半导体装置及其制造方法[发明专利]

专利名称:半导体装置及其制造方法专利类型:发明专利
发明人:杜卫星,张玉龙,欧阳爵,张铭宏申请号:CN202080000992.1
申请日:20200410
公开号:CN111656517A
公开日:
20200911
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本公开提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、安置于所述衬底上的III‑V族层、安置于所述III‑V族层上的电介质层,以及从所述电介质层延伸到所述衬底的倾斜侧壁。其中所述衬底包括与所述倾斜侧壁相对地朝向的相对粗糙表面。
申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
地址:519085 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号
国籍:CN
代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人:王允方

本文发布于:2024-09-23 22:33:20,感谢您对本站的认可!

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标签:装置   衬底   半导体   知识产权   专利
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