一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：魏立帅，曹新龙，王夏阳，霍林智，杨时峰，薛孟尧申请号：CN202011400544.9

申请日：20201203

公开号：CN112542573A

公开日：

20210323

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法，采用卷对卷磁控溅射技术直接制备硅基薄膜负极片，在溅射硅或氧化亚硅薄膜处于岛状成膜阶段，引入脉冲式快速光热退火，使其快速凝聚成纳米微球，进而引入类石墨碳缓冲层填补纳米球间隙并覆盖的方式，可以有效抑制纳米硅基材料的膨胀，同时增强了极片的导电性。

申请人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

地址：710077 陕西省西安市高新区锦业一路2号陕西煤业化工集团公司

国籍：CN

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

代理人：张海平

本文发布于:2024-09-22 01:51:21，感谢您对本站的认可！

标签：专利制备引入薄膜负极

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