半导体制冷式均衡充电装置[实用新型专利]

专利名称:半导体制冷式均衡充电装置
专利类型:实用新型专利
发明人:袁翔,范汉强,邓华,王英健,李朱光,范必双申请号:CN03226714.2
申请日:20030107
公开号:CN2595051Y
公开日:
20031224
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种半导体制冷式均衡充电装置,它由均衡充电控制器与电风扇及制冷器组成。其特征在于其制冷器为半导体制冷器;均衡充电器由外壳中安装机芯电路,外壳面板上有+B、-B、A、D四个接线柱,机芯电路由芯片IC、IC、IC、IC、三极管Q、Q、Q、二极管D、D、D、D电感L、电容C、C、C、C、电阻R~R、热敏电阻R接成均衡充电控制电路,其IC、IC的Vin端、C、L各一端均接至接线柱+B;IC、IC、IC、IC的GND端及Q、Q、C、C、R、R各一端均接至接线柱-B;Q与Q的共接点接至接线柱D;Q的一端接至接线柱A;接线柱+B、A分别与半导体制冷器两端联接;接线柱-B、D分别与电风扇联接。本实用新型的优点是不但能较好地解决电池或超级电容充电过程中的均衡问题,而且还能在充电过程中对极板进行温度控制;温度过高时对其降温或在冬季启动时对极板进行加热增加其冷启动性能;从而有效的减少极板因充放电过热引起的变形、活性物质脱落甚至短路现象,延长电池和超级电容的使用寿命;同时,相对提高充电过程中的总能量利用率。
申请人:长沙交通学院,上海奥威科技开发有限公司,国家电动汽车试验示范区管理中心,范汉强地址:410076 湖南省长沙市赤岭路45号
国籍:CN

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