首页 > 专利技术

一种垂直紫外LED芯片[实用新型专利]

专利名称：一种垂直紫外LED芯片

专利类型：实用新型专利

发明人：周朝旭，张保国，甄珍珍，李晓波申请号：CN201620254324.2

申请日：20160330

公开号：CN205428984U

公开日：

20160803

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。

申请人：河北工业大学，同辉电子科技股份有限公司

地址：300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#

国籍：CN

代理机构：天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：胡安朋

本文发布于:2024-09-20 12:20:12，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/3/437935.html

上一篇：具有白灯丝外观的LED白炽灯[发明专利]

下一篇：基于平面型LED光源的DLP投影光学系统[实用新型专利]