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一种TaN半导体薄膜电极的制备方法[发明专利]

专利名称：一种TaN半导体薄膜电极的制备方法专利类型：发明专利

发明人：不公告发明人

申请号：CN201810773722.9

申请日：20180715

公开号：CN109036853A

公开日：

20181218

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种TaN半导体薄膜电极的制备方法，步骤如下：将Ta片基体依次放入丙酮、乙醇、蒸馏水中各超声40‑50min，用氮气吹干；以含有NHF、水的乙二醇溶液为电解质，Ta片基体作为阳极，铂网作为阴极，在电解槽中施加44‑46V恒定直流电压电化学氧化20‑30min，制得TaO氧化物薄膜；将制备好的TaO氧化物薄膜依次浸泡在纯乙二醇和乙醇中，用氮气吹干，放入马弗炉石英腔中，抽气35‑45min，通入高纯氨气，升温至910‑930℃保持4‑5h，冷却至室温即得。成功制备了具有多孔层状结构的单斜晶系TaN薄膜电极，该薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和光电转化性能。

申请人：启东创绿绿化工程有限公司

地址：226001 江苏省南通市启东市经济开发区凯旋路1号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-21 17:29:12，感谢您对本站的认可！

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