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一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号 CN 113809161 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 CN202111206527.6
(22)申请日 2021.10.15
(71)申请人 捷捷微电(无锡)科技有限公司
    地址 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
(72)发明人 刘秀梅 刘锋 殷允超 周祥瑞
(74)专利代理机构 11814 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙)
    代理人 朱俊杰
(51)Int.CI
      H01L29/40(20060101)
      H01L29/78(20060101)
      H01L21/336(20060101)
                                                                  权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
      一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法
(57)摘要
      本发明公开了一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法，包括至少一个浮空场板(9)；所述浮空场板(9)具有至少三个端部。本发明通过优化终端保护区中浮空场板(9)的形貌，增长了浮空场板(9)的长度，来增强终端保护区电场密度，提升终端保护区耐压，进而提升整个VDMOS集成电路芯片的可靠性。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2021-12-17
公开
公开
2022-01-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2022-06-24
授权
发明专利权授予
权 利 要 求 说 明 书
【一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法】的权利说明书内容是......
说  明  书
【一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法】的说明书内容是......

本文发布于:2024-09-22 11:22:00，感谢您对本站的认可！

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