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一种改善半导体制造中光刻胶倒胶的方法[发明专利]

专利名称：一种改善半导体制造中光刻胶倒胶的方法

专利类型：发明专利

发明人：顾培楼，华光平，刘俊，戴有江，凌晓宇，戴竝盈，李灵均，张凯轩

申请号：CN201910418767.9

申请日：20190520

公开号：CN110148556A

公开日：

20190820

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种改善半导体制造中光刻胶倒胶的方法，至少包括：步骤一、提供表面具有二氧化硅的硅片；步骤二、对该硅片进行湿法清洗；步骤三、对所述硅片进行快速退火；步骤四、在所述二氧化硅的表面悬涂光刻胶并显影。本发明经过快速退火可以改善硅片表面粗糙度，增加光刻胶与硅片表面的黏附，从而改善光刻胶倒胶现象。

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：戴广志

本文发布于:2024-09-21 11:04:41，感谢您对本站的认可！

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