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耗尽模式MOSFET电路和应用[发明专利]

专利名称：耗尽模式MOSFET电路和应用专利类型：发明专利
发明人：温特·T·林
申请号：CN200880005697.4
申请日：20080124
公开号：CN101632176A
公开日：
20100120
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供使用在耗尽模式下操作的MOSFET的正逻辑电路、系统和方法，其包含静电放电保护电路(ESD)、非反相锁存器和缓冲器，以及一到三晶体管静态随机存取存储器单元。这些新颖的电路增补了增强模式MOSFET技术，且还意在改进互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC)产品的可靠性。
申请人：克伊斯通半导体有限公司
地址：美国宾夕法尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：孟锐

本文发布于:2024-09-23 08:12:38，感谢您对本站的认可！

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标签：模式   电路   知识产权   专利   耗尽
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