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一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法[发明专利]

专利名称：一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法专利类型：发明专利

发明人：吕元杰，冯志红，敦少博，顾国栋，韩婷婷，王俊龙

申请号：CN201310375142.1

申请日：20130826

公开号：CN103456659A

公开日：

20131218

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法，涉及加到半导体器件上的标志技术领域。包括以下步骤：1）在半导体材料的上表面悬涂光刻胶；2）利用光刻掩膜板，通过光刻工艺将光刻标记位置的光刻胶去除；3）通过电子束蒸发工艺，在做好标记光刻图形的样品上蒸发一层硅晶体材料；4）通过剥离工艺将光刻胶去除，在去除光刻胶的同时光刻胶上的硅晶体材料被去除，得到硅光刻对准标记。该方法制备的光刻对位标记的使用材料为硅，硅不会对MOCVD或者MBE设备造成污染，因此，该标记不仅适用于普通半导体器件制造的光刻对准标记，尤其适用于采用欧姆接触区二次外延生长nGaN技术的GaN器件的制造光刻对准标记。

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

地址：050051 河北省石家庄市合作路113号

国籍：CN

代理机构：石家庄国为知识产权事务所

代理人：米文智

本文发布于:2024-09-22 10:01:43，感谢您对本站的认可！

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