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极化增强窄带AlGaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法[发明专利]

专利名称：极化增强窄带AlGaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法

专利类型：发明专利

发明人：侯汧妤，陈敦军，张开骁，胡利，张廷志

申请号：CN202010989092.6

申请日：20200918

公开号：CN112018210B

公开日：

20220517

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其结构自下而上依次包括：衬底层、模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层、钝化层；其特征在于：所述模板层为非故意掺杂的AlN，所述光学过滤层为Al组分为0.45的n型重掺杂的AlGaN，所述掺杂层为Al组分为0.35的n型重掺杂的AlGaN，所述过渡层为Al组分渐变的n型AlGaN，所述吸收层为Al组分为0.3的非故意掺杂AlGaN，所述极化调制层为Al组分为0.15的p型AlGaN。还公开了其制备方法。本发明通过异质结构进行光学探测窗口设计，并引入极化效应，可以实现响应信号在300‑320nm范围内、半峰宽(FWHM)为8nm的窄带探测。

申请人：南京冠鼎光电科技有限公司

地址：210046 江苏省南京市栖霞区南京经济技术开发区恒泰路汇智科技园B2栋1006室

国籍：CN

本文发布于:2024-09-22 10:06:40，感谢您对本站的认可！

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