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一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：刘生忠，郭小佳

申请号：CN201610785368.2

申请日：20160830

公开号：CN106206781A

公开日：

20161207

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si(p)层、a‑Si(i)层、基底、a‑Si(i)层、a‑Si(n)层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si(p)层间插入高掺杂的a‑Si(p+)层，或在ITO层和a‑Si(n)层间插入高掺杂的a‑Si(n+)层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si(i)层、a‑Si(n)层和a‑Si(p)层沉积；在电池的

a‑Si(p)/ITO层界面或a‑Si(n)/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si(p+)层或高掺杂的a‑Si(n+)；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。

申请人：陕西师范大学

地址：710062 陕西省西安市长安南路199号

国籍：CN

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

代理人：李宏德

本文发布于:2024-09-21 19:42:27，感谢您对本站的认可！

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