第一部分自测题
一、多项选择题
1.下列选项中的参数与接收器有关的有（ ）
A．曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度
答案：AD
2.光电探测器中的噪声主要包括（ ABCDE ）
A．热噪声 B.散粒噪声 C.产生复合噪声 D.1/f噪声 E 温度噪声
3.光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（ AB ） A．本征吸收 B.杂质吸收 C.激子吸收 D.自由载流子吸收 E 晶格吸收 二、单项选择题
1.被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）
A．内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应
答案：B
2.当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为（） A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能
答案：A
3.已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（）
A.3.31lx B.1.31lx C.3.31lm D.1.31lm
答案：D
4.半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带
答案：A
5.一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为
答案 B
A 3nV B 4nV C 5nV D 6nV
6.用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（B）
A阳光直射 B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影
7.已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（B）
A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm
8.为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是 （D ）
A 辐射照度 B 辐射强度
C 辐射出度 D 辐射亮度
9. 电磁波谱中可见光的波长范围为
A0.38~0.78um B 0.38~1um C 1~3um D 8~12um
答案：A
10. 已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（A）。
A. 9.55×1016个/秒B. 9.55×1019个/秒C. 2.87×1025个/秒D. 2.87×1022个/秒
11. 某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能为（B） A. B. C. D.
12. 100W标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为（A）
A. B. C. D.
13. 已知甲、乙两厂生产的光电器件在温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为，，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（B）
A. 甲场灵敏度高 B. 乙场灵敏度高
C. 甲乙两场灵敏度一样高 D. 无法比较
14. 光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（D）
A. B. C. D.
15. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（B）
A. B. C. D.
三、判断题
1.比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。 （错）
2.探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。（对）
3.噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。（对）
4.1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。（对）
5.量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。（对）
6.若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W(nm).(错)
7.光通量的单位是坎德拉。(错)
8.辐射通量与光通量的单位是相同的。(错)
9.朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。（错）
10.被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。（对）
11.辐射出射度Me与辐射照度Ee的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。（错）
12.发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。（对）
13.发光强度的单位是坎德拉（cd）,其定义为：在给定方向上能发射的单辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，其发光强度定义为1cd。（对）
14.在对具有一定量度和颜的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。（错）
15.波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。（错）
16.杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。（对）
17.可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。（错）
18.在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。（对）
19.光生伏特效应能将光能转换成电能。（对）
20.外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。（错）
第二部分 常用光辐射源 自测题
一、多项选择题
1.常用的激光器有（）
A. 气体激光器 B.液体激光器 C.固体激光器 D.染料激光器 E 半导体激光器
答案：A C D E
2.按发光机理分类，常用光源有（ABCD）
A. 发光二极管 B.激光器 C.气体放电 D.热辐射 E 太阳
二、单项选择题
1.低压汞灯光谱为（）。
A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
u型光电传感器答案：A
2.高压钠灯光谱为（）。
A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
答案：B
3. 高压钠灯光谱为（）。
A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
答案：B
4.白炽灯光谱为（ ）
A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
答案：C
5. 荧光灯光谱为（ ）
A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
答案：D
6.某光源的发光效率为90~100lm/W，该光源可能是（ ）
A. 普通荧光灯 B.高压汞灯 C.高压钠灯 D.卤钨灯
答案：C
7.连续波半导体激光器输出功率约为（ ）
A. 小于1mW B.几毫瓦到数百毫瓦 C.几瓦 D.几百瓦
答案：B
8. 黑体是指（ ）
A.反射为1 B.吸收为1 C.黑的物质 D.不发射电磁波
答案：B
三、判断题
1.发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。（对）
2.GaAs的开启电压约为1V。（对）
3.物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。（错）
4.氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基荧光粉可激发出白光，成为白光LED。（对）
5.超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50~100lm/W。（对）
6.发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。（错）
7.LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。（错）
8.普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/W。（对）
9.LED的寿命通常小于106小时。（错）
10.通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。（对）第三部分 光电导探测器 自测题
一、多项选择题
1.（多选）下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（ BCDE）
A．锗掺汞 B.硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞 E 碲鎘汞
2.光电导器件的噪声主要有（ ABC ）
A．热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声
二、单项选择题
1.光电导的单位（ B ）
A.欧姆 B.西门子 C.流明 D 勒克斯
2.氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ A ）
A.200~365nm B.400~700nm C.700~1100nm D 1~7um
3.硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（ B ）
A.200~365nm B.400~700nm C.700~1100nm D 1~7um
4.常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ D ）
A.200~365nm B.400~700nm C.700~1100nm D 0.4~3um
5. 常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ C ）
A.200~365nm B.400~700nm C.1~7.5um D 0.4~3um
6.设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2，且已知它在90~120lx范围内的。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为（C）。
A．2224.6 B．1999.9 C. 1873.8 D.935.2
7. 假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW，光电导灵敏度，暗电导。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为（D）。
A. 150lx B.22500lx C.2500lx D. 150lx和22500lx
8.光电导探测器的特性受工作温度影响（B）。
A.很小 B.很大 C.不受影响 D.不可预知
三、判断题
1.由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光电导器件。（错）
2.本征光电导器件的长波限可以达到130um。（错）
3.弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。（对）
4.材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数。（错）
5.前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。（对）
6.光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。（错）
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议