专利名称：基于Dummy结构的MIM电容专利类型：发明专利 发明人：岳丹诚
申请号：CN201910058664.6
申请日：20190122
公开号：CN109755181A
公开日：
20190514
摘要：本发明公开了一种基于Dummy结构的MIM电容，所述MIM电容包括：第一金属板、第二金属板及位于第一金属板和第二金属板之间的绝缘介质层；电极，包括第一电极及第二电极，所述第一电极通过第一导电柱与第一金属板电性连接，第二电极通过第二导电柱与第二金属板电性连接；Dummy结构，所述Dummy结构包括设于第一金属板旁侧的第一Dummy结构及设于电极旁侧的第二Dummy结构，第一Dummy结构和第二Dummy结构用于释放MIM电容的应力。本发明通过在MIM电容周围增加Dummy结构，在进行应力测试或热轰击测试时，通过Dummy结构保护，MIM电容不再受到直接应力作用；本发明能够有效地释放应力，减小应力对MIM电容结构影响，减小了MIM电容微裂纹问题，提高了MIM电容的可靠性。 申请人：苏州华太电子技术有限公司
地址：215000 江苏省苏州市吴中区苏州工业园区若水路388号B0604室
国籍：CN
代理机构：南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：王锋
豫公网安备41160202000603
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