(19)中华人民共和国国家知识产权局
| (12)发明专利说明书 | |
| (10)申请公布号 CN 103955574 A (43)申请公布日 2014.07.30 |
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(21)申请号 CN201410167764.X
(22)申请日 2014.04.24
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
(72)发明人 卜建辉 罗家俊 韩郑生
(74)专利代理机构 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 朱海波
(51)Int.CI
(54)发明名称
(57)摘要
一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为BTS型栅SOI MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。根据本发明提供的建模方法，考虑BTS型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对BTS型栅SOI器件的仿真设计。 | |
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法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为BTS 型栅SOI MOS器件，该方法包括：
a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；
b.计算额外栅电容；
c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加 上额外栅电容，生成最终模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其中MOS器件模型为BSIMSOI模 型。
3.根据权利要求1所述的方法，其中额外栅电容包括第一额外栅电容 (C1)和第二额外栅电容(C2)两部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中计算额外栅电容的方法是：
根据步骤a中所提取大面积MOS管的交流参数，获得该MOS管的电 容，根据大面积MOS管的电容获取单位面积栅氧电容。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述BTS型栅SOIMOS器件 包括源端(S201)、栅端(S202)、漏端(S203)、第一体引出端(S204) 和第二体引出端(S205)以及第一延伸区域(S206)和第二延伸区域(S207)， 其中，所述栅端(S202)除了与源漏区直接相邻的基本栅端(S0)以外，还 包括与体引出端相邻的第一额外栅端(S1)和第二额外栅端(S2)。
6.根据权利要求5所述的方法，其中；源端(S201)、漏端(S203)和基 本栅端(S0)之间存在PN结电容(C0)，以及与第一额外栅端(S1)和第二 额外栅端(S2)之间存在第一额外栅电容(C1)和第二额外栅电容(C2)。
说 明 书
<p>技术领域
本发明涉及器件提参建模领域，尤其涉及一种BTS型栅SOI器件的 建模方法。
背景技术
随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用，集成电路设计时必 须考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求，人们对IC CAD软件统计容 差分析、优化设计、成品率、成本分析及可靠性预测的功能和精度要求 也越来越高。而在IC CAD软件中，MOSFET的器件模型是将IC设计和 IC产品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小， 集成规模越来越大，集成电路工序越来越复杂，对器件模型的精度要求 也越来越高。当今一个精确的MOSFET模型无疑已成为IC CAD设计者 首要解决的问题，一直也是国际上研究的重点和热点。目前业界主流的 MOSFET器件模型为BSIM模型，所对应的SOI MOSFET器件模型为 BSIMSOI模型。
BSIMSOI所针对的器件为条型栅器件，在实际电路设计时，BTS型 器件是一种常用的器
件，在此种情况下会增加栅电容，原有的BSIM SOI 模型没有考虑此因素的影响。
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