3D SONOS存储器结构及工艺方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114188340 A (43)申请公布日 2022.03.15

(21)申请号 CN202111344835.5

(22)申请日 2021.11.15

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

(72)发明人王宁张可钢

(74)专利代理机构 31211 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人焦健

(51)Int.CI

H01L27/11568(20170101)

H01L27/1157(20170101)

H01L27/11578(20170101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

3D SONOS存储器结构及工艺方法

(57)摘要

本发明公开了一种所述的3D SONOS存储器的存储单元中包含选择管和存储管，其中每两个存储单元的选择管共用一个源区，所述的存储单元中的选择管的选择管栅极为沟槽型，深入到半导体衬底中，沟槽型的选择管栅极，其沟槽的深度决定选择管沟道的长度；所述选择管栅极同时还高于半导体衬底表面；存储管栅极位于选择管高于半导体衬底的选择管栅极两侧，作为两个相邻的存储单元的存储管栅极；所述的沟槽型的选择栅的沟槽底部为选择管的源区，作为两个相邻的存储单元的选择管共用的源区；在所述存储管栅极两外侧的衬底中，分别具有所述两个相邻的存储单元的各自存储管的漏区。本发明还公开了所述3D SONOS存储器的工艺方法。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-15	公开	发明专利申请公布
2022-04-01	实质审查的生效IPC(主分类):H01L27/11568专利申请号:2021113448355申请日:20211115	实质审查的生效