一种电场分布可调的低温等离子体发生装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114521040 A (43)申请公布日 2022.05.20

(21)申请号 CN202210157226.7

(22)申请日 2022.02.21

(71)申请人中国科学院光电技术研究所

地址 610209 四川省成都市双流350信箱

(72)发明人高国涵罗倩邵俊铭吴湘范斌杜俊峰雷柏平边疆吴时彬杨虎

(74)专利代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人江亚平

(51)Int.CI

H05H1/34

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种电场分布可调的低温等离子体发生装置

(57)摘要

本发明提供了一种电场分布可调的低温等离子体发生装置，包括上接地板、可升降阵列电极、下接地板、接地板支撑机构、阵列电极固定器、阵列电极升降柱和阵列电极柔性电缆。所述的上接地板和下接地板通过接地板支撑机构连接并整体调节其间距，可升降阵列电极通过阵列电极升降柱和阵列电极固定器与上接地板相连，可升降阵列电极之间通过阵列电极柔性电缆相连。根据待加工曲面器件的面形特点，通过独立调节单个可升降阵列电极的高度，实现对曲面器件表面电场强度分布的调控，引入RF射频电源配合真空系统和工艺气体产生电场分布可调的低温等离子体。本发明相比现有Ar离子束发生装置具有加径大、加工效率高、对光学表面损伤小等优点。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-20	公开	发明专利申请公布
2022-06-07	实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/34专利申请号:2022101572267申请日:20220221	实质审查的生效
2023-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H05H 1/34专利申请号:2022101572267申请公布日:20220520	发明专利申请公布后的视为撤回