专利类型:发明专利
发明人:陈泽章,苏芸,遆瑞霞,石庆民,王雁
申请号:CN202111647582.9
申请日:20211229
公开号:CN114300070A
公开日:
20220408
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种液晶材料双折射率计算方法及一种太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法;涉及液晶材料技术领域;解决现有技术中太赫兹液晶材料的双折射率计算方法不够精确,导致太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法不够精确的技术问题;所述液晶材料双折射率计算方法基于改进后的Vuks方程,不依赖任何经验参数,更加精确;所述分子设计方法包括以下步骤:建立待计算液晶材料的分子结构并进行DFT基态优化得到稳定构型,以此为基础进行Vuks计算和极化率密度分析,进而设计出具有大双折射率的液晶材料;所述液晶材料双折射率计算方法和所述分子设计方法适用于设计在太赫兹波段具有较大双折射率Δn的液晶材料,精确性较高,实用性较强。
申请人:新乡学院
地址:453003 河南省新乡市红旗区金穗大道191号
国籍:CN
代理机构:成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人:贺迎迎