电容类型 | 降额参数 | ||||
电压（%最大额定值） | 反向电压 | ||||
严酷 | 一般 | 严酷 | 一般 | ||
固定纸/塑料薄膜 | 60% | 70% | Tmax-10℃ | Tmax-10℃ | |
固定金属化薄膜 | 60% | 70% | Tmax-10℃ | Tmax-10℃ | |
固定陶瓷型 | 60% | 70% | Tmax-10℃ | Tmax-10℃ | |
固定钽电解（片状） | 70% | 80% | Tmax-20℃ | Tmax-20℃ | |
固定钽电解电容（固态、非固态（Wet and Foil）） | 70% | 80% | Tmax-20℃ | Tmax-20℃ | 最大正向额定直流电压的2% |
固定铝电解电容 | 70% | 80% | Tmax-20℃ | Tmax-20℃ | |
可变电容器 | 60% | 70% | Tmax-10℃ | Tmax-10℃ | |
电阻类型 | 降额要求 | ||||
功率（%最大额定功率） | 最大温度（℃） | 最大电压 | |||
严酷 | 一般 | 严酷 | 一般 | ||
固定合成电阻 | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
固定片状薄膜电阻 | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
固定薄膜（通用和精密） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | 70% |
固定薄膜电阻（功率） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
固定薄膜电阻（阻排） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
固定线绕电阻（精密） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | 70% |
固定线绕电阻（功率） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | 70% |
可变合成非线绕 | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
可变非线绕薄膜电阻 | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
可变线绕（通用） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
可变线绕（精密和半精密） | 50% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
可变线绕（功率） | 70% | 70% | Tmax-30℃ | Tmax-30℃ | |
器件类型 | 降额参数 | 降额要求 | |
严酷 | 一般 | ||
通用小信号/开关；电源整流器；可控硅 | 正向电流 反向电压 最高结温 | 90% 70% 95℃ | <100% 80% 115℃ |
微波二极管 | 功耗 反向电压 最高结温 | 90% 70% 95℃ | <100% 80% 115℃ |
瞬态抑制二极管 | 功耗 平均电流 最高结温 | 90% 90% 95℃ | <100% <100% 115℃ |
稳压二极管 | 功耗 最高结温 | 90% 95℃ | <100% 115℃ |
部件类型 | 降额参数 | 要求 | |
严酷条件 | 一般条件 | ||
双极性晶体管BJT | 功率 电压（VCE） 最大结温 | 90% 70% 95℃ | <100% 80% 115℃ |
场效应晶体管FET（硅） | 功率 击穿电压（VBR） 最大结温 | 90% 90% 95℃ | <100% <100% 115℃ |
场效应晶体管FET（GaAs） | 功率 沟道温度 | 90% 105℃ | <100% 125℃ |
异质结双极性晶体管HBT(GaAs) | 功率 沟道温度 | 90% 105℃ | <100% 125℃ |
高电子迁移率晶体管HEMT (GaAs) | 功率 沟道温度 | 90% 105℃ | <100% 125℃ |
部件类型 | 降额参数 | 降额要求 | |
严酷条件 | 一般条件 | ||
音频变压器 功率变压器 脉冲变压器 | 脉冲电流（%最大额定值） 脉冲电压（%最大额定值） 热点温度（℃） | 90% 90% Tmax-25℃ | <100% <100% Tmax-25℃ |
射频线圈 电感 | 直流电流（%最大额定值） 热点温度（℃） | 90% Tmax-25℃ | <100% Tmax-25℃ |
部件类型 | 降额参数 | 要求 | |
严酷 | 一般 | ||
硅数字微电路 | 扇出 频率（%最大额定值） 输出电流 最大结温 | 90% 90% 90% 95℃ | <100% <100% <100% 115℃ |
硅线性微电路 | 功耗 输出电流 最大结温 | 90% 90% 95℃ | <100% <100% 115℃ |
GaAs数字微电路 | 最大沟道温度 | 105℃ | 125℃ |
GaAs线性微电路 | 射频输出功率 功耗 最大沟道温度 | 90% 90% 105℃ | <100% <100% 125℃ |
SiGe数字微电路 | 最大结温 | 95℃ | 115℃ |
SiGe线性微电路 | 最大结温 | 95℃ | 115℃ |
部件类型 | 降额参数 | 要求 | |
严酷 | 一般 | ||
正常响应保险管 | 电流（%最大额定值） | 80％ | 90％ |
慢断保险管 | 电流（%最大额定值） | 50％ | 85％ |
部件类型 | 降额参数 | 降额要求 |
UL标准认证 | 电流（%最大额定值） | 75% |
IEC标准认证 | 电流（%最大额定值） | 100% |
部件类型 | 降额参数 | 降额要求 | |
严酷条件 | 一般条件 | ||
连接器（通用类型） | 电压（%额定电压） 电流（％最大额定值） 插入温度范围 | 70% 70% Tmax-50℃ | 80% 80% Tmax-25℃ |
连接器（光纤） | 温度范围 | Tmax-50℃ | Tmax-25℃ |
部件类型 | 降额参数 | 降额要求 | |
严酷条件 | 一般条件 | ||
开关（通用） | 触点电流（连续的% 最大额定值） 触点功率（%最大额定值） 触点电流（浪涌） | 75%容性阻抗 75%阻性阻抗 40%感性阻抗 20%电机 10%灯丝 50% 80% | 90% 90% 75% 30% 20% 70% 80% |
类型 | 降额参数 | 降额要求 |
二次电源模块 （DC/DC POWER MODULES） | 最大使用功率 | 80% |
输出电流（均值） | 80% | |
基板温度（铝基板） | 90℃ | |
基板温度（非铝基板） | 80℃ | |
一次电源模块 （AC/DC POWER SUPPLYS） | 最大使用功率 | 80% |
输出电流（均值） | 80% | |
外壳温度 | 85℃ | |
本文发布于:2024-09-22 03:34:49，感谢您对本站的认可！
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