背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114520271 A (43)申请公布日 2022.05.20

(21)申请号 CN202210078428.2

(22)申请日 2022.01.24

(71)申请人华东师范大学

地址 200241 上海市闵行区东川路500号

(72)发明人陶加华王丽君胡小波江锦春陈少强杨平雄褚君浩

(74)专利代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)

代理人徐筱梅;张翔

(51)Int.CI

H01L31/075

H01L31/0445

H01L31/0336

H01L31/18

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-20	公开	发明专利申请公布
2022-06-07	实质审查的生效IPC(主分类):H01L31/075专利申请号:2022100784282申请日:20220124	实质审查的生效
2023-06-23	授权	发明专利权授予