一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114497003 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202210074447.8

(22)申请日 2022.01.21

(71)申请人 NANO科技(北京)有限公司

地址 100000 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101

(72)发明人石彬祁帆蔡鹏飞

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L25/04

H01L31/02

H01L31/0224

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构

(57)摘要

本发明提供一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构，包括：感光光电二极管以及补偿光电二极管；补偿光电二极管的光敏面设置阻光层，且感光光电二极管与补偿光电二极管的暗电流相等。本发明无需外电路运放的配合，在芯片层面上即可实现暗电流的自补偿功能；本发明同时具有感光光电二极管与补偿光电二极管，工作时，补偿光电二极管可以将感光光电二极管的暗电流补偿抵消掉，从而减小感光光电二极管暗电流带来的噪声；本发明的感光光电二极管与补偿光电二极管的偏压是单独进行控制的，不会受到限制，因此可应用于更多的使用场景中。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):H01L25/04专利申请号:2022100744478申请日:20220121	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布