(12)发明专利说明书 | ||
(10)申请公布号 CN 113592866 A (43)申请公布日 2021.11.02 | ||
权利要求说明书 说明书 幅图 |
本发明属于计算机视觉技术领域,涉及一种半导体引线框架曝光缺陷检测方法,当该方法其应用于某种类型的半导体引线框架模具时:首先对采集到的源图像进行二值化处理;再利用图像修复模型对二值化处理后的二值化图像A进行修复得到二值化图像B,所述图像修复模型采用生成式对抗网络训练模型,所述生成式对抗网络由生成器G和判别器D组成;最后通过对二值化图像A和二值化图像B进行比对,确定缺陷的准确位置,可实现对细小缺陷的检测,具有检测准确率高、检测时延短等优点。 | |
法律状态公告日 | 法律状态信息 | 法律状态 |
2021-11-02 | 公开 | 公开 |
2021-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
2022-10-18 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G06T 7/00专利申请号:2021111491632申请公布日:20211102 | 发明专利申请公布后的驳回 |
本文发布于:2024-09-22 07:39:27,感谢您对本站的认可!
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