一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114566440 A (43)申请公布日 2022.05.31

(21)申请号 CN202111421361.X

(22)申请日 2021.11.26

(71)申请人杭州盾源聚芯半导体科技有限公司

地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢

(72)发明人裴翔鹰叶天爱李长苏

(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司

代理人郑汝珍

(51)Int.CI

H01L21/67

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法

(57)摘要

本发明公开了一种硅电极气孔刻蚀装置，包括带有酸液循环结构的治具组件，所述的治具组件内部设置有卡接装置，所述的卡接装置内部卡接有多层分流板，多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽；所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔，相邻两层分流板上的液孔错位设置。还公开了一种利用硅电极气孔刻蚀装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。该硅电极气孔刻蚀装置，解决了硅电极刻蚀时气孔刻蚀不到和不均匀的问题；酸液从底部进入，在内循环流动，酸液槽及分流板的设置，既能够降低酸液的压力，又能够有效阻挡杂质，并通分流板上下错位转动，调节酸液的流速，使整体更加均匀；装置采用耐腐蚀性好的塑料材质，有效避免杂质离子的代入和掺杂。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	公开	发明专利申请公布
2022-06-17	实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/67专利申请号:202111421361X申请日:20211126	实质审查的生效