个经执行的读取命令。在一些情况下，第一阈值可以触发增大读取干扰跟踪的粒度，并且第二阈值可以触发减小读取干扰跟踪的粒度。在一些实例中，一旦存储器系统210将计数器275与第一阈值、第二阈值或两者进行比较，存储器系统210可以从计数器275中减去第一阈值(或者如果减去第一阈值导致计数器275为负值，则将计数器275设置为零)。
72.如果与一或多个部分相关联的经执行的读取命令的数量超过第一阈值，则存储器系统210可以将一或多个部分的跟踪粒度增加至第二粒度。例如，存储器系统210可以根据第二粒度将一或多个部分划分成多个第二部分。作为实例，如果一或多个部分是块，则第二部分可以是字线的集合。存储器系统210可以跟踪每个第二部分而不是一或多个部分的经执行的读取命令的数量。也就是说，存储器系统210可以存储附加计数器275，其中每个附加计数器对应于第二部分。在一些实例中，存储器系统210可以移除(或撤销激活)对应于一或多个部分的计数器275，并重新分配存储器以存储对应于第二部分的计数器275。在一些其它实例中，存储器系统210可以重新使用对应于一或多个部分的计数器275作为第二部分的计数器，并且可以添加一或多个附加计数器275来支持第二部分的增加的粒度。在一些实例中，存储器系统210可以对第二部分执行读取干扰补救，如参考图1所述。可替代地，如果与存储器阵列的一或多个部分相关联的经执行的读取命令的数量没有超过第一阈值，则存储器系统210可以不增加一或多个部分的跟踪粒度。
73.在一些情况下，如果与一或多个部分相关联的经执行的读取命令的数量未超过第二阈值，则存储器系统210可以降低一或多个部分的跟踪粒度。例如，存储器系统210可以将一或多个部分分组为一或多个第三部分，其中第三部分的数量小于部分的初始数量。作为一个实例，如果存储器部分是页，则一或多个第三部分可以是块。存储器系统210可以跟踪一或多个第三部分而不是一或多个部分的经执行的读取命令的数量。也就是说，存储器系统210可以存储与一或多个第三部分相关联的附加计数器275。在一些实例中，存储器系统210可以移除(或撤销激活)对应于一或多个部分的计数器，并重新分配存储器以存储对应于一或多个第三部分的计数器275。
74.在一些情况下，第一阈值和第二阈值可以是相同的阈值，使得如果超过阈值，则存储器系统可以增加粒度，并且如果不满足阈值，则存储器系统可以降低粒度。可替代地，第一阈值和第二阈值可以不同，其中第一阈值和第二阈值可以分别定义范围的上限和下限，其中粒度可以保持不变。
75.在一些实例中，存储器系统210可以使用数据组织结构(例如，二叉树)定位和递增计数器275。二叉树的根节点可以对应于最粗的粒度。随着粒度的改变，节点可以从二叉树中移除，添加到二叉树中，或者两者。如果在存储器阵列的位置处执行读取命令，则存储器系统210可以在二叉树中搜索对应于存储器阵列的位置的计数器275，并且递增计数器275以跟踪经执行的读取命令。本文描述的技术可以允许存储器系统210定位存储器阵列中比存储器阵列的其它区域更频繁被存取的区域。存储器系统210可以调整跟踪粒度(例如，使用计数器275)并相应地执行读取干扰补救操作。
76.图3示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的计数器存储方案300的实例。在一些实例中，计数器存储方案300可以实现系统100
和系统200的方面。例如，计数器存储方案300可以包含计数器305，其可以是如参考图2描述的计数器275的实例。另外，存储器系统(例如，如参考图1和2描述的存储器系统110或存储器系统210)可以执行计数器存储方案300。
77.如参考图2所述，存储器系统可以被配置有一或多个与读取跟踪相关联的阈值。例如，存储器系统可以被配置有用于增加读取跟踪的粒度的第一阈值、用于降低读取跟踪的粒度的第二阈值或两者。可以使用如存储器系统的刷新周期、在引退数据之前读取命令的阈值(例如，最大)数量(例如，以减轻读取干扰发生)、检查经执行的读取命令的数量的周期或其任何组合的条件来确定第一阈值。例如，第一阈值可以是引退数据之前的读取命令的阈值数量除以刷新周期除以检查经执行的读取命令的数量的周期。在一个实例中，如果用于引退数据的经执行的读取命令的阈值数量是100,000，刷新周期是30天，并且检查经执行的读取命令的数量的周期是每天一次，则第一阈值可以是每天3,333个经执行的读取命令。在一些实例中，第二阈值可以低于第一阈值。例如，可以使用第一阈值和用于减小粒度的程序来确定第二阈值。例如，如果用于减小粒度的程序涉及将第一粒度的四个部分组合成第二粒度的单个部分，则第二阈值可以是第一阈值的四分之一。
78.在t0时，存储器系统可以根据第一粒度跟踪存储器阵列的经执行的读取命令。例如，存储器系统可以将存储器阵列分成部分310，并且对应于部分310的计数器305-a可以被存储在存储器系统处(例如，被存储在存储器系统控制器处)。在部分310处执行读取命令时，存储器系统可以递增计数器305-a。在一些实例中，存储器系统可以周期性地(例如，每天)检查计数器305-a以确定计数器305-a是否满足第一阈值或第二阈值中的一者。
79.在一些实例中，存储器系统可以确定计数器305-a在t1时是否超过(例如，超过)第一阈值，并且可以增加与部分310的读取跟踪相关联的粒度。例如，存储器系统可以根据第二粒度划分部分310。也就是说，存储器系统可以将部分310划分为部分315-a和部分315-b。存储器系统可以另外存储对应于部分315-a和部分315-b的计数器305(例如，分别是计数器305-b和计数器305-c)，以跟踪部分315-a和部分315-b的读取命令。在一些实例中，存储器系统可以响应于粒度的增加而撤销激活计数器305-a，并且将用于存储计数器305-a的存储器重新分配用于其它操作。在一些实例中，存储器系统可以重复如上所述的过程。也就是说，存储器系统可以周期性地检查计数器305-b和计数器305-c，并且确定计数器305-b、计数器305-c或两者是否满足第一阈值或第二阈值中的一者。可替代地，存储器系统可以停止粒度的调整(例如，在完成设置跟踪粒度的初始调整过程之后)，并且可以使用计数器305-b和计数器305-c对部分315-a、部分315-b或两者执行读取干扰补救操作。
80.在一些实例中，存储器系统可以确定计数器305-b在t2时是否超过第一阈值，并且可以增加与部分315-a的读取跟踪相关联的粒度。例如，存储器系统可以根据第三粒度划分部分315-a。也就是说，存储器系统可以将部分315-a分成部分320-a和部分320-b，并且可以存储对应于部分320-a和部分320-b的计数器305(例如，分别是计数器305-d和计数器305-e)。在一些实例中，存储器系统可以响应于粒度的增加而撤销激活计数器305-b，并且可以将用于存储计数器305-b的存储器重新分配用于其它操作。此外，存储器系统可以确定计数器305-c是否没有超过(例如，没有超过)t2时的第一阈值，并且可以保持对部分315-b的跟踪粒度。也就是说，存储器系统可以不在t2时添加或撤销激活与部分315-b相关联的任何计数器。因此，存储器系统可以使用不同的粒度来跟踪针对存储器阵列的不同部分执行的读
取命令。通过动态地调整粒度，存储器系统可以执行对读取命令的有效跟踪，以支持读取干扰补救。例如，存储器系统可以在执行相对频繁的读取操作的存储器阵列的部分中执行相对高粒度的跟踪(例如，高分辨率跟踪，如在页级粒度、页线组级粒度、字线级粒度)，以支持有针对性且高效的读取干扰补救，并且可以在执行相对不频繁的读取操作的存储器阵列的部分中执行相对低粒度的跟踪(例如，虚拟块级粒度、块级粒度)，以支持存储器和处理资源节省。
81.在一些实例中，存储器系统可以重复如上所述的过程。也就是说，存储器系统可以周期性地检查计数器305-d、计数器305-e和计数器305-c，并且确定是否任何计数器305满足第一阈值或第二阈值中的一者。可替代地，存储器系统可以停止粒度的调整，并且使用计数器305对部分320-a、部分320-b、部分315-b或其某种组合执行读取干扰补救操作。
82.存储器系统可以分级地存储计数器305。例如，存储器系统可以根据树结构或另一种数据结构来存储计数器305。如果使用二叉树结构存储计数器305，则与最粗粒度相关联的计数器可以对应于树的根节点。例如，计数器305-a可以对应于节点325-a。如果计数器305-a在t1时超过第一阈值，则存储器系统可以标记节点325-a，并将节点325-b和节点325-c添加到树结构中，其中节点325-b和节点325-c可以是节点325-a的子节点。节点325-b可以对应于计数器305-b，并且节点325-c可以对应于计数器305-c。如果在时间t1(或之后)，在位于存储器阵列的部分315-a内的一或多个存储器单元上执行读取命令，存储器系统可以遍历该树以识别对应于这一或多个存储器单元的节点325-b，并且递增对应的计数器305-b。也就是说，在创建节点325-b和节点325-c时，存储器系统可以确定用于从节点325-a遍历的逻辑。例如，如果经执行的读取命令指示第一组地址内的存储器阵列内的地址(例如，lba，物理地址)，则存储器系统可以从节点325-a遍历到节点325-b，而如果存储器阵列内的地址在第二组地址内，则存储器系统可以从节点325-a遍历到节点325-c。一旦存储器系统到达节点325而在二叉树中没有任何另外的分支，则存储器系统可以确定递增对应于节点325的计数器305。
83.例如，如果计数器305-b在时间t2时超过第一阈值，则存储器系统可以标记节点325-b，并将节点325-d和节点325-e添加到树结构中，其中节点325-d和节点325-e是节点325-b的子节点。节点325-d可以对应于计数器305-d，并且节点325-e可以对应于计数器305-e。如果在时间t2(或之后)在部分320-a处执行读取命令，则存储器系统可以将树遍历到节点325-d并递增相应的计数器305-d。也就是说，存储器系统可以识别出节点325-b具有子节点325，并且可以继续沿着树向下到节点325-d。在一些实例中，节点325也可以从树中移除。例如，如果存储器系统确定部分320-a和部分320-b未超过第一阈值并且在稍后时间低于第二阈值，那么存储器系统可以减小用于读取跟踪的粒度，并将部分320-a和部分320-b组合成用于跟踪的共同部分(例如，部分315-a)。在这种实例中，可以从二叉树中移除一或多个节点325(例如，节点325-d和节点325-e)，以反映粒度的减小，并且允许存储器系统准确地确定对于经执行的读取命令递增哪个计数器305。
84.图4示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的工艺流程400的实例。工艺流程400可以由存储器系统(或其一或多个组件)执行，例如，如参考图1和2描述的存储器系统110或存储器系统210。在一些情况下，可以实现以下的替代实例，其中一些操作可以以与所描述的不同的顺序执行或者根本不执行。另外或替
代地，操作可包含下文中未提及的附加特征，或可添加其它过程。
85.在405处，从主机系统接收一组读取命令。读取命令可以是存取命令的实例，并且可以指示存储器系统读取存储在存储器装置中的数据。
86.在410处，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。第一粒度可以是存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度、字线级粒度或任何其它支持的粒度的实例。如果在存储器阵列的第一部分处执行读取命令，则存储器系统可以递增与第一部分相关联的计数器。为了定位与第一部分相关联的计数器，存储器系统可以搜索数据(例如，根据树结构存储的数据)。在一些实例中，计数器或数据中的一或两个可以被存储在存储器系统的存储器系统控制器中。
87.在415处，可以确定(例如，由存储器系统)对应于存储器阵列的第一部分的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值。满足阈值可以涉及对应于第一部分的读取命令的数量低于或高于阈值。在一些实例中，存储器系统可以维护实时时钟(rtc)，并且可以在使用rtc识别出第一持续时间(例如，24小时)已经过去之后，确定对应于第一部分的读取命令的数量是否满足阈值。如果对应于第一部分的读取命令的数量满足阈值，则在420处，存储器系统可以调整跟踪读取命令的粒度。如果对应于第一部分的读取命令的数量不满足阈值，则存储器系统可以使用第一粒度继续跟踪针对第一部分的经执行的读取命令(例如，在410处)。
88.在420处，将第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪经执行的读取命令的数量。如果满足阈值涉及对第一部分的经执行的读取命令的数量超过阈值，则存储器系统可以增加用于跟踪的粒度。也就是说，存储器系统可以根据第二粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令。在另一实例中，如果满足阈值对应于与第一部分相对应的经执行的读取命令的数量低于阈值，则存储器系统可以减小用于跟踪的粒度。随着用于跟踪的粒度的改变，用于存储计数器的数据可能会改变。例如，如果用于跟踪的粒度增加，则一或多个附加节点可以被添加到数据中，并且如果粒度减小，则一或多个节点可以被移除。作为一个实例，如果粒度增加，则可以添加对应于存储器阵列的第一部分的子部分的一或多个附加节点。在一些实例中，第二粒度可以是存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度、字线级粒度或任何其它支持的粒度(例如，不同于第一粒度)的实例。
89.工艺流程400可以支持存储器系统为存储器阵列的存取相对频繁且相应地处于读取干扰可靠性问题风险中的区域维持相对高分辨率的读取计数。然而，存储器系统可以为存储器阵列的存取相对不频繁的其它区域维持相对低分辨率的读取计数，以改善存储器使用率，同时仍然跟踪与读取干扰缓解相关联的信息(例如，什么数据被最频繁地存取，数据被存取的频率，数据被存储在何处，数据是否应该被存取以进行迁移或补救，或者信息的某种组合)。
90.工艺流程400的各方面可以由系统(如存储器系统)中的控制器及其它组件实施。例如，存储器系统的存储器系统控制器可以执行工艺流程400的一或多个方面。另外或替代地，工艺流程400的方面可以被实现为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器系统耦合的存储器中的固件)。例如，如果指令由控制器(例如，存储器系统控制器)执行，则可以使控制器执行工艺流程400的操作。
91.图5示出了根据如本文公开的实例的支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术的存储器系统520的框图500。存储器系统520可以是如参考图1至4描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统520或其各种组件可以是用于执行如本文所述的调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的各个方面的装置的实例。例如，存储器系统520可以包含读取命令组件525、命令跟踪组件530、阈值组件535、粒度组件540、干扰补救组件545、时钟组件550、数据存储组件555或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。在一些实例中，存储器系统520可以是设备的实例，所述设备包含存储器装置和控制器，所述控制器与存储器装置耦合并被配置成使得所述设备执行本文描述的一或多个操作。在一些情况下，存储器装置可以包含存储器阵列，并且存储器阵列可以包含用于存储数据的一或多个存储器单元。
92.读取命令组件525可以被配置为或以其它方式支持用于接收多个读取命令的装置，所述多个读取命令用于访问(例如，存储器装置的)存储器阵列的一或多个存储器单元。命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持用于根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的装置，所述跟踪至少部分地基于(例如，响应于)执行多个读取命令的数量。阈值组件535可以被配置为或以其它方式支持用于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值的装置。粒度组件540可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度以跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
93.在一些实例中，至少部分地基于(例如，由于)经执行的读取命令的数量超过第一阈值，对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值。在一些这样的实例中，为了支持从第一粒度到第二粒度的切换，粒度组件540可以被配置为或以其它方式支持用于增加粒度的装置，所述粒度用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
94.在一些实例中，至少部分地基于(例如，由于)经执行的读取命令的数量小于第二阈值，对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值。在一些这样的实例中，为了支持从第一粒度到第二粒度的切换，粒度组件540可以被配置为或以其它方式支持用于降低粒度的装置，所述粒度用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
95.在一些实例中，为了支持根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)执行用于访问对应于存储器阵列的第一部分的存储器单元的多个读取命令中的读命令来搜索对应于存储器阵列的第一部分的计数器的数据。在一些实例中，为了支持根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)执行读取命令来递增计数器的装置。
96.在一些实例中，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度切换到第二粒度来更新数据，以用
于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
97.在一些实例中，为支持更新数据，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度向数据中添加一或多个附加节点的装置。在一些实例中，为了支持更新数据，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度切换到第二粒度以及第一粒度大于第二粒度从数据中移除一或多个节点的装置。
98.在一些实例中，数据存储组件555可以被配置为或以其它方式支持用于在存储器系统的存储器系统控制器中存储数据、计数器或两者的装置。
99.在一些实例中，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，由于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度，根据第二粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令。
100.在一些实例中，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度来激活多个第二计数器，所述多个第二计数器指示多个第二数量的经执行的读取命令的相应第二数量。
101.在一些实例中，阈值组件535可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值。在一些实例中，粒度组件540可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间满足第二阈值从第二粒度切换到第三粒度以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量。
102.在一些实例中，阈值组件535可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值。在一些实例中，粒度组件540可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间未能满足第二阈值避免从第二粒度切换，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量。
103.在一些实例中，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间未能满足第二阈值(例如，在确定之后)来重置指示多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量的第二计数器。
104.在一些实例中，命令跟踪组件530可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第一粒度大于第二粒度来撤销激活指示经执行的读取命令的数量的计数器。
105.在一些实例中，干扰补救组件545可以被配置为或以其它方式支持这样的装置，所述装置用于至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的
读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，对存储器阵列的第一部分执行读取干扰补救。
106.在一些实例中，时钟组件550可以被配置为或以其它方式支持用于维护rtc的装置。在一些实例中，时钟组件550可以被配置为或以其它方式支持用于使用rtc来识别第一持续时间已经过去的装置，其中确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值至少部分地基于(例如，响应于)识别第一持续时间已经过去而触发。
107.在一些实例中，第一粒度包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度，并且第二粒度不同于第一粒度并包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度。
108.在一些实例中，阈值、第一持续时间或两者至少部分地基于存储器阵列的刷新周期、用于使存储器阵列的数据引退的读取阈值或两者(例如，使用其来确定)。
109.图6示出了根据如本文公开的实例的说明方法600的流程图，所述方法支持用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术。方法600的操作可以由如本文描述的存储器系统或其组件来实现。例如，方法600的操作可以由如参考图1至5描述的存储器系统来执行。在一些实例中，存储器系统可以执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外地或替代地，存储器系统可以使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
110.在605处，所述方法可以包含接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的多个读取命令。605的操作可以根据如本文公开的实例来执行。在一些实例中，605的操作的方面可以由如参考图5描述的读取命令组件525来执行。
111.在610处，所述方法可以包含根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪至少部分地基于(例如，响应于)执行所述多个读取命令的数量。610的操作可以根据如本文公开的实例来执行。在一些实例中，610的操作的方面可以由如参考图5描述的命令跟踪组件530来执行。
112.在615处，所述方法可以包含确定对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值。615的操作可以根据如本文公开的实例来执行。在一些实例中，615的操作的方面可以由如参考图5描述的阈值组件535来执行。
113.在620处，所述方法可以包含至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。620的操作可以根据如本文公开的实例来执行。在一些实例中，620的操作的方面可以由如参考图5描述的粒度组件540来执行。
114.在一些实例中，如本文所述的设备可以执行一或多种方法，如方法600。所述设备可以包含特征、电路系统、逻辑、装置、控制器(例如，与存储器装置耦合的控制器)或指令(例如，存储包含指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令如果由电子装置的处理器执行，则可以使得所述电子装置执行操作)，用于接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的多个读取命令，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪至少部分地基于(例如，响应于)执行多个读取命令的所述数量，确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满
足阈值，以及至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
115.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，至少部分地基于(例如，由于)经执行的读取命令的数量超过第一阈值，对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，并且从第一粒度切换到第二粒度可以包含用于增加用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的粒度的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。
116.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，至少部分地基于(例如，由于)经执行的读取命令的数量小于第二阈值，对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，并且从所述第一粒度切换到所述第二粒度可以包含用于降低用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的粒度的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。
117.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量可以包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)执行多个读取命令中的读取命令来搜索对应于存储器阵列的第一部分的计数器的数据以用于访问对应于存储器阵列的第一部分的存储器单元，并且至少部分地基于(例如，响应于)执行读取命令来递增计数器。
118.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度切换到第二粒度来更新数据，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
119.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，更新数据可以包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度向数据中添加一或多个附加节点，或者至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度的切换以及第一粒度大于第二粒度从数据中删除一或多个节点。
120.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于在存储器系统的存储器系统控制器中存储数据、计数器或两者的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。
121.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度切换以及第二粒度大于第一粒度，根据第二粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令。
122.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度切换以及第二粒度大于第一粒度，激活多个第二计数器的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，所述多个第二计数器指示多个第二数量的经执行的读取命令的相应第二数量。
123.本文所述方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或者指令，其用于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值，并且至少
基于部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间满足第二阈值从第二粒度切换到第三粒度，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量。
124.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或者指令，其用于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值，并且至少基于部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间满足第二阈值避免从第二粒度切换，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量。
125.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间未能满足第二阈值(例如，在确定之后)来重置指示多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量的第二计数器。
126.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)从第一粒度到第二粒度切换以及第一粒度大于第二粒度来撤销激活指示经执行的读取命令的数量的计数器。
127.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含这样的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其用于至少部分地基于(例如，响应于)确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，对所述存储器阵列的第一部分执行读取干扰补救。
128.本文所述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于维护rtc和使用rtc识别第一持续时间已经过去的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令，其中确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值可以至少部分地基于(例如，响应于)识别第一持续时间可能已经过去而触发。
129.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，第一粒度包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度，并且第二粒度可以不同于第一粒度并包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度。
130.在本文所述的方法600和设备的一些实例中，阈值、第一持续时间或两者可以至少部分地基于存储器阵列的刷新周期、用于使存储器阵列的数据引退的读取阈值或两者(例如，使用其来确定)。
131.方法600的方面可以由控制器以及其它组件实施。另外地或替代地，方法600的方面可以被实现为存储在存储器中的指令(例如，存储在与包含存储器阵列的一或多个存储器单元的存储器装置耦合的存储器中的固件)。例如，指令如果由控制器(例如，存储器系统控制器)执行，则可以使得控制器执行方法600的操作。
132.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置
或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。进一步地，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。
133.描述了一种设备。所述设备可以包含存储器装置和控制器，所述控制器与存储器装置耦合并被配置成使得所述设备接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的一组读取命令，根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪基于执行所述一组读取命令的数量，确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值，以及基于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，从第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
134.在所述设备的一些实例中，基于经执行的读取命令的数量超过第一阈值，对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，并且被配置成使得所述设备从第一粒度切换到第二粒度的所述控制器被配置成使得所述设备增加用于追踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的粒度。
135.在所述设备的一些实例中，基于经执行的读取命令的数量小于第二阈值，对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间内满足阈值，并且被配置成使得所述设备从第一粒度切换到第二粒度的所述控制器被配置成使得所述设备降低用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的粒度。
136.在所述设备的一些实例中，被配置成使得所述设备根据第一粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量的所述控制器被配置成使得所述设备基于执行用于访问对应于存储器阵列的第一部分的存储器单元的所述一组读取命令中的读取命令来搜索对应于存储器阵列的第一部分的计数器的数据，并且基于执行读取命令来递增计数器。
137.在所述设备的一些实例中，所述控制器进一步被配置成使得所述设备基于从第一粒度切换到第二粒度来更新数据，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量。
138.在所述设备的一些实例中，被配置成使得所述设备更新数据的所述控制器被配置成使得所述设备基于从第一粒度到第二粒度切换以及第二粒度大于第一粒度，向数据中添加一或多个附加节点，或者基于从第一粒度到第二粒度的切换以及第一粒度大于第二粒度，从数据中移除一或多个节点。
139.在所述设备的一些实例中，所述控制器进一步被配置成使得所述设备在存储器系统的存储器系统控制器中存储数据、计数器或两者。
140.在所述设备的一些实例中，所述控制器被进一步配置成使得所述设备基于从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度，根据第二粒度跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令。
141.在所述设备的一些实例中，所述控制器被进一步配置成使得所述设备基于从第一粒度到第二粒度的切换以及第二粒度大于第一粒度，激活一组第二计数器，所述第二计数器指示所述一组第二数量的经执行的读取命令的相应第二数量。
142.在所述设备的一些实例中，所述控制器进一步被配置成使得所述设备确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量在
第二持续时间期间是否满足第二阈值，并且基于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的经执行的读取命令的一组第二数量中的第二数量在第二持续时间期间满足第二阈值，从第二粒度切换到第三粒度，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的经执行的读取命令的一组第二数量中的第二数量。
143.在所述设备的一些实例中，所述控制器进一步被配置成使得所述设备确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值，并且在确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间未能满足第二阈值时避免从第二粒度切换，以用于跟踪对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量。
144.在所述设备的一些实例中，所述控制器被进一步配置成使得所述设备基于确定对应于存储器阵列的第一部分的相应子部分的一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间未能满足第二阈值，重置指示一组第二数量的经执行的读取命令的第二数量的第二计数器。
145.在所述设备的一些实例中，所述控制器被进一步配置成使得所述设备基于从第一粒度到第二粒度的切换以及第一粒度大于第二粒度，撤销激活指示经执行的读取命令的数量的计数器。
146.在所述设备的一些实例中，所述控制器进一步被配置成使得所述设备基于确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间满足阈值，对存储器阵列的第一部分执行读取干扰补救。
147.在所述设备的一些实例中，所述控制器被进一步配置成使得所述设备维持rtc，并且使用所述rtc识别第一持续时间已经过去。在所述设备的一些实例中，被配置成使得所述设备确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值的控制器可以被配置成使得所述设备基于识别第一持续时间已经过去来触发确定对应于存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量在第一持续时间期间是否满足阈值。
148.在所述设备的一些实例中，第一粒度包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度，并且第二粒度不同于第一粒度并包含存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度。
149.在所述设备的一些实例中，阈值、第一持续时间或两者均基于存储器阵列的刷新周期、用于使存储器阵列的数据引退的读取阈值或两者。
150.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，在整个上述描述中可能提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光学场或粒子或其任何组合来表示。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，信号可以表示信号的总线，其中总线可以具有各种位宽。
151.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的
组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流动一段时间。
152.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。如果如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件发起允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
153.术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离，那么控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
154.如本文所用，术语“大体上”意指经修饰特征(例如由术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但要足够接近以便获得特征的优点。
155.如本文所使用，术语“电极”可指电导体，且在一些实例中，可用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电接触件。电极可以包含在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径的迹线、导线、导电线、导电材料等。
156.术语“如果”、“当
……
时”、“基于”或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
……
时”、“基于”，或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，则所述术语可互换。
157.术语“响应于”可以指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不是完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可进行第一条件或动作，且作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)，第二条件或动作可至少部分地发生。
158.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指一个条件或动作作为先前条件或动作的直接结果而发生。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件进行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”这种其它条件或动作而进行。
159.本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
160.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并，半导体区。源极与漏极可通过轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型的(即多数载流子是电子)，那么fet可以被称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则fet可被称为p型fet。通道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致通道变得导电。在大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极的情况下，晶体管可以“导通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“断开”或“撤销激活”。
161.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文使用的术语“示例性的”意味着“用作实例、例子或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例”。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，这些技术可以在没有这些具体细节的情况下实施。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
162.在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。进一步地，可通过在参考标记之后跟着短横及在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。
163.本文所述的功能可以在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实现。如果在由处理器执行的软件中实现，则这些功能可以作为一或多个指令或代码被存储在计算机可读媒体上或者通过计算机可读媒体传输。其它实例和实施方式在本公开和所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，上述功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或任何这些的组合来实现。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。
164.举例来说，结合本文的公开内容描述的各种说明性块和组件可使用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但是可替代地，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可以被实现为计算装置的组合(例如，dsp和微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与dsp内核的结合，或者任何其它这样的配置)。
165.如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
166.计算机可读媒体包含非暂时性计算机可读存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括
ram、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、压缩光盘(cd)rom或其它光盘存储器装置、磁盘存储器装置或其它磁性存储器装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所需程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。同样，任何连接都被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线路(dsl)或如红外线、无线电和微波的技术从网站、服务器或其它远程资源传输软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或如红外线、无线电和微波的技术包含在媒体的定义中。如本文使用的磁盘和光盘包含cd、激光盘、光盘、数字多功能盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘用激光光学地再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
167.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本发明。所属领域技术人员将清楚对本发明的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本发明的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

技术特征：

1.一种设备，其包括：存储器装置；和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且被配置成使得所述设备：接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的多个读取命令；根据第一粒度跟踪对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪至少部分地基于执行所述多个读取命令的所述数量；确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在第一持续时间期间是否满足阈值；以及至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，从所述第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量。2.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于经执行的读取命令的所述数量超过第一阈值，对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，并且其中被配置成使得所述设备从所述第一粒度切换到所述第二粒度的所述控制器被配置成使得所述设备：增加用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量的粒度。3.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于经执行的读取命令的所述数量小于第二阈值，对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，并且其中被配置成使得所述设备从所述第一粒度切换到所述第二粒度的所述控制器被配置成使得所述设备：减小用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量的粒度。4.根据权利要求1所述的设备，其中被配置成使得所述设备根据所述第一粒度跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量的所述控制器被配置成使得所述设备：至少部分地基于执行用于访问对应于所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元的所述多个读取命令中的读取命令来搜索对应于所述存储器阵列的所述第一部分的计数器的数据；以及至少部分地基于执行所述读取命令来递增所述计数器。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换来更新所述数据，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量。6.根据权利要求5所述的设备，其中被配置成使得所述设备更新所述数据的所述控制器被配置成使得所述设备：至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换以及所述第二粒度大于所述第一粒度，向所述数据添加一或多个附加节点；或者至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换以及所述第一粒度大于所述第二粒度，从所述数据中移除一或多个节点。
7.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：在存储器系统的存储器系统控制器处存储所述数据、所述计数器或两者。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换以及所述第二粒度大于所述第一粒度，根据所述第二粒度跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的相应子部分的多个第二数量的经执行的读取命令。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换以及所述第二粒度大于所述第一粒度，激活指示所述多个第二数量的经执行的读取命令的相应第二数量的多个第二计数器。10.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值；以及至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的所述相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量在所述第二持续时间期间满足所述第二阈值，从所述第二粒度切换到第三粒度，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的所述相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量。11.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器被进一步配置成使得所述设备：确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的第二数量在第二持续时间期间是否满足第二阈值；以及至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的所述相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量在所述第二持续时间期间未能满足所述第二阈值，避免从用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的所述相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量的所述第二粒度切换。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的所述相应子部分的所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量在所述第二持续时间期间未能满足所述第二阈值，重置指示所述多个第二数量的经执行的读取命令的所述第二数量的第二计数器。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于从所述第一粒度到所述第二粒度的切换以及所述第一粒度大于所述第二粒度，撤销激活指示经执行的读取命令的所述数量的计数器。14.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，对所述存储器阵列的所述第一部分执行读取干扰补救。15.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步被配置成使得所述设备：维护实时时钟；以及使用所述实时时钟来识别所述第一持续时间已经过去，其中被配置成使得所述设备确
定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间是否满足所述阈值的所述控制器被配置成使得所述设备至少部分地基于识别所述第一持续时间已经过去而触发所述确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间是否满足所述阈值。16.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一粒度包括存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度，并且所述第二粒度不同于所述第一粒度，并且包括存储器阵列级粒度、虚拟块级粒度、块级粒度、页级粒度、页线组级粒度或字线级粒度。17.根据权利要求1所述的设备，其中所述阈值、所述第一持续时间或两者至少部分地基于所述存储器阵列的刷新周期、用于引退所述存储器阵列的数据的读取阈值或两者。18.一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体，所述代码包括指令，所述指令当由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置：接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的多个读取命令；根据第一粒度跟踪对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪至少部分地基于执行所述多个读取命令的所述数量；确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在第一持续时间期间是否满足阈值；以及至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，从所述第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量。19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读媒体，其中至少部分基于经执行的读取命令的所述数量超过第一阈值，对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，并且其中使得所述电子装置从所述第一粒度切换到所述第二粒度的所述指令当由所述电子装置的所述处理器执行时，使得所述电子装置：增加用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量的粒度。20.一种由存储器系统执行的方法，其包括：接收用于访问存储器阵列的一或多个存储器单元的多个读取命令；根据第一粒度跟踪对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，所述跟踪至少部分地基于执行所述多个读取命令的所述数量；确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在第一持续时间期间是否满足阈值；以及至少部分地基于确定对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量在所述第一持续时间期间满足所述阈值，从所述第一粒度切换到第二粒度，以用于跟踪对应于所述存储器阵列的所述第一部分的经执行的读取命令的所述数量。

技术总结

本主题申请涉及用于调整与读取干扰跟踪相关联的粒度的技术。在一些实例中，存储器系统可以从主机系统接收一组读取命令，指示所述存储器系统读取存储在存储器阵列中的数据。存储器系统可以根据第一粒度跟踪对应于所述存储器阵列的第一部分的经执行的读取命令的数量，并确定读取命令的所述数量是否满足阈值。如果读取命令的所述数量满足阈值，则存储器系统可以将用于跟踪所述第一部分的经执行的读取命令的所述粒度从第一粒度调整到第二粒度。例如，所述存储器系统可以增加或减少用于跟踪所述第一部分的经执行的读取命令的所述粒度。所述存储器系统可以使用所跟踪的经执行的读取命令的数量来进行读取干扰补救。取命令的数量来进行读取干扰补救。取命令的数量来进行读取干扰补救。