LTCC材料、基板及制备方法[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011119690.4
(22)申请日 2020.10.19
(71)申请人 上海晶材新材料科技有限公司
地址 201108 上海市闵行区中春路1288号6
幢302、402室
申请人 中国电子科技集团公司第九研究所
(72)发明人 兰开东 李自豪 王升 彭梓 
(74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通
合伙) 31219
代理人 余明伟
(51)Int.Cl.
C04B  35/18(2006.01)
C04B  35/622(2006.01)
C04B  35/626(2006.01)
C04B  35/64(2006.01)
C03B  5/16(2006.01)C03C  3/066(2006.01)C03C  12/00(2006.01)
(54)发明名称
LTCC材料、
基板及制备方法(57)摘要
本发明提供一种LTCC材料、基板及制备方
法,以LTCC材料的质量百分比计包括47%~52%
的无机材料成分,以及48%~53%的有机材料成
分,以无机材料成分的质量百分比计包括50%~
90%的LMZS陶瓷、0%~40%的ZMT陶瓷、8%~
15%的烧结助剂及0%~1%的改性剂。本发明
LTCC材料具有较佳的流延成型效果,可在890℃,
4小时烧结致密,可与LTCF材料具有良好的匹配
共烧特性,且在与LTCF材料共烧后不被染,本
发明既能发挥LTCC材料的介电性能,又能发挥
LTCF材料的磁学性能,可为电路模块的集成小型
化提供更多选择。权利要求书2页  说明书9页  附图1页CN 112225547 A 2021.01.15
C N  112225547
A
1.一种LTCC材料,其特征在于:以所述LTCC材料的质量百分比计包括47%~52%的无机材料成分,以及48%~53%的有机材料成分,其中,以所述无机材料成分的质量百分比计包括50%~90%的Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷、0%~40%的Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷、8%~15%的烧结助剂及0%~1%的改性剂,所述烧结助剂包括CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃及ZnO-B2O3-SiO2玻璃中的一种或组合,所述改性剂包括Co2O3、Fe2O3、Mn2O3及Cu2O中的一种或组合。
2.根据权利要求1所述的LTCC材料,其特征在于:以所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃的质量百分比计包括18%~21%的CaO、30%~34%的B2O3、18%~22%的ZnO及27%~32%的SiO2;以所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃的质量百分比计包括47%~54%的ZnO、37%~41%的B2O3、8%-12%的SiO2及1%~3%的Na2O。
3.根据权利要求1所述的LTCC材料,其特征在于:所述有机材料成分包括醇-酮混合溶剂。
4.根据权利要求1所述的LTCC材料,其特征在于:所述LTCC材料在
5.1GHz的条件下,介电常数包括
6.3~9.5,介质损耗包括4.0×10-4~1.4×10-3。
5.一种LTCC材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将Li2CO3、MgO、ZnO、SiO2按照摩尔比配制,进行混料、烧结、砂磨、烘干、过筛,制备Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷;
将MgO、ZnO、TiO2按照摩尔比配制,进行混料、烧结、砂磨、烘干、过筛,制备Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷粉;
将CaO、B2O3、ZnO、SiO2按照摩尔比配制,进行混料、熔制、砂磨、烘干、过筛,制备烧结助剂,所述烧结助剂包括CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃及ZnO-B2O3-SiO2玻璃中的一种或组合;
提供Co2O3、Fe2O3、Mn2O3及Cu2O中的一种或组合,以作为改性剂;
以质量百分比计将50%~90%的所述Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷、0%~40%的所述Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷、8%~15%的所述烧结助剂及0%~1%的所述改性剂加入球磨罐,以提供所述LTCC材料的无机材料成分,且所述无机材料成分以所述LTCC材料的质量百分比计为47%~52%;
提供有机材料成分,并加入所述球磨罐,进行球磨,且所述有机材料成分以所述LTCC材料的质量百分比计为48%~53%;
进行真空脱泡及流延成型,以制备LTCC材料。
6.根据权利要求5所述的LTCC材料的制备方法,其特征在于:制备所述Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷时,烧结温度包括900℃~950℃,烧结时间包括3h~5h,粒度D50包括1.5μm~1.8μm,烘干温度包括120℃~160℃,且采用400目筛网过筛;制备所述Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷时,烧结温度包括900℃~950℃,烧结时间包括3h~5h,粒度D50包括1.5μm~1.8μm,烘干温度包括120℃~160℃,且采用400目筛网过筛。
7.根据权利要求5所述的LTCC材料的制备方法,其特征在于:以所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃的质量百分比计包括18%~21%的CaO、30%~34%的B2O3、18%~22%的ZnO及27%~32%的SiO2;制备所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃时的熔制温度包括1350℃~1450℃,时间包括1h~3h,粒度D50包括2.0μm~2.2μm,烘干温度包括80℃~120℃,且采用400目筛网过筛;以所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃的质量百分比计包括47%~54%的ZnO、37%~41%的B2O3、8%-12%的SiO2及1%~3%的Na2O,制备所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃时的熔制温度包括1200℃~
1300℃,时间包括1h~3h,粒度D50包括2.0μm~2.2μm,烘干温度包括80℃~120℃,且采用400目筛网过筛。
8.根据权利要求5所述的LTCC材料的制备方法,其特征在于:所述有机材料成分包括溶剂、分散剂、
增塑剂及粘结剂,加入所述有机材料成分进行球磨时,包括先加入所述溶剂及分散剂,球磨混合2h~4h,待混合均匀后,再加入所述增塑剂及粘结剂,球磨混合2h~4h;所述溶剂包括醇-酮混合溶剂。
9.一种LTCC基板,其特征在于:所述LTCC基板包括权利要求1~4中任一所述LTCC材料。
10.一种LTCC基板的制备方法,其特征在于:包括采用权利要求5~8中任一所述方法制备LTCC材料,并将所述LTCC材料进行叠置制备成素坯,且在890℃烧结4h,以制备LTCC基板。
11.一种LTCC-LTCF基板,其特征在于:所述LTCC-LTCF基板包括权利要求1~5中任一所述LTCC材料。
12.一种LTCC-LTCF基板的制备方法,其特征在于:包括采用权利要求5~8中任一所述方法制备LTCC材料,并将所述LTCC材料与LTCF材料进行叠置制备成素坯,且在890℃烧结4h,以制备LTCC-LTCF基板。
LTCC材料、基板及制备方法
技术领域
[0001]本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种LTCC材料、基板及制备方法。
背景技术
[0002]LTCF(Low Temperature Co-fired Ferrite)材料是指低温共烧铁氧体材料,利用铁氧体的磁学性能,可实现电感、变压器等元件的集成设计;而LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)材料是指低温共烧陶瓷材料,利用微波介质陶瓷的介电性能,可制备成LTCC元件、LTCC功能器件、LTCC封装基板和LTCC模块基板等元器件。
[0003]LTCC技术和LTCF技术都具有自身的优势,但是它们各自的缺陷也是较为明显的,如常规的LTCC技术由于材料特性的限制,难以集成大电感、变压器等元器件,采用表贴等形式安装分立电感、变压器固然可以实现电路功能,但无法达到集成小型化的目的;同样,LTCF技术由于材料特性的限制,在实现电容及各种微波电路结构等集成设计上也存在很大的问题。
[0004]目前,LTCC与LTCF的相结合成为研究的热点,但如何提供一种可与LTCF材料具有良好匹配性的LTCC材料,成为本领域亟待解决的问题。
[0005]因此,提供一种LTCC材料、基板及制备方法,实属必要。
发明内容
[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种可与LTCF材料具有良好匹配性的LT
CC材料、基板及制备方法,用于解决现有技术中LTCC材料难以达到集成小型化以及LTCF材料难以实现集成设计的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种LTCC材料,以所述LTCC材料的质量百分比计包括47%~52%的无机材料成分,以及48%~53%的有机材料成分,其中,以所述无机材料成分的质量百分比计包括50%~90%的Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷、0%~40%的Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷、8%~15%的烧结助剂及0%~1%的改性剂,所述烧结助剂包括CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃及ZnO-B2O3-SiO2玻璃中的一种或组合,所述改性剂包括Co2O3、Fe2O3、Mn2O3及Cu2O中的一种或组合。
[0008]可选地,以所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃的质量百分比计包括18%~21%的CaO、30%~34%的B2O3、18%~22%的ZnO及27%~32%的SiO2;以所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃的质量百分比计包括47%~54%的ZnO、37%~41%的B2O3、8%-12%的SiO2及1%~3%的Na2O。[0009]可选地,所述有机材料成分包括醇-酮混合溶剂。
[0010]可选地,所述LTCC材料在5.1GHz的条件下,介电常数包括6.3~9.5,介质损耗包括4.0×10-4~1.4×10-3。
[0011]本发明还提供一种LTCC材料的制备方法,包括以下步骤:
[0012]将Li2CO3、MgO、ZnO、SiO2按照摩尔比配制,进行混料、烧结、砂磨、烘干、过筛,制备
Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷;
[0013]将MgO、ZnO、TiO2按照摩尔比配制,进行混料、烧结、砂磨、烘干、过筛,制备Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷粉;
[0014]将CaO、B2O3、ZnO、SiO2按照摩尔比配制,进行混料、熔制、砂磨、烘干、过筛,制备烧结助剂,所述烧结助剂包括CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃及ZnO-B2O3-SiO2玻璃中的一种或组合;[0015]提供Co2O3、Fe2O3、Mn2O3及Cu2O中的一种或组合,以作为改性剂;
[0016]以质量百分比计将50%~90%的所述Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷、0%~40%的所述Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷、8%~15%的所述烧结助剂及0%~1%的所述改性剂加入球磨罐,以提供所述LTCC材料的无机材料成分,且所述无机材料成分以所述LTCC材料的质量百分比计为47%~52%;
[0017]提供有机材料成分,并加入所述球磨罐,进行球磨,且所述有机材料成分以所述LTCC材料的质量百分比计为48%~53%;
[0018]进行真空脱泡及流延成型,以制备LTCC材料。
[0019]可选地,制备所述Li2Mg0.3Zn0.7SiO4陶瓷时,烧结温度包括900℃~950℃,烧结时间包括3h~5h,粒度D50包括1.5μm~1.8μm,烘干温度包括120℃~160℃,且采用400目筛网过筛;制备所述
Zn0.8Mg0.2TiO3陶瓷时,烧结温度包括900℃~950℃,烧结时间包括3h~5h,粒度D50包括1.5μm~1.8μm,烘干温度包括120℃~160℃,且采用400目筛网过筛。
[0020]可选地,以所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃的质量百分比计包括18%~21%的CaO、30%~34%的B2O3、18%~22%的ZnO及27%~32%的SiO2;制备所述CaO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃时的熔制温度包括1350℃~1450℃,时间包括1h~3h,粒度D50包括2.0μm~2.2μm,烘干温度包括80℃~120℃,且采用400目筛网过筛;以所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃的质量百分比计包括47%~54%的ZnO、37%~41%的B2O3、8%-12%的SiO2及1%~3%的Na2O,制备所述ZnO-B2O3-SiO2玻璃时的熔制温度包括1200℃~1300℃,时间包括1h~3h,粒度D50包括2.0μm~2.2μm,烘干温度包括80℃~120℃,且采用400目筛网过筛。
[0021]可选地,所述有机材料成分包括溶剂、分散剂、增塑剂及粘结剂,加入所述有机材料成分进行球磨时,包括先加入所述溶剂及分散剂,球磨混合2h~4h,待混合均匀后,再加入所述增塑剂及粘结剂,球磨混合2h~4h;所述溶剂包括醇-酮混合溶剂。
[0022]本发明还提供一种LTCC基板,所述LTCC基板包括上述任一LTCC材料。
[0023]本发明还提供一种LTCC基板的制备方法,包括采用上述任一方法制备LTCC材料,并将所述LTCC材料进行叠置制备成素坯,且在890℃烧结4h,以制备LTCC基板。
[0024]本发明还提供一种LTCC-LTCF基板,所述LTCC-LTCF基板包括上述任一LTCC材料。[0025]本发明还提供一种LTCC-LTCF基板的制备方法,包括采用上述任一方法制备LTCC 材料,并将所述LTCC材料与LTCF材料进行叠置制备成素坯,且在890℃烧结4h,以制备LTCC-LTCF基板。
[0026]如上所述,本发明的LTCC材料、基板及制备方法,LTCC材料介电常数可调范围包括6.3~9.5,介质损耗包括4.0×10-4~1.4×10-3,可以在890℃,4小时烧结致密,因此LTCC材料与LTCF材料具有良好的匹配共烧特性;进一步的,LTCC材料中的醇-酮混合溶剂可使LTCC 材料具有较佳的流延成型效果;进一步的,LTCC材料中的改性剂还可使LTCC材料在与LTCF 材料共烧后不被染;从而基于本发明的LTCC材料所制备的LTCC-LTCF基板既能充分发挥

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