沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT[发明专利]

专利名称：沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT 专利类型：发明专利

发明人：刘国友，朱利恒，黄建伟，罗海辉，谭灿健，刘根申请号：CN201510980302.4

申请日：20151223

公开号：CN106910767A

公开日：

20170630

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT，其中，方法包括在衬底上形成掺杂区；在衬底和掺杂区形成沟槽；在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层；在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层，其中，沟槽底部的二氧化硅层或低K介质层位于衬底范围内；将沟槽侧壁及掺杂区表面氧化层上的二氧化硅层或者低K介质层刻蚀掉，保留沟槽底部的二氧化硅层或者低K介质层，以使沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚；在沟槽中填充多晶硅，形成栅电极。由于沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚，因此可以减小沟槽栅IGBT的栅集寄生电容，提高沟槽栅IGBT的工作安全性。

申请人：株洲南车时代电气股份有限公司

地址：412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

国籍：CN

代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-20 22:39:26，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/3/400724.html

上一篇：一种新型绝缘灭弧管及其生产工艺

下一篇：电气类英文翻译_电力系统的演化