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高散热的GaN单晶衬底及其制备方法[发明专利]

专利名称：高散热的GaN单晶衬底及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：刘南柳，王琦，梁智文，姜永京，张国义

申请号：CN202011053836.X

申请日：20200929

公开号：CN112164976A

公开日：

20210101

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，尤指一种高散热的GaN单晶衬底及其制备方法，该高散热的GaN单晶衬底，包括自上而下依次层叠的GaN单晶层、基底和金刚石层，基底内部贯穿有若干个嵌孔，金刚石层部分延伸嵌入嵌孔并与GaN单晶层接触；其制备方法为在基底上制造出若干个嵌孔，形成嵌孔面；在嵌孔面沉积一层金刚石层；对基底背离嵌孔面的一面进行减薄并外延GaN单晶层，即得高散热的GaN单晶衬底。本发明将GaN单晶材料通过基底的嵌孔与高散热的金刚石材料连通，提高了衬底的散热能力，同时有效释放了异质衬底与GaN外延间的应力产生，解决了大功率高电流密度器件工作时的热量传导以及由此而导致的性能退化与稳定性问题。

申请人：北京大学东莞光电研究院

地址：523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号

国籍：CN

代理机构：东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：邓燕

本文发布于:2024-09-20 20:42:17，感谢您对本站的认可！

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