一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(21)申请号 CN202111233712.4

(22)申请日 2021.10.22

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号

(72)发明人张辉马可可夏宁王嘉斌刘莹莹杨德仁

(74)专利代理机构 33289 杭州裕阳联合专利代理有限公司

代理人王贞利

(51)Int.CI

C30B27/00(20060101)

C30B29/16(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法

(57)摘要

本发明提供了一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法，包括：坩埚主体，可拆卸底座，第一套环，第二套环，第一套环与所述坩埚主体之间具有锥度配合，以使得坩埚主体相互闭合。本发明在熔体法晶体生长结束后可以有效的实现坩埚和晶体分离，避免了在取晶阶段对氧化镓晶体的破坏，为大尺寸氧化镓晶体的产业化提供了更优方案。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-01	公开	发明专利申请公布
2022-03-18	实质审查的生效IPC(主分类):C30B27/00专利申请号:2021112337124申请日:20211022	实质审查的生效
2023-04-14	专利申请权的转移IPC(主分类):C30B27/00专利申请号:2021112337124登记生效日:20230331变更事项:申请人变更前权利人:浙江大学杭州国际科创中心变更后权利人:杭州镓仁半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号变更后权利人:311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62	专利申请权、专利权的转移