引言
射频（ＲＦ）滤波器已成为电子系统小型化、集成化及芯片化的瓶颈之一。薄膜体声波谐振器（ＦＢＡＲ）是目前在５００ＭＨｚ～２０ＧＨｚ频段实现高性能滤波器芯片化的重要途径。ＦＢＡＲ是一种基于体声波（ＢＡＷ）的新型电声谐振器，通过压电薄膜的逆压电效应将电能转换成声波并形成谐振。基于测试与性能表征的方法。另外，也未见文献报道低阻硅衬底对ＢＡＷ 滤波器性能的影响。 为了表征本课题组研制的Ｌ波段ＢＡＷ 滤波器第一轮工艺样品的性能，使用射频探针台和矢量网络分析仪（ＶＮＡ）测得其Ｓ 参数。为了从测得的Ｓ参数便捷地计算出ＢＡＷ测试探针 滤波器的各项性能参数，在ＡＤＳ软件环境下建立了ＢＡＷ 滤波器性能参数的解算流程。此外，还根据测试和表征结果，讨论了低阻硅衬底和器件工艺误差对ＢＡＷ 滤波器性能的影响。
１ ＢＡＷ 滤波器的工作原理及结构
ＢＡＷ 滤波器多采用梯形拓扑结构，由一组串联ＦＢＡＲ 和一组并联ＦＢＡＲ 构成。所有
串联的ＦＢＡＲ有相同的谐振频率，所有并联的ＦＢＡＲ有另一个相同的谐振频率，后者比前者略低。图１为梯形拓扑结构ＢＡＷ 滤波器的频率特性。为了获得中心频率为ｆ０、通带带宽为Δｆ 的窄带带通滤波器，串联ＦＢＡＲ的串联谐振频率和并联谐振频率分别为ｆ０和ｆ０＋Δｆ／２，并联ＦＢＡＲ的串联谐振频率和并联谐振频率分别为ｆ０－Δｆ／２和ｆ０。串联ＦＢＡＲ的并联谐振频率构成了ＢＡＷ 带通滤波器的上阻带衰减点，并联ＦＢＡＲ的串联谐振频率构成了ＢＡＷ带通滤波器的下阻带衰减点。当输入信号频率为ｆ０时，谐振频率为ｆ０的串联ＦＢＡＲ处于谐振状态，呈低阻状态；此时，并联ＦＢＡＲ偏离谐振状态，呈高阻状态；因此电路对频率为ｆ０的输入信号无大的衰减。当输入信号频率为ｆ０－Δｆ／２时，由于此时并联ＦＢＡＲ呈低阻状态、串联ＦＢＡＲ呈高阻状态，信号传输过程将经历多次衰减。同理，当输入信号频率为ｆ０＋Δｆ／２时，信号传输过程也将经历多次衰减。这样便实现了输入信号的滤波［４］。
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