半导体三极管发生BV软击穿的测试方法[发明专利]

专利名称：半导体三极管发生BV软击穿的测试方法专利类型：发明专利

发明人：张国光，谭杰，杨林，姚剑锋，张国俊

申请号：CN200810184515.6

申请日：20081203

公开号：CN101419270A

公开日：

20090429

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种判定半导体三极管发生BV软击穿的测试方法，以BV的测试条件I的电流标称值I1作初始条件，测得对应电压V1，然后以电流值I2，作为新增初始条件，测得对应的电压值V2；或以一与所述电压值V1具有一电压差ΔV的电压值V作为新增初始条件，测得对应的电流值

I2’；用电压值V1与电压值V2的比值与设定的第一标准值进行比较，或者用测得的电流值I2’与设定的第二标准值进行比较。本发明筛选成功率高，有利于质量控制，能够提高检测效率，满足大批量生产要求，同时可以降低生产成本，增加企业竞争力。

申请人：佛山市蓝箭电子有限公司

地址：528000 广东省佛山市禅城区佛平路1号

国籍：CN

代理机构：北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

本文发布于:2024-09-21 10:47:02，感谢您对本站的认可！

留言与评论（共有 0 条评论）