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P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法[发明专利]

专利名称：P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法

专利类型：发明专利

发明人：罗轶，李琳琳，宋士佳

申请号：CN201811458613.4

申请日：20181130

公开号：CN111261494A

公开日：

20200609

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法。外延生长方法，包括：步骤S1，向反应室中通入镓源、砷源和P型掺杂源以进行外延生长，得到P型GaAs基层；步骤S2，停止通入P型掺杂源，向反应室内通入铟源在P型GaAs基层上生长InGaAs量子点层；步骤S3，停止通入铟源和镓源，升温并保温以去除InGaAs量子点层中的In；以及步骤S4，保温结束后通入镓源、砷源和P型掺杂源进行P型掺杂生长。通过在P型GaAs层生长过程中，引入少量的In原子，通过控制工艺去除In原子的同时为p掺杂提供更多空位，可以达到提高P型GaAs层掺杂浓度的目的，减少外来元素对电池的影响。

申请人：东泰高科装备科技有限公司

地址：102209 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室

国籍：CN

代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司

本文发布于:2024-09-22 07:28:09，感谢您对本站的认可！

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