发明人:沈辉,姚志荣,孟蓝翔,蔡伦,张睿申请号:CN201820929642.3
申请日:20180615
公开号:CN208706661U
公开日:
20190405
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型的太阳电池包括:硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场,以硅基体层作为衬底,所述n型发射层形成于硅基体层,并位于硅基体层上;所述导电层形成于n型发射层,并位于n型发射层上;所述银前电极形成于导电层表面,且向n型发射层延伸,其延伸至所述n型发射层的顶部表面,银前电极之间有间隔;欧姆接触层形成于硅基体层的另一面,铝背场形成于欧姆接触层表面。本实用新型的具有的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能,可减少寄生吸收增大短路电流。 申请人:中山大学
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国籍:CN
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