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半导体功率模块和用于制造半导体功率模块的方法[发明专利]

专利名称：半导体功率模块和用于制造半导体功率模块的方法专利类型：发明专利

发明人：T·M·赖特尔,M·N·闵采尔,M·施塔尔迈斯特

申请号：CN201910891293.X

申请日：20190920

公开号：CN111180408A

公开日：

20200519

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种半导体功率模块，所述半导体功率模块包括导电的载体板、功率半导体芯片和接触销，该功率半导体芯片布置在所述载体板上并且与所述载体板电连接，该接触销与所述载体板电连接并且构成所述半导体功率模块的外接触部，其中，该接触销布置在钎焊部上方，所述钎焊部构造用于将所述接触销直接地或间接地机械固定在所述载体板上，并且该钎焊部构造用于将所述接触销与所述载体板电连接，其中，所述接触销通过另一连接件与所述载体板电连接，其中，所述另一连接件具有相对于所述载体板机械柔性的部分。

申请人：英飞凌科技股份有限公司

地址：德国瑙伊比贝尔格市

国籍：DE

代理机构：永新专利商标代理有限公司

代理人：郭毅

本文发布于:2024-09-22 01:20:10，感谢您对本站的认可！

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