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一种终端结构、制作方法以及功率器件[发明专利]

专利名称：一种终端结构、制作方法以及功率器件专利类型：发明专利

发明人：袁俊，丁琪超

申请号：CN202210085312.1

申请日：20220125

公开号：CN114284348A

公开日：

20220405

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本申请提供了一种终端结构、制作方法以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。本发明技术方案提供的终端结构、制作方法以及功率器件，提高了终端结构的耐压能力，进一步提高功率器件的可靠性和稳定性。

申请人：湖北九峰山实验室

地址：430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：姚璐华

本文发布于:2024-09-21 08:02:22，感谢您对本站的认可！

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