[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[11]公开号CN 1987644A [43]公开日2007年6月27日
[21]申请号200510134760.2[22]申请日2005.12.21
[21]申请号200510134760.2
[71]申请人新应材股份有限公司
地址桃园县龙潭乡三和村新和路455
号
[72]发明人郭光埌 戴伟仁 温世豪 [74]专利代理机构北京申翔知识产权代理有限公司代理人周春发
[51]Int.CI.G03F 7/00 (2006.01)G03F 7/032 (2006.01)
权利要求书 2 页 说明书 5 页
[54]发明名称
[57]摘要
本发明的负型光阻剂主要是由高分子树脂(Res
in)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monom
er)、溶剂(Solvent)所组成；亦可配合加入颜料
(Pigment)、添加剂(Additives)，而获致一种尤适
合搭配刮刀式涂布法(Slit Coating)应用在玻璃基 板涂布的负型光阻剂。
200510134760.2权 利 要 求 书第1/2页 1、一种光阻剂，其特征在于，是由高分子树脂(Resin)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monomer)、溶剂(Solvent)所组成。
2、如权利要求1所述的光阻剂，其中是加入有添加剂，该添加剂为平坦剂。
3、如权利要求2所述的光阻剂，其中该平坦剂重量平均分子量(Mw)大于1000。
4、如权利要求1所述的光阻剂，其中高分子树脂(Resin)的重量平均分子量(Mw)低于50000。
5、如权利要求1所述的光阻剂，其中高分子树脂(Resin)的重量平均分子量(Mw)低于20000为佳。
6、如权利要求1所述的光阻剂，其中加入颜料(Pigment)。
7、如权利要求1所述的光阻剂，为适用于刮刀式涂布法(Slit coating)。
8、一种光阻剂，其特征在于，是由高分子树脂(Resin)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monomer)，以及两种不同沸点的溶剂(Solvent)所组成。
9、如权利要求8所述的光阻剂，其中一种溶剂为b.p.＞150℃的高沸点溶剂，另一种溶剂为b.p.＜150℃的较低沸点溶剂。
10、如权利要求8所述的光阻剂，其中两种溶剂的沸点差异≥8℃为佳。
11、如权利要求8所述的光阻剂，其中一种溶剂为极性较低溶剂，另一种溶剂为极性较高溶剂。
12、如权利要求8所述的光阻剂，其中一种溶剂为极性较低的醚酯类溶剂，另一种溶剂为极性较高的醚酮类溶剂。
13、如权利要求8所述的光阻剂，其中加入有添加剂，该添加剂为平坦剂。
14、如权利要求13所述的光阻剂，其中该平坦剂重量平均分子量(Mw)大于1000。
200510134760.2权 利 要 求 书 第2/2页 15、如权利要求8所述的光阻剂，其中高分子树脂(Resin)的重量平均分子量(Mw)低于50000。
16、如权利要求8所述的光阻剂其中高分子树脂(Resin)的重量平均分子量(Mw)低于20000为佳。
17、如权利要求8所述的光阻剂，其中加入颜料(Pigment)。
18、如权利要求8所述的光阻剂，为适用于刮刀式涂布法(Slit coating)。
200510134760.2说 明 书第1/5页
负型光阻剂
技术领域
本发明有关一种光阻剂，尤指一种高分子树脂(Resin)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monomer)、溶剂(Solvent)的负型光阻剂。 背景技术
为制造液晶显示器(L C D)电路或半导体集成电路内所用的微小电路图案，在基板上的一绝缘体层或导电金属层上均匀覆盖或涂敷一种包括聚合物树脂，感光化合物与溶剂的光阻组合物，覆盖或涂敷的基板经温焙以蒸发溶剂，温焙过的基板选择地曝露于某些型式的辐射如紫外线，电子或X-射线，曝露过的基板再经热烤，随后热烤基板经显影产生所预期图案，显影的基板再以蚀刻脱除绝缘体层或导电金属层，并移去余留的光阻剂层以完成微小图案移转于基板表面上。 一般光阻剂在曝光(U V光)后会分解的称为“正型光阻”，反之，曝光后会硬化聚合的则是“负型光阻”，彩光阻剂为负型光阻剂的一种，亦为L C D平面显示器彩化的关键材料；彩光阻剂技术上的差异，可从涂布特性及光阻与基板附着性两方面来考量；其中，就涂布特性而言，基板扩展到第五代以上尺寸后，光阻剂在基板上进行传统的旋转涂布时，由注入光阻剂的基板中心位置到玻璃端点的距离远长于第三、四代基板，若光阻剂的设计未考量到流变性、流平性、及挥发速率的控制，光阻在涂布、预烤后将会出现判定异常的波痕(MURA)现象。
因此，新世代的光阻涂布机台及技术-刮刀式涂布法(Slit Coating)即在于克服上述波痕(M U R A)现象的课题；此外，此括刀式涂布法与传统旋转涂布法相比，还有一个优势，就是光阻使用量较低，可结省材料成本。因此，括刀式涂布法不仅适用于五代以上大型基板，也
200510134760.2说 明 书 第2/5页可用于小型基板，是一种较先进的涂布方式。
既有的刮刀涂布法依序包有：(1)基板洗净(Glass Clean)＝＞(2)刮刀涂布(Slit Coating)＝＞(3)减压干燥(Vacuum Dry)＝＞(4)加热烘烤(Hot B a k i n g)等制程，亦即在整个制程当中并无旋转涂布的机制，而是只靠一有50～100u m狭缝的刮刀来涂布，而旋转的机制有助于涂膜的均匀度，刮刀则除了调整刮刀移动速度，刮刀光阻吐出量及刮刀至玻璃表面距离外，只能靠光阻剂本身流体特性来控制均匀度。
以致于，刮刀式涂布法对光阻剂特性的依赖性较旋转涂布法高，在既有的习知技术领域当中，美国5,847,015号专利、5,232,634号专利、U S 6,432,614，B1号专利虽已揭露有不同成分的彩光阻剂(负型光阻剂)；另外，由于一般混合物并无法轻易的由单一成分的结构预知所应具备的性质，因此这些已知的负型光阻剂虽然仅有些微成份的改变，却能产生截然不同的性质，也适用于不同的用途，但就所呈现的流体特性、流动平坦性、膜面均匀性而言，并无法成功搭配刮刀涂布法应用在玻璃基板涂布。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提供一种流体特性、流动平坦性、膜面均匀性皆适合刮刀涂布(Slit Coating)、减压干燥(Vacuum Dry)、加热烘烤(Hot Baking)制程要求的负型光阻剂，能够成功搭配刮刀式涂布法(Slit Coating)应用在玻璃基板涂布。
于实施时，负型光阻剂主要系由高分子树脂(Resin)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monomer)、溶剂(Solvent)所组成；当然，亦可配合加入颜料(Pigment)、添加剂(Additives)；其中，高分子树脂为一种高分子物质，可以为压克力树脂，使用重量平均分子量(M w)低于50,000，在20,000以下更好，原因在于分子量低有助于涂布的流动平坦性更佳，涂布表面较平坦；添加剂(添加界面活性剂)则可调整光阻在玻璃基板表面的涂布平坦度，以中性界面活性剂及重量平均分子量(M w)大于1000为较佳；溶剂为避免在减压干燥及加热烘烤时造成
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