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III-N半导体结构及形成III-N半导体结构的方法[发明专利]

专利名称：III-N半导体结构及形成III-N半导体结构的方法专利类型：发明专利

发明人：赵明，郭伟明

申请号：CN201910445529.7

申请日：20190527

公开号：CN110544716A

公开日：

20191206

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：根据本发明构思的一个方面，提供一种III‑N半导体结构，其包括：绝缘体上半导体基材(100)；缓冲结构(200)，其包括超晶格(230)，所述超晶格(230)包括至少一个第一超晶格块(231)和形成在所述第一超晶格块(231)上的第二超晶格块(232)，所述第一超晶格块(231)包括第一超晶格单元(231‑1,231‑2)的重复序列，每个第一超晶格单元(231‑1,231‑2)包括AlGaN层的堆叠，其中所述堆叠的相邻层具有不同的铝含量，所述第二超晶格块(232)包括第二超晶格单元(232‑1,232‑2)的重复序列，每个第二超晶格单元(232‑1,232‑2)包括AlGaN层的堆叠，其中所述堆叠的相邻层具有不同的铝含量，其中，所述第二超晶格块(232)的平均铝含量大于所述第一超晶格块(231)的平均铝含量；以及

III‑N半导体沟道层(300)，其设置在所述缓冲结构(200)上。

申请人：IMEC 非营利协会

地址：比利时勒芬

国籍：BE

代理机构：上海专利商标事务所有限公司

本文发布于:2024-09-20 23:33:46，感谢您对本站的认可！

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