在理想的晶体结构中，所有的原子、离子或分子都处于规那么的点阵结构的位置上，也就是平衡位置上。1926 年Frenkel 首先指出，在任一温度下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵，即晶体中一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。我们把实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷。 (2) 晶体缺陷的分类
按缺陷的几何形态分类可分为四类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。1.点缺陷〔零维缺陷〕
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括空位〔vacancy〕、间隙原子〔interstitial particle〕、异类原子〔foreign particle〕。点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。 2..线缺陷〔一维缺陷〕
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规那么性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。包括螺型位错与刃型位错等各类位错，
3.面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规那么性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。包括晶界、相界、外表、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 4.体缺陷
也称为三维缺陷，指晶体中在三维方向上相对尺度比拟大的缺陷，和基质晶体已经不属于同一物相，是异相缺陷。固体材料中最根本和最重要的晶体缺陷是点缺陷，包括本征缺陷和杂质缺陷等。
按缺陷产生的原因分类：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、其它原因〔如电荷缺陷，辐照缺陷等〕。
1.热缺陷热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点〔原子或离子〕。
类型：弗仑克尔缺陷〔Frenkel defect〕和肖脱基缺陷〔Schottky defect〕
热缺陷浓度与温度的关系：温度升高时，热缺陷浓度增加
2.杂质缺陷
定义：亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。
特征：如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，那么杂质缺陷的浓度与温度无关。
3.非化学计量缺陷
定义：指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。
特点：其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。
3．晶体缺陷对材料性能的影响
〔1〕点缺陷对材料性能的影响
晶体中点缺陷的不断无规那么运动和空位与间隙原子不断产生与复合是晶
体中许多物理过程如扩散、相变等过程的根底。空位是金属晶体结构中固有的点缺陷，空位会与原子交换位置造成原子的热激活运输，空位的迁移直接影响原子的热运输，从而影响材料的电、热、磁等工程性能。晶体中点缺陷的存在一方面造成点阵畸变，使晶体内能升高，增加了晶体热力学不稳定性，另一方面增大了原子排列的混乱程度，改变了周围原子的振动频率。使熵值增大使晶体稳定。矛盾因素使晶体点缺陷在一定温度下有一定平衡数目。在一般情形下，点缺陷主要影响晶体的物理性质，如比容、比热容、电阻率等。
1. 子位置，导致晶体体积增大
2．比热容：由于形成点缺陷需向晶体提供附加的能量〔空位生成焓〕，因而引起附加比热容。
3．电阻率：金属的电阻来源于离子对传导电子的散射。在完整晶体中，电子根本上是在均匀电场中运动，而在有缺陷的晶体中，在缺陷区点阵的周期性被破坏，电场急剧变化，因而对电子产生强烈散射，导致晶体的电阻率增大。
4.
5. 电阻：增加电阻，晶体点阵的有序结构被破坏，使原子对自由电子的散射效果提升。一般可以通过电阻分析法莱追踪缺陷浓度的变化
6．晶体结构：辐照很显著地破坏了合金的有序度，而且一些高温才稳定的相结构可以保持到室温
7．力学性能：辐照引起金属的强化和变脆〔注，空位使晶格畸变类似置换原子引起的〕。
此外，点缺陷还影响其他物理性质，如扩散系数，内耗，介电常数等，在碱金属的卤化物晶体中，由于杂质或过多的金属离子等点缺陷对可见光的选择性吸收，会使晶体呈现彩，这种点缺陷称为心。
〔2〕线缺陷对材料性能的影响
位错是一种及重要的晶体缺陷，他对金属的塑性变形，强度与断裂有很重要的作用，塑性变形就其原因就是位错的运动，而强化金属材料的根本途径之一就是阻碍位错的运动，另外，位错对金属的扩散、相变等过程也有重要影响。所以深入了解位错的根本性质与行为，对建立金属强化机制将具有重要的理论和实际意义。金属材料的强度与位错在材料受到外力的情况下如何运动有很大的关系。如果位错运动受到的阻碍较小，那么材料强度就会较高。实际材料在发生塑性变形时，位错的运动是比拟复杂的，位错之间相互反响、位错受到阻碍不断塞积、材料中的溶质原子、第二相等都会阻碍位错运动，从而使材料出现加工硬化。因此，要想增加材料的强度就要通过诸如：细化晶粒〔晶粒越细小晶界就越多，晶界对位错的运动具有很强的阻碍作用〕、有序化合金、第二相强化、固溶强化等手段使金属的强度增加。以上
〔3〕面缺陷对材料性能的影响
1. 面缺陷的晶界处点阵畸变大，存在晶界能，晶粒长大与晶界平直化使晶界米面积减小，晶界总能量降低，这两过程通过原子扩散进行，随温度升高与保温时间增长，有利于这两过程的进行。
2. 面缺陷原子排列不规那么，常温下晶界对位错运动起阻碍作用，塑性变形抗力提高，晶界有较高的强度和硬度。晶粒越细，材料的强度越高，这就是细晶强化，而高温下刚好相反，高温下晶界又粘滞
性，使相邻晶粒产生相对滑动。
3. 面缺陷处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，晶界处也有较多缺陷，故晶界处原子的扩散速度比晶内快
4. 固态相变中，晶界能量较高，且原子活动能力较大，新相易于在晶界处优先形核，原始晶粒越细，晶界越多，新相形核率越大。
5．由于成分偏析和内吸附现象，晶界富集杂质原子情况下，晶界熔点低，加热过程中，温度过高引起晶界熔化与氧化，导致过热现象。
6. 晶界处能量较高，原子处于不稳定状态，及晶界富集杂质原子的缘故，晶界腐蚀速度较快。
〔4〕缺陷对半导体性能的影响
硅、锗等第4族元素的共价晶体绝对零度时为绝缘体，温度刀·
1. 缺陷对半导体晶体能阶的影响
硅和锗本征半导体的晶体结构为金刚石型。每个原子与四个近邻原子共价结合。杂质原子的引入或空位的形成都改变了参与结合的共价电子数目，影响晶体的能价分布。
有时为了改善本征半导体的性能有意掺入一些三、五族元素形成掺杂半导体；而其他点缺陷如空位或除三，五族以外的别的杂质原子原那么上也会形成附近能阶。位错对半导体性能影响很大，但目前只对金钢石结构的硅、锗中的位错了解得较多一点。
2. 缺陷对载流子数目的影响
点缺陷使能带的禁带区出现附加能阶，位错本身又会起悬浮键作用，它起着施主或受主的作用，另外位错俘获电子使载流子数目减少，所以半导体中实际载流子数目减少。
由于晶体缺陷对半导体材料的影响，故可以在半导体材料中有以下应用
1.过量的Zn 原子可以溶解在ZnO 晶体中，进入晶格的间隙位置，形成间隙型离子缺陷，同时它把两个电子松弛地束缚在其周围，对外不表现出带电性。但这两个电子是亚稳定的，很容易被激发到导带中去，成为准自由电子，使材料具有半导性。
2.Fe3O4 晶体中，全部的Fe2+离子和1/2 量的Fe3+Fe2+ — Fe3+ — Fe2+ —Fe3+—……之间可以迁移，Fe3O4 是一种本征半导体。
3.VA 族元素杂质〔如P、As、Sb 等〕后，这些VA 族杂质替代了一局部硅原子的位置，但由于它们的最外层有5个价电子，其中4 个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电
子。这样一个VA 族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，通常把这种杂质称为施主杂质。当硅中掺有施主杂质时，主要靠施主提供的电子导电，这种依靠电子导电的半导体被成为n 型半导体。
4.在 BaTiO3 陶瓷中，人们常常参加三价或五价杂质来取代Ba2+离子或Ti4+离子来形成n 型半导瓷。例如，从离子半径角度来考虑，一般使用的五价杂质元素的离子半径是与Ti4+离子半径〔0.064nm〕相近的，如Nb5+=0.069nm，Sb5+=0.062nm，它们容易替代Ti4+离子；或者使用三价元素，如La3+=0.122nmCe3+=0.118nm，Nd3+=0.115nm，它们接近于Ba2+离子的半径〔0.143nm〕，因而易于替代Ba2+离子。由此可知，不管使用三价元素还是五价元素掺杂，结果大都形成高价离子取代，即形成n 型半导体。
〔5〕位错对铁磁性的影响
只有过渡族元素的一局部或其局部化合物是铁磁性材料。物质的铁磁性要经过外磁场的磁化作用表现出来。能量极小原理要求磁性物质是由磁矩取向各异的磁畴构成。一般说来加工硬化降低磁场H的磁化作用，磁畴不可逆移动开始的磁场Ho (起始点的磁场强度)升高，而加工那么使物质的饱和磁化强度降低。
4 结语
缺陷对物理性能的影响很大，可以极大的影响材料的导热，电阻，光学，和机械性能，极大地影响材料的各种性能指标，比方强度，塑性等。化学性能影响主要集中在材料外表性能上，比方杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模型，极大地加速材料的腐蚀，另外外表能量也会受到缺陷的极大影响，外表化学活性，化学能等等。其实正是有了缺陷金属材料才能有着我们需要的良好的使用性能，比方人工在半导体材料中进行掺杂，形成空穴，可以极大地提高半导体材料的性能。总之影响非常大，但是如果合理的利用缺陷，可以提高材料某一方面的性能，
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