专利类型:发明专利
发明人:高贤伟,何家伟,陈允添,J.雷
申请号:CN201410845913.3
申请日:20141231
公开号:CN105811946A
公开日:
20160727
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:在不利用高电压电源情况下传输高电压信号的模拟开关。本文描述了一种改进的模拟开关的多种设计,所述改进的模拟开关用于在不为所述开关使用高电压电源的情况下传输高电压信号。所述模拟开关能够传递和阻塞在?100V至+100V的近似范围内的输入信号。跨导线性环路和自举配置的使用导致所述对称开关的恒定导通电阻,并且使每个模拟开关的所述电导与NMOS晶体管的所述跨导匹配,这可容易地用恒定g偏置方案来稳定。在某些实施例中,将分流终端(T型开关)配置用于更好的断开隔离,并且所述对称开关中的每个具有其自己的跨导线性环路,以及由此的灵活的导通电阻和终端电压。
申请人:微芯片科技公司
地址:美国阿利桑那州
国籍:US
代理机构:中国专利代理(香港)有限公司