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零飞弧罩壳体、零飞弧罩结构及断路器[实用新型专利]

专利名称：零飞弧罩壳体、零飞弧罩结构及断路器专利类型：实用新型专利

发明人：何国标，沈艳，宋志文，王砚波

申请号：CN202021370447.5

申请日：20200713

公开号：CN212810218U

公开日：

20210326

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型提供一种零飞弧罩壳体、零飞弧罩结构及断路器，属于低压电器领域，包括腔室和封闭件，所述腔室用于装设消弧件，其前端、后端分别设有进气、出气的开口，以腔室的前端、后端所在方向为水平方向，除朝前的方向外，所述封闭件具有至少上/下、后两个方向上的挡壁，挡壁设于腔室外且与腔室形成半通腔；腔室与封闭件相对的侧壁上设有连通腔室与半通腔的通气孔。本实用新型通过使用可覆盖灭弧室出气口并将其引入腔室中进行灭弧处理的零飞弧罩壳体，可有效防止残余电弧于接线槽中逸散，从根源上解决现有技术中需去除各个方位的残余电弧的技术问题，将残余电弧与接线端子有效隔离。

申请人：德力西电气有限公司

地址：325600 浙江省温州市乐清市柳市镇德力西高科技工业园区

国籍：CN

代理机构：温州瓯越专利代理有限公司

代理人：陈千楷

本文发布于:2024-09-21 23:37:57，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/3/412002.html

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